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1.

发明公开
半导体装置无效

公开(公告)号：CN111009536A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910893072.6

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林政昱 , 梁东主 , 崔性洙 , 薛斗植 , 郑胜基

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种半导体装置，包括：衬底，其具有第一表面和面对所述第一表面的第二表面，其中光入射到所述第二表面；像素区，其形成在所述衬底中；半导体光电转换器，其设置在所述像素区和所述衬底中；一个或多个晶体管，其设置在所述像素区中并且设置在所述衬底的所述第一表面处，其中所述一个或多个晶体管不与所述半导体光电转换器重叠；和分隔图案，其设置在所述像素区中并围绕所述一个或多个晶体管。

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