纳米图案化方法及制造母板和离散轨道磁记录介质的方法

    公开(公告)号:CN101403854A

    公开(公告)日:2009-04-08

    申请号:CN200810145253.2

    申请日:2008-08-04

    CPC classification number: G03F7/2014 G03F1/50 G03F7/70375

    Abstract: 本发明提供了一种纳米图案化的方法和一种制造纳米压印母板和离散轨道磁记录介质的方法。该纳米图案化的方法包括以下步骤:(a)在基底上顺序地形成蚀刻目标材料层、光致抗蚀剂层和被图案化成第一图案的金属层,第一图案具有线图案以预定的间隔被重复布置的结构;(b)将光照射到金属层的表面上,以激发表面等离子体激元,使得光致抗蚀剂层通过表面等离子体激元被曝光成第二图案;(c)去除金属层并对光致抗蚀剂层进行显影;(d)利用被图案化成第二图案的光致抗蚀剂层作为掩模对蚀刻目标材料层进行蚀刻。

    平面透镜及其形成方法
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1294439C

    公开(公告)日:2007-01-10

    申请号:CN03122571.3

    申请日:2003-04-21

    CPC classification number: G02B3/08 G02B5/1814

    Abstract: 本发明提供一种平面透镜,其能够补偿色差,易于形成并使得能够易于组装光学检拾器,以及一种形成平面透镜的方法。平面透镜包括一透明基底,在透明基底的一个表面上带有一透镜型腔,以及形成在透镜型腔之中的一透镜元件,带有一第一折射表面,接触于透镜型腔的底部,以及一第二衍射表面,具有一对置于第一折射表面的衍射光栅。

    显微透镜阵列的制造方法
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1517723A

    公开(公告)日:2004-08-04

    申请号:CN03143839.3

    申请日:2003-05-25

    CPC classification number: G02B3/0018 G02B3/0068 G03F7/0005 G03F7/0035 G03F7/40

    Abstract: 本发明提供一种显微透镜阵列的制造方法。该方法包括使用光刻工艺在衬底的一面形成一圆柱形光刻胶掩模;应用回流工艺熔化光刻胶掩模,使其具有与显微透镜相对应的轮廓;使用等离子刻蚀将光刻胶掩模的轮廓传递到衬底上,在衬底上形成显微透镜;在显微透镜的表面上形成一光刻胶,其具有用来改进显微透镜的曲面的表面轮廓;以及通过等离子刻蚀方法刻蚀光刻胶,将光刻胶的弯曲轮廓传递到显微透镜的表面。通过这样的方法,可制造具有精确曲面、高数值孔径(NA)和低像差的高性能显微透镜。

    复合消色差光学透镜及其制造方法

    公开(公告)号:CN1514266A

    公开(公告)日:2004-07-21

    申请号:CN03148927.3

    申请日:2003-06-24

    CPC classification number: G02B5/1814 Y10S359/90

    Abstract: 本发明涉及一种具有高数值孔径、色差得以消除的复合消色差光学透镜及其制造方法。该复合消色差光学透镜包括:低折射率的第一光学组件和高折射率的第二光学组件。第二光学组件形成在第一光学组件凹陷部分并具有衍射表面,上述衍射表面是第二光学组件与第一光学组件的接触表面并有多个形成在折射表面上的纹槽。制造此复合消色差光学透镜的方法包括:在表面形状与折射表面形状相同的模具中形成具有多个纹槽的衍射表面;用上述模具在低折射率的第一光学组件上形成具有衍射表面的凹陷区;在凹陷区涂覆高折射率材料,研磨上述材料表面,并形成高折射率的第二光学组件。

    纳米图案化方法及制造母板和离散轨道磁记录介质的方法

    公开(公告)号:CN102759854A

    公开(公告)日:2012-10-31

    申请号:CN201210192882.7

    申请日:2008-08-04

    CPC classification number: G03F7/2014 G03F1/50 G03F7/70375

    Abstract: 本发明提供了一种纳米图案化的方法和一种制造纳米压印母板和离散轨道磁记录介质的方法。该纳米图案化的方法包括以下步骤:(a)在基底上顺序地形成蚀刻目标材料层、光致抗蚀剂层和被图案化成第一图案的金属层,第一图案具有图案以预定间隔被重复布置的结构;(b)将光照射到金属层的表面上,以激发表面等离子体激元,使得表面等离子体激元传递的光能的分布使光致抗蚀剂层的位于金属层的图案之间的中部以及光致抗蚀剂层的位于金属层的图案的中部下方的部分被曝光,以使光致抗蚀剂层被曝光成第二图案;(c)去除被图案化的金属层并对光致抗蚀剂层进行显影;(d)利用被图案化成第二图案的光致抗蚀剂层作为掩模对蚀刻目标材料层进行蚀刻。

    纳米图案化方法及制造母板和离散轨道磁记录介质的方法

    公开(公告)号:CN101403854B

    公开(公告)日:2012-08-08

    申请号:CN200810145253.2

    申请日:2008-08-04

    CPC classification number: G03F7/2014 G03F1/50 G03F7/70375

    Abstract: 本发明提供了一种纳米图案化的方法和一种制造纳米压印母板和离散轨道磁记录介质的方法。该纳米图案化的方法包括以下步骤:(a)在基底上顺序地形成蚀刻目标材料层、光致抗蚀剂层和被图案化成第一图案的金属层,第一图案具有线图案以预定的间隔被重复布置的结构;(b)将光照射到金属层的表面上,以激发表面等离子体激元,使得光致抗蚀剂层通过表面等离子体激元被曝光成第二图案;(c)去除金属层并对光致抗蚀剂层进行显影;(d)利用被图案化成第二图案的光致抗蚀剂层作为掩模对蚀刻目标材料层进行蚀刻。

    热辅助磁记录头及其制造方法

    公开(公告)号:CN101000770A

    公开(公告)日:2007-07-18

    申请号:CN200610121658.3

    申请日:2006-08-28

    Inventor: 孙镇升 李明馥

    CPC classification number: G11B5/314 G11B5/02 G11B2005/0005 G11B2005/0021

    Abstract: 本发明提供一种HAMR头及其制造方法。该HAMR头安装在具有面对记录介质的ABS的滑块上,且辐照光到该记录介质的局部区域上从而提高记录密度。该HAMR头包括衬底、记录单元、波导和NFE极。所述衬底附着在所述滑块的一侧上,所述记录单元位于所述衬底上且具有阶梯式末端从而将磁通聚集在所述记录单元的面对所述ABS的该末端。所述波导位于通过所述记录单元的该阶梯式末端形成的空间中,所述NFE极与所述记录单元接近地定位且具有与所述ABS在相同平面的末端从而利用经过所述波导传输的光产生将辐照到所述记录介质上的近场光。

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