公开(公告)号：CN117202665A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310581555.9

申请日：2023-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李洙龙

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/50 ,  H10B43/35 ,  H10B43/10

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一结构，包括衬底、衬底上的电路元件和电路元件上的下互连部；以及第二结构，在第一结构上，该第二结构包括：源极结构，具有第一区和第二区；栅电极，设置在源极结构上并彼此间隔开，在与衬底的上表面平行的第一方向上延伸，并且包括在第二区上形成阶梯结构的焊盘区；分离图案，穿过栅电极，并在第一方向上延伸；第一竖直结构，在第一区上设置在分离图案之间，并延伸穿过栅电极；以及第二竖直结构，在第二区上设置在分离图案之间，并延伸穿过栅电极的焊盘区，第二竖直结构和第一竖直结构具有共同的格子布置。

公开(公告)号：CN116894811A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310338382.8

申请日：2023-03-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李智庸 ,  李洙龙 ,  许洋宇

IPC: G06T7/00 ,  G06N20/00 ,  G06V10/40 ,  G06V10/764 ,  G06N5/04 ,  G06Q10/04

Abstract: 提供了一种工艺邻近校正方法和用于其的计算装置。所述工艺邻近校正方法包括：接收包括第一区域至第m区域的第一布局，其中，所述第一区域至所述第m区域分别包括第一图案至第m图案；以及通过基于所述第一图案至所述第m图案的第一特征至第n特征执行基于机器学习的工艺邻近校正来生成第二布局。在这里，m是等于或大于3的自然数，并且n是大于或等于2的自然数。

公开(公告)号：CN113838861A

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN202110690187.2

申请日：2021-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李洙龙 ,  文瑞琳 ,  姜奉秀 ,  朴庆宰 ,  柳铁

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/11568 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582

Abstract: 一种半导体器件包括：外围电路区域，包括第一基板和在第一基板上的电路器件；存储单元区域，包括在第一基板上的第二基板、在第二基板上的水平导电层、在垂直于第二基板的上表面的第一方向上堆叠在水平导电层上并彼此间隔开的栅电极、以及在第一方向上在栅电极中延伸的沟道结构，每个沟道结构包括与水平导电层物理接触的沟道层；以及贯通布线区域，包括在第一方向上延伸并将存储单元区域电连接到外围电路区域的贯通接触插塞、邻接贯通接触插塞的绝缘区域、以及在第一方向上部分地延伸到绝缘区域中的虚设沟道结构。

公开(公告)号：CN113534599A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110423235.1

申请日：2021-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李洙龙 ,  文瑞琳 ,  朴庆宰 ,  李受龙 ,  郑刚珉

IPC: G03F1/36

Abstract: 本公开提供了光学邻近校正方法和制造掩模的方法。该光学邻近校正方法包括：从图案掩模提取第一图案；对第一图案的至少一部分执行光刻，以形成第一第一图案；在形成第一图案的位置处形成第一第一图案；以及在其上形成有第一第一图案的图案掩模上执行校正。