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公开(公告)号：CN105702285A
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201510925446.X
申请日：2015-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0026 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/2255 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C13/0069
Abstract: 提供了一种电阻式存储器装置和一种列解码器，所述电阻式存储器装置包括：列解码器，具有第一开关单元和第二开关单元，第一开关单元包括与多条信号线中的每条对应地布置的至少一个开关对，第二开关单元包括与第一开关单元的所述至少一个开关对对应地布置的一个开关对。第一开关单元的第一开关对包括相同类型的第一开关和第二开关，第二开关单元的第二开关对包括连接到第一开关对的第三开关和第四开关。选择电压通过经由第一开关被提供到第一信号线，抑制电压通过选择性地经由第一开关或第二开关被提供至第一信号线。
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公开(公告)号：CN103871466A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310675018.7
申请日：2013-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0002 , G11C7/00 , G11C7/1096 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0092 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 本发明提供了一种非易失性存储器的驱动方法。所述驱动方法包括：将基于先前的写操作而调整的起始脉冲提供给电阻存储器单元，以写入数据；使用所述起始脉冲验证数据是否被准确地被写入；以及根据验证结果，通过增量单向写入方法或者减量单向写入方法来执行对于电阻存储器单元的写操作。还提供了相关的非易失性存储器。
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公开(公告)号：CN101419835A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810179901.6
申请日：2008-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3418
Abstract: 提供一种包含多个垂直堆叠层的闪速存储器设备。这些层的每层包括多个存储器单元。行解码器电耦合到所述多个层并被配置成向所述多个层提供字线电压。在所述多个层的至少两层中提供的存储器单元属于相同存储器块并且与所述多个层的至少两层的存储器单元相关联的字线电耦合。
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公开(公告)号：CN101221813A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710306135.0
申请日：2007-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/26
CPC classification number: G11C16/349 , G11C16/3495
Abstract: 在包括闪存设备和控制闪存设备的存储控制器的存储系统中设置读取电压的方法，包括顺序改变分布读取电压以从闪存设备读取页数据；构成具有数据位号和分布读取电压的分布表，该数据位号指示分别从闪存设备读取的页数据中的擦除状态，分布读取电压对应于读取页数据；根据分布表检测对应于数据位号的分布读取电压，每个数据位号表示存储单元的可能的单元状态的最大点；并根据检测的分布读取电压定义新的读取电压。
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公开(公告)号：CN101174457A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710199906.0
申请日：2007-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/0408 , G11C11/5621 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C2211/5641 , G11C2211/5642
Abstract: 一种包括多个存储块的闪存器件。在多个存储块中的被选存储块包括2n页数据。该被选存储块包括能够存储不同数目的位的不同类型存储单元。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101026004A
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN200710005206.3
申请日：2007-02-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/401 , G11C11/408 , G11C11/4094
CPC classification number: G11C7/14 , G11C7/18 , G11C11/404 , G11C11/4097 , G11C11/4099 , G11C2211/4016
Abstract: 一种含无电容器的存储单元的半导体存储器件包含：存储单元阵列块，其中包括连接在第一位线与第一字线之间的第一存储单元和连接在第二位线与第二字线之间的第二存储单元；以及基准存储单元阵列块，其中包括连接在与第一位线相连的第一基准位线和第一基准字线之间的第一基准存储单元，以及连接在与第二位线相连的第二基准位线和第二基准字线之间的第二基准存储单元。当选择第一字线时，选择第二基准存储单元，而当选择第二字线时，选择第一基准存储单元。因而，每条位线都包含基准存储单元，并从基准存储单元中输出基准信号，以使数据在读操作期间被精确地读出。
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公开(公告)号：CN105304114B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201510451618.4
申请日：2015-07-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种操作存储系统的方法和一种存储装置，所述存储系统包括在存储单元阵列中共同连接到第一信号线的存储单元，所述方法包括下述步骤：根据单元区域来划分存储单元；以及利用从多个读取参考中选择的并且分别与每个单元区域对应的读取参考来对设置在每个单元区域中的存储单元独立地执行读取操作。
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公开(公告)号：CN105702285B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201510925446.X
申请日：2015-12-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0026 , G11C11/1655 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/2255 , G11C13/0028 , G11C13/004 , G11C13/0069
Abstract: 提供了一种电阻式存储器装置和一种列解码器，所述电阻式存储器装置包括：列解码器，具有第一开关单元和第二开关单元，第一开关单元包括与多条信号线中的每条对应地布置的至少一个开关对，第二开关单元包括与第一开关单元的所述至少一个开关对对应地布置的一个开关对。第一开关单元的第一开关对包括相同类型的第一开关和第二开关，第二开关单元的第二开关对包括连接到第一开关对的第三开关和第四开关。选择电压通过经由第一开关被提供到第一信号线，抑制电压通过选择性地经由第一开关或第二开关被提供至第一信号线。
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