图像传感器
    12.
    发明公开
    图像传感器 审中-公开

    公开(公告)号:CN119562619A

    公开(公告)日:2025-03-04

    申请号:CN202410828641.X

    申请日:2024-06-25

    Inventor: 林政昱

    Abstract: 公开了图像传感器,包括:第一半导体基板,其包括第一像素区和第二像素区;第一光电转换元件,其在第一像素区上;第二光电转换元件,其在第二像素区上;第一浮置扩散部,其在第一像素区上;第二浮置扩散部,其在第二像素区上;第一传输栅电极,其在第一光电转换元件和第一浮置扩散部之间;第二传输栅电极,其在第二光电转换元件和第二浮置扩散部之间;第二半导体基板,其在第一半导体基板上;以及像素晶体管,其连接到第一光电转换元件和第二光电转换元件。第二光电转换元件的宽度小于第一光电转换元件的宽度。像素晶体管中的至少一个在第二半导体基板上。

    图像传感器和包括在图像传感器中的像素

    公开(公告)号:CN117199089A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202310584566.2

    申请日:2023-05-23

    Abstract: 提供了一种图像传感器和包括在图像传感器中的像素。该图像传感器包括多个像素,其中,多个像素中的每个像素包括:第一子像素,其包括第一光电转换区域、第一浮置扩散区域以及被配置为将第一光电转换区域中累积的电荷转移至第一浮置扩散区域的第一转移晶体管;以及第二子像素,其与第一子像素相邻设置并且包括第二光电转换区域、第二浮置扩散区域以及被配置为将第二光电转换区域中累积的电荷转移至第二浮置扩散区域的第二转移晶体管,其中,第一转移晶体管包括第一转移栅极,其中,第二转移晶体管包括第二转移栅极,并且其中,第二转移栅极包括竖直多栅极。

    图像传感器
    14.
    发明公开
    图像传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN117082371A

    公开(公告)日:2023-11-17

    申请号:CN202310541239.9

    申请日:2023-05-15

    Abstract: 提供了一种图像传感器。该图像传感器包括:光电二极管;传输晶体管,其具有连接到光电二极管的第一端和连接到第一节点的第二端;第一开关晶体管,其具有连接到第一节点的第一端;第一电容器,其具有连接到第一开关晶体管的第二端的第一电极;第二电容器,其具有连接到第一节点的第一电极。第一电容器的第二电极被配置为接收电源电压,并且第二电容器的第二电极被配置为接收升压信号。

    图像传感器
    15.
    发明公开
    图像传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN116074644A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202211338913.5

    申请日:2022-10-28

    Inventor: 林政昱

    Abstract: 在图像传感器中,包括具有多个像素的像素阵列,多个像素中的每一个包括:第一光电二极管;第二光电二极管,其具有比第一光电二极管大的光接收面积;第一浮置扩散节点,其中积累有第一光电二极管中生成的电荷;第二浮置扩散节点,其中积累有第二光电二极管中生成的电荷;第一电容器,其积累从第一光电二极管溢出的电荷;第一驱动晶体管,其被配置为生成与第二浮置扩散节点的电压对应的输出信号;以及第二电容器,其根据用于积累溢出电荷的溢出操作来存储溢出电荷的量,并且根据用于重置第一浮置扩散节点的重置操作来存储重置电荷的量。

    图像感测装置及汽车装置
    17.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118509726A

    公开(公告)日:2024-08-16

    申请号:CN202410181230.6

    申请日:2024-02-18

    Inventor: 林政昱

    Abstract: 图像感测装置包括:像素阵列,其包括多个单位像素;以及驱动单元,被配置为驱动多个单位像素中的每个单位像素。每个单位像素包括:第一区域,其包括第一光电二极管、第一浮置扩散区和第二浮置扩散区;第二区域,其包括第二光电二极管和第三浮置扩散区;以及浮置扩散(FD)连接晶体管,其连接到第一浮置扩散区、第二浮置扩散区和第三浮置扩散区中的任一个。驱动单元被配置为交替地执行单个地操作多个单位像素的正常操作和将多个单位像素中的至少两个单位像素分组并同时操作至少两个单位像素的合并操作。

    单位像素和包括单位像素的图像传感器

    公开(公告)号:CN116419084A

    公开(公告)日:2023-07-11

    申请号:CN202310008888.2

    申请日:2023-01-04

    Inventor: 林政昱

    Abstract: 一种单位像素,包括:第一光电转换单元,配置为响应于第一入射光产生第一电荷;第一传输晶体管,连接在第一光电转换单元与第一节点之间,配置为将第一电荷传输到第一节点;连接晶体管,连接在第二节点与第一节点之间;第二光电转换单元,配置为响应于第二入射光产生第二电荷;第二传输晶体管,连接在第二光电转换单元与第三节点之间;开关晶体管,连接在第三节点与第二节点之间;源极跟随器,连接到第一节点;选择晶体管,连接到源极跟随器,配置为基于选择信号进行操作并输出基于第一电荷或第二电荷产生的像素电压;溢流晶体管,将第一光电转换单元与电源电压连接;以及比较器,配置为当像素电压的电平小于阈值电压的电平时导通溢流晶体管。

    包括自动聚焦像素的图像传感器
    19.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115379142A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202210545997.3

    申请日:2022-05-17

    Inventor: 林政昱 金智勋

    Abstract: 一种图像传感器包括:像素阵列,其包括第一像素组和第二像素组,第一像素组和第二像素组中的每一个包括按照多行和多列布置的像素;以及行驱动器,其被配置为将传输控制信号提供至像素阵列,第一像素组包括具有在第一方向上布置的光电二极管的第一自动聚焦(AF)像素,第一像素组的像素通过第一列线输出像素信号,第二像素组包括具有在垂直于第一方向的第二方向上布置的光电二极管的第二AF像素,第二像素组的像素通过第二列线输出像素信号,并且第一像素组的第一AF像素和第二像素组的第二AF像素接收相同的传输控制信号。

    半导体装置
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111009536A

    公开(公告)日:2020-04-14

    申请号:CN201910893072.6

    申请日:2019-09-20

    Abstract: 一种半导体装置,包括:衬底,其具有第一表面和面对所述第一表面的第二表面,其中光入射到所述第二表面;像素区,其形成在所述衬底中;半导体光电转换器,其设置在所述像素区和所述衬底中;一个或多个晶体管,其设置在所述像素区中并且设置在所述衬底的所述第一表面处,其中所述一个或多个晶体管不与所述半导体光电转换器重叠;和分隔图案,其设置在所述像素区中并围绕所述一个或多个晶体管。

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