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公开(公告)号：CN117790490A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311135578.3
申请日：2023-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/16 , H10B80/00 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/538 , H01L23/367 , H01L23/373
Abstract: 公开了一种半导体封装件。该半导体封装件包括：顺序地堆叠的多个第一半导体芯片，第一半导体芯片中的每个包括在第一基底的第一表面上的电路层、穿过第一基底的硅贯穿过孔和连接到硅贯穿过孔的凸块焊盘；以及第二半导体芯片，在最上面的第一半导体芯片上，第二半导体芯片包括在第二基底的第一表面上的电路层和在第二基底中的热路径过孔。
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公开(公告)号：CN115910991A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202210361368.5
申请日：2022-04-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/532
Abstract: 公开了具有防裂纹结构的半导体装置。所述半导体装置包括：半导体基底，包括芯片区域和划线区域；低k层，在半导体基底上；层间绝缘层，在低k层上；沟槽区域，在划线区域中；间隙填充绝缘层，在沟槽区域中并且从半导体基底垂直延伸穿过低k层和层间绝缘层以通过层间绝缘层暴露间隙填充绝缘层的上表面；以及第一金属衬层，覆盖间隙填充绝缘层的侧表面，并且设置在间隙填充绝缘层与低k层之间以及间隙填充绝缘层与层间绝缘层之间。
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公开(公告)号：CN117995821A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311401287.4
申请日：2023-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L23/498 , H10B80/00 , H01L23/528
Abstract: 提供了半导体封装件。所述半导体封装件包括：基底芯片，所述基底芯片具有前表面和与所述前表面相反的后表面，所述基底芯片包括设置在所述前表面上的凸块焊盘、晶片测试焊盘和封装测试焊盘；连接结构，所述连接结构设置在所述基底芯片的所述前表面上并且连接到所述凸块焊盘；以及半导体芯片，所述半导体芯片堆叠在所述基底芯片的所述后表面上，其中，每一个所述晶片测试焊盘在尺寸上小于所述封装测试焊盘。
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公开(公告)号：CN115966536A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211238710.9
申请日：2022-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 提供了包括硅通孔的半导体装置。所述半导体装置包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的基底。设置有延伸穿过基底过孔绝缘层。设置有延伸穿过过孔绝缘层的硅通孔。硅通孔的中心从过孔绝缘层的中心偏离。阻挡层设置在第一表面上。第一绝缘层设置在阻挡层上。设置有延伸穿过第一绝缘层和阻挡层并接触硅通孔的接触插塞。
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公开(公告)号：CN113451265A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110325155.2
申请日：2021-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/532 , H01L27/02
Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括芯片区域和边缘区域；集成电路元件，位于芯片区域上；层间绝缘层，覆盖集成电路元件；互连结构，位于层间绝缘层上并且具有位于边缘区域上的侧表面；第一导电图案和第二导电图案，位于互连结构上，第一导电图案和第二导电图案电连接到互连结构；第一钝化层，覆盖第一导电图案和第二导电图案以及互连结构的侧表面；以及第二钝化层，位于第一钝化层上，其中，第二钝化层包括不同于第一钝化层的绝缘材料，并且在第一导电图案与第二导电图案之间，第二钝化层具有定位在比第一导电图案的顶表面的竖直水平低的竖直水平处的底表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113451202A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110256957.2
申请日：2021-03-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L23/538 , H01L27/088
Abstract: 提供了半导体装置及其制造方法。所述方法包括：在衬底上形成第一电介质层；在所述第一电介质层中形成通路；在所述第一电介质层上顺序地形成第一金属图案、第一金属氧化物图案、第二金属图案和抗反射图案；和执行退火工艺以使所述第一金属氧化物图案和所述第二金属图案彼此反应以形成第二金属氧化物图案。形成所述第二金属氧化物图案包括通过所述第二金属图案的金属元素与所述第一金属氧化物图案的氧元素之间的反应来形成所述第二金属氧化物图案。
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公开(公告)号：CN112349658A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010315686.9
申请日：2020-04-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/498 , H01L21/60
Abstract: 公开了一种半导体器件。所述半导体器件包括：层间绝缘层，设置在基底上；多个中部互连件，设置在层间绝缘层中；垫，设置在层间绝缘层上；上部互连件，设置在层间绝缘层上；保护绝缘层，覆盖垫的边缘、上部互连件以及垫与上部互连件之间的水平的间隙，保护绝缘层在垫上具有开口；以及凸块，设置在垫上，凸块在保护绝缘层上延伸并且从自顶向下的视图来看与上部互连件叠置。所述多个中部互连件中的在竖直方向上最靠近垫的中部互连件之中的至少一个中部互连件具有第一竖直厚度，垫具有为第一竖直厚度的两倍至100倍的第二竖直厚度，垫与上部互连件之间的所述间隙的长度为1μm或更大，并且保护绝缘层的上表面是平坦的。
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公开(公告)号：CN116075149A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202211356181.2
申请日：2022-11-01
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体器件和包括半导体器件的半导体封装件。所述半导体器件包括：半导体基底；第一层间绝缘层，布置在半导体基底上；低介电层，布置在第一层间绝缘层上；第二层间绝缘层和第三层间绝缘层，顺序地布置在低介电层上；以及贯穿硅过孔，穿透半导体基底和第一层间绝缘层，其中，半导体基底、第一层间绝缘层和低介电层构成倒角结构，倒角结构包括第一倒角表面和第二倒角表面，第一倒角表面平行于半导体基底的顶表面，第二倒角表面相对于半导体基底的顶表面倾斜并连接到第一倒角表面。
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公开(公告)号：CN115810579A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202210920766.6
申请日：2022-08-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 公开半导体装置。所述半导体装置包括：基底；蚀刻停止层，在基底上；贯穿孔电极，与基底的上表面基本垂直的垂直方向上延伸穿过基底和蚀刻停止层；以及导电垫。蚀刻停止层包括与基底邻近的第一表面和与第一表面背对的第二表面。贯穿孔电极包括从蚀刻停止层的第二表面突起的突起部分。导电垫覆盖贯穿孔电极的突起部分。贯穿孔电极的突起部分是不平坦的。
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公开(公告)号：CN115692347A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210836054.6
申请日：2022-07-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/485 , H01L25/18 , H10B80/00
Abstract: 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括彼此背对的第一侧和第二侧；第一穿透结构，穿透基底；以及第二穿透结构，穿透基底，第二穿透结构与第一穿透结构间隔开，并且当从基底的第一侧观察时，第一穿透结构的面积大于第二穿透结构的面积的两倍。
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