公开(公告)号：CN118301939A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311128821.9

申请日：2023-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 玄昇潭 ,  金庆勳 ,  金宣浩 ,  金贤庆 ,  朴洸珉 ,  杨承烈 ,  延国贤 ,  李珉贤 ,  崔硕训 ,  许浩硕

IPC: H10B43/35

Abstract: 公开了垂直NAND闪存装置。所述垂直NAND闪存装置包括多个单元阵列，其中，所述多个单元阵列的每个单元阵列包括：沟道层；电荷捕获层，设置在沟道层上，电荷捕获层包括基体和电荷捕获材料，基体包括电介质，电荷捕获材料在基体中并且包括反铁电纳米晶体或铁电纳米晶体；以及多个栅电极，设置在电荷捕获层上。

公开(公告)号：CN116249353A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202211550188.8

申请日：2022-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  裵鹤烈 ,  杨承烈 ,  李珉贤 ,  文泰欢

IPC: H10B51/20 ,  H10B51/30

Abstract: 本公开提供了垂直非易失性存储器器件和包括其的电子装置。该垂直非易失性存储器器件可以包括：多个绝缘层和多个导电层，在垂直于衬底的表面的方向上交替地堆叠在衬底的表面上；在衬底上的沟道层，其中沟道层在垂直于衬底的表面的方向上延伸，沟道层可以在所述多个绝缘层的侧表面和所述多个导电层的侧表面上；以及铁电层，在沟道层与所述多个导电层的侧表面之间。

公开(公告)号：CN113745257A

公开(公告)日：2021-12-03

申请号：CN202110218926.8

申请日：2021-02-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  薛珉洙 ,  申铉振

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/30

Abstract: 提供了图像传感器、电子装置和制造图像传感器的方法。该图像传感器包括可见光传感器部分和布置在可见光传感器部分上的红外传感器部分。可见光传感器部分包括第一传感器层和第一信号布线层，其中多个可见光感测元件排列在第一传感器层中，并且第一信号布线层配置为处理从第一传感器层输出的信号。红外传感器部分包括其中排列多个红外感测元件的第二传感器层、以及配置为处理从第二传感器层输出的信号的第二信号布线层。红外传感器部分和可见光传感器部分形成在获得高分辨率方面有效的单个整体结构。

公开(公告)号：CN112750685A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011180671.2

申请日：2020-10-29

Applicant: 三星电子株式会社 ,  蔚山科学技术院

Inventor： 李昌锡 ,  申铉石 ,  申铉振 ,  洪锡模 ,  李珉贤 ,  南胜杰 ,  马庆烈

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/12 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  B82Y30/00

Abstract: 提供氮化硼层、包括其的装置及制造氮化硼层的方法。所述氮化硼层包括氮化硼化合物并且在100kHz的工作频率下具有约2.5或更小的介电常数。

公开(公告)号：CN104659096A

公开(公告)日：2015-05-27

申请号：CN201410433124.9

申请日：2014-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  卞卿溵 ,  宋俔在 ,  申铉振 ,  李珉贤 ,  柳寅敬 ,  朴晟准

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/04

Abstract: 本发明公开了一种包括分离的结接触的石墨烯器件及其制造方法。石墨烯器件是其中石墨烯被用作沟道的场效应晶体管(FET)。源电极和漏电极不直接接触石墨烯沟道，通过掺杂半导体而形成的结接触分离地设置在石墨烯沟道和源电极之间以及石墨烯沟道和漏电极之间。因此，在其中电压不施加到栅电极的截止状态中，由于在石墨烯沟道和结接触之间的势垒，载流子不会移动。结果，石墨烯器件在截止状态可以具有低电流。

公开(公告)号：CN118301938A

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202311304446.9

申请日：2023-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许浩硕 ,  金贤庆 ,  玄昇潭 ,  金庆勳 ,  杨承烈 ,  延国贤 ,  李珉贤 ,  崔硕训

IPC: H10B43/30 ,  G11C13/00

Abstract: 提供了一种垂直非易失性存储器装置。垂直非易失性存储器装置包括柱、围绕柱的侧表面的沟道层、围绕沟道层的侧表面的电荷隧穿层、围绕电荷隧穿层的侧表面并包括非晶氮氧化物的电荷捕获层、围绕电荷捕获层的侧表面的电荷阻挡层以及围绕电荷阻挡层的侧表面并沿电荷阻挡层的侧表面交替布置的多个分离层和多个栅电极。

公开(公告)号：CN118251013A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202310897367.7

申请日：2023-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金庆勳 ,  金宣浩 ,  金世润 ,  金贤庆 ,  杨承烈 ,  延国贤 ,  李珉贤 ,  崔硕训 ,  许浩硕

IPC: H10B43/35

Abstract: 提供了垂直NAND闪存装置。所述垂直NAND闪存装置可包括：多个单元阵列。所述多个单元阵列中的每个可包括：沟道层；电荷捕获层，在沟道层上；以及多个栅电极，在电荷捕获层上。电荷捕获层可包括包含金属的氮氧化硅。金属可包括Ga和In中的至少一者。

公开(公告)号：CN109324474B

公开(公告)日：2024-05-31

申请号：CN201810722896.2

申请日：2018-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  申铉振 ,  郑盛骏 ,  朴晟准

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/00

Abstract: 公开配置成保护光掩模的表膜、包括该表膜的掩模版、和制造该表膜的方法。所述表膜配置成保护光掩模免受外部污染物并且可包括金属催化剂层和在所述金属催化剂层上的包括2D材料的表膜膜片，其中所述金属催化剂层支撑所述表膜膜片的边缘区域且不支撑所述表膜膜片的中央区域。所述金属催化剂层可在基底上，使得所述基底和所述金属催化剂层共同支撑所述表膜膜片的边缘区域且不支撑所述表膜膜片的中央区域。所述表膜可基于如下形成：在所述金属催化剂层生长所述2D材料和蚀刻支撑所形成的表膜膜片的中央区域的所述金属催化剂层的内部区域。

公开(公告)号：CN108572512B

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN201711188432.X

申请日：2017-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申铉振 ,  宋伣在 ,  李珉贤 ,  赵连柱

IPC: G03F1/62 ,  G03F7/00

Abstract: 提供用于光掩模的表膜、包括其的掩模版、和用于光刻的曝光设备。所述表膜可包括表膜膜片和钝化部件。所述表膜膜片可包括具有缺陷的基于碳的材料。所述钝化部件可覆盖所述基于碳的材料的缺陷。所述钝化部件可包括无机材料。所述钝化部件可设置在所述表膜膜片的一个或两个表面上。所述用于光掩模的表膜可应用于极紫外(EUV)光刻。

公开(公告)号：CN113224127A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202011535068.1

申请日：2020-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李珉贤 ,  薛珉洙 ,  申铉振

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开提供了一种包括至少一个二维(2D)沟道的晶体管和电子设备。根据一些示例实施方式的晶体管包括彼此分开的第一至第三电极以及与第一电极和第二电极接触、平行于第三电极并且包括至少一个2D沟道的沟道层。所述至少一个2D沟道包括具有不同掺杂浓度的至少两个区域。根据一些示例实施方式的晶体管包括：彼此分开的第一至第三电极；与第一电极和第二电极接触并平行于第三电极的2D沟道层；第一掺杂层，设置在与第一电极对应的二维沟道层下方；以及第二掺杂层，设置在与第二电极对应的2D沟道层下方，其中第一掺杂层和第二掺杂层与2D沟道层接触。