公开(公告)号：CN100552971C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200510107518.6

申请日：2005-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成泳 ,  申东石

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78687

Abstract: 提供场效应晶体管(FET)和制造FET的方法，该FET包括半导体衬底上的结构侧壁上的沟道层，以及至少具有在从半导体衬底延伸的结构侧壁的方向上应变的部分沟道层。该晶体管可以是FinFET，半导体衬底上的结构包括鳍形结构，以及侧壁可以是鳍形结构的侧壁。沟道层可以是Si外延层和可以在包括SiGe和Si的交替层的内鳍形结构上。沟道层可以包括应变的和不应变的部分。应变的和不应变的部分可以是沟道层的侧壁。

公开(公告)号：CN101118909A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200710104475.5

申请日：2007-04-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹恩贞 ,  李成泳 ,  吕京奂 ,  金旻相 ,  金成玟

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/7926

Abstract: 本发明提供了一种存储器件，该存储器件包括：第一有源区，在基底上；第一源/漏区和第二源/漏区，在基底上，第一源/漏区毗邻所述第一有源区的对应的第一侧壁，第二源/漏区毗邻所述第一有源区的对应的第二侧壁。第一栅结构设置在第一源/漏区和第二源/漏区之间的第一有源区上。第二有源区设置在位于第一源/漏区和第二源/漏区之间并毗邻第一源/漏区和第二源/漏区的第一栅结构上。第二栅结构设置在位于所述第一栅结构上面的第二有源区上。

公开(公告)号：CN1542965A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410038585.2

申请日：2004-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成泳 ,  金成玟 ,  朴东健 ,  吕京奂

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/772 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/33 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66651 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76289 ,  H01L21/764 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/802

Abstract: 一种集成电路器件包括衬底。外延图形在衬底上，且其中形成有一对杂质扩散区和布置在一对杂质扩散区和衬底之间的一对空隙区。一对杂质扩散区的各个至少部分地重叠一对空隙区的各个。栅电极在一对杂质扩散区的各个之间的外延图形上。

公开(公告)号：CN101132005A

公开(公告)日：2008-02-27

申请号：CN200710092021.0

申请日：2007-04-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成泳 ,  金洞院 ,  朴东健 ,  尹恩贞

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: G11C11/50 ,  G11C11/56 ,  G11C16/0475 ,  G11C23/00 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在存储器件及其形成方法中，在一个实施例中，存储器件包括：衬底；以及衬底上沿第一方向延伸的位线。将第一字线结构设置在位线上并且与位线间隔且绝缘，第一字线结构沿横穿第一方向的第二方向延伸。电极与位线相连，在第一字线结构之上延伸并且与第一字线结构间隔第一间隙。第二字线结构在电极之上并且与电极间隔第二间隙，第二字线结构沿第二方向延伸。电极在第一字线结构和第二字线结构之间是悬臂形式的，使得电极偏转以通过第一间隙与在第一弯曲位置第一字线结构的顶部电连接，以及偏转以通过第二间隙在第二弯曲位置与第二字线结构的底部电连接，并且电极在止动位置与第一字线结构和第二字线结构相隔离。

公开(公告)号：CN101123244A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710097092.X

申请日：2007-04-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成泳 ,  金洞院 ,  朴贤雨 ,  尹恩贞

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 在存储器件和形成其的方法中，在一个实施例中，存储器件包括衬底上的第一字线结构，该第一字线结构在第一方向上延伸。位线设置在第一字线结构上并且与第一字线分开第一间隔，该位线在横断于第一方向的第二方向上延伸。第二字线结构设置在位线之上并且与位线分开第二间隔，该第二字线结构在第一方向上延伸。位线在第一字线结构和第二字线结构之间浮置，使得位线偏转以在第一弯折位置上通过第一间隔与第一字线结构的顶部电耦合，并且位线偏转以在第二弯折位置上通过第二间隔与第二字线结构的底部电耦合，并且在重置位置上该位线与第一字线结构和第二字线结构相隔离。

公开(公告)号：CN1581509A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410055895.5

申请日：2004-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金洞院 ,  尹恩贞 ,  朴东健 ,  李成泳 ,  崔晶东 ,  李信爱 ,  赵慧珍

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

Abstract: 提供金属氧化物半导体(MOS)晶体管的基本单元，该基本单元包括集成电路衬底和集成电路衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管具有源区、漏区和栅极区，栅极区在源区和漏区之间。在源区和漏区之间提供第一和第二沟道区。通过由沟槽区分开的集成电路衬底中的第一和第二间隔突起限定沟道区。第一和第二突起远离集成电路衬底延伸，第一和第二突起的上表面基本上与源区和漏区的上表面齐平。在第一和第二间隔突起的侧壁上和在第一和第二间隔突起的至少部分表面上延伸的沟槽区中提供栅电极。

公开(公告)号：CN1518127A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410001940.9

申请日：2004-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  吴昌佑 ,  朴东健 ,  李成泳 ,  赵慧珍 ,  尹恩贞 ,  李信爱 ,  崔晶东

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66651 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/0653

Abstract: 提供一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管的单元，包括集成电路衬底以及集成电路衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管具有源区、漏区以及栅极。栅极位于源区和漏区之间。在源区和漏区下面以及源区和集成电路衬底与漏区和集成电路衬底的每一个之间提供第一和第二隔开的缓冲区。