公开(公告)号：CN108288625A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201711443369.X

申请日：2017-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李载昊 ,  申铉振 ,  李东郁 ,  朴晟准 ,  李基荣 ,  李殷奎 ,  赵常玹 ,  许镇盛

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0352

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L27/1443 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/156 ,  H01L27/307 ,  H01L29/122 ,  H01L31/028 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/09 ,  H01L31/101 ,  H01L51/0045 ,  H01L51/0579 ,  Y02E10/547 ,  H01L27/14601 ,  H01L27/14665

Abstract: 提供包括石墨烯量子点的光学传感器和图像传感器。所述光学传感器可包括石墨烯量子点层，所述石墨烯量子点层包括与第一官能团结合的多个第一石墨烯量子点且可进一步包括与不同于所述第一官能团的第二官能团结合的多个第二石墨烯量子点。可基于与相应的石墨烯量子点结合的官能团的类型和/或所述石墨烯量子点的尺寸调节所述光学传感器的吸收波长带。

公开(公告)号：CN106169511A

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201610157055.2

申请日：2016-03-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李基荣 ,  李相烨 ,  李殷奎 ,  李载昊 ,  朴晟准

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/101

Abstract: 示例实施方式涉及包括二维(2D)材料的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种半导体器件可以是包括至少一种掺杂的2D材料的光电器件。光电器件可以包括：第一电极；第二电极；以及在第一电极和第二电极之间的半导体层。第一电极和第二电极中的至少一个可以包括掺杂的石墨烯。半导体层可以具有大于或等于大约0.1eV的内建电势，或者大于或等于大约0.3eV的内建电势。第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂的石墨烯，另一个可以包括n掺杂的石墨烯。备选地，第一电极和第二电极中的其中之一可以包括p掺杂或n掺杂的石墨烯，另一个可以包括金属性材料。

公开(公告)号：CN105280813A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510423238.X

申请日：2015-07-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  李基荣 ,  朴晟准

IPC: H01L45/00 ,  H01L41/08

CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696 ,  H01L31/028 ,  H01L31/113 ,  H01L33/04 ,  H01L33/26 ,  H01L33/34 ,  H01L45/04 ,  Y02E10/547

Abstract: 示例实施方式涉及石墨烯器件及其制造和操作方法以及包括该石墨烯器件的电子装置。石墨烯器件是多功能的器件。石墨烯器件可以包括石墨烯层和功能材料层。石墨烯器件可以在开关器件/电子器件的结构内具有存储器器件、压电器件和光电器件中的至少一种的功能。功能材料层可以包括电阻变化材料、相变材料、铁电材料、多铁性材料、多稳态分子、压电材料、发光材料和光敏材料中的至少一种。