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公开(公告)号：CN107104122A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710090799.1
申请日：2017-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1253 , H01L45/126 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , H01L21/82
Abstract: 本公开提供了存储器件。一种存储器件包括：多条第一导电线，彼此间隔开并在第一方向上延伸；多条第二导电线，彼此间隔开并在不同于第一方向的第二方向上延伸；第一存储单元，具有包括选择器件层、中间电极层、可变电阻层和顶电极层的结构；以及绝缘结构，在第二方向上与第一存储单元交替地布置在第二导电线下面，其中该绝缘结构具有比顶电极层的顶表面高的顶表面，第二导电线具有包括凸起部分和凹入部分的结构，该凸起部分连接到顶电极层的顶表面并且该凹入部分在凸起部分之间容纳该绝缘结构。
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公开(公告)号：CN110858621B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910722355.4
申请日：2019-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括衬底。第一导电线设置在衬底上并主要沿第一方向延伸。第二导电线设置在衬底上并主要沿第二方向延伸。第二方向交叉第一方向。相变图案设置在第一导电线和第二导电线之间。底部电极设置在相变图案和第一导电线之间。底部电极包括将第一导电线和相变图案彼此连接的第一侧壁区段。相变图案在第一方向上具有朝向衬底减小的宽度。第一侧壁区段具有彼此面对的第一侧表面和第二侧表面。相变图案的最下部设置在第一侧表面和第二侧表面之间。
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公开(公告)号：CN109698272B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201811220272.7
申请日：2018-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法。该器件包括：第一导电线，在第一方向上延伸；第二导电线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；存储器单元，处于所述第一导电线与所述第二导电线之间的交叉点处；第一电极，处于所述第一导电线与所述存储器单元之间；以及第二电极，处于所述第二导电线与所述存储器单元之间。所述存储器单元包括在所述第一导电线与所述第二导电线之间串联连接的切换图案、中间电极、第一电阻率控制图案和可变电阻图案。所述第一电阻率控制图案的电阻率小于所述第二电极的电阻率。
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公开(公告)号：CN109256406B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201810768492.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了各种可变电阻存储器装置和制造可变电阻存储器装置的方法。可变电阻存储器装置可以包括：衬底，其包括单元区域和外围区域；第一导电线，其位于衬底上；第二导电线，其穿过第一导电线；可变电阻结构，其位于第一导电线和第二导电线的交叉点处；以及底电极，其位于第一导电线和可变电阻结构之间。单元区域可以包括与外围区域接触的边界区域，并且第一导电线之一与可变电阻结构中的位于边界区域且与所述第一导电线之一重叠的一个可变电阻结构电绝缘。
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公开(公告)号：CN113782670A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110304592.6
申请日：2021-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 公开了一种三维半导体存储器件，可以包括：沿第一方向延伸的第一导线；沿与第一方向交叉的第二方向延伸的第二导线；在第一导线和第二导线的交叉点处的单元堆叠；以及覆盖单元堆叠的侧表面的间隙填充绝缘图案。单元堆叠可以包括：顺序地堆叠的第一电极、第二电极和第三电极；第一电极与第二电极之间的开关图案；以及第二电极与第三电极之间的可变电阻图案。间隙填充绝缘图案的顶表面可以位于第三电极的顶表面与底表面之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109256406A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810768492.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1675 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C2213/31 , G11C2213/76 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1683 , H01L45/1691 , H01L45/1253
Abstract: 提供了各种可变电阻存储器装置和制造可变电阻存储器装置的方法。可变电阻存储器装置可以包括：衬底，其包括单元区域和外围区域；第一导电线，其位于衬底上；第二导电线，其穿过第一导电线；可变电阻结构，其位于第一导电线和第二导电线的交叉点处；以及底电极，其位于第一导电线和可变电阻结构之间。单元区域可以包括与外围区域接触的边界区域，并且第一导电线之一与可变电阻结构中的位于边界区域且与所述第一导电线之一重叠的一个可变电阻结构电绝缘。
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公开(公告)号：CN111490062B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202010040953.6
申请日：2020-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思涉及一种包括数据存储图案的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一导线，在基板上且沿第一方向延伸；第二导线，在第一导线上且沿第二方向延伸；数据存储结构，在第一导线和第二导线之间，其中每个数据存储结构包括下数据存储电极、数据存储图案和上数据存储电极，其中下数据存储电极的上部的宽度小于下数据存储电极的下部的宽度，数据存储图案的上部的宽度大于数据存储图案的下部的宽度，下数据存储电极的上部的宽度不同于数据存储图案的下部的宽度。
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公开(公告)号：CN107104122B
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN201710090799.1
申请日：2017-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了存储器件。一种存储器件包括：多条第一导电线，彼此间隔开并在第一方向上延伸；多条第二导电线，彼此间隔开并在不同于第一方向的第二方向上延伸；第一存储单元，具有包括选择器件层、中间电极层、可变电阻层和顶电极层的结构；以及绝缘结构，在第二方向上与第一存储单元交替地布置在第二导电线下面，其中该绝缘结构具有比顶电极层的顶表面高的顶表面，第二导电线具有包括凸起部分和凹入部分的结构，该凸起部分连接到顶电极层的顶表面并且该凹入部分在凸起部分之间容纳该绝缘结构。
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公开(公告)号：CN110858621A
公开(公告)日：2020-03-03
申请号：CN201910722355.4
申请日：2019-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括衬底。第一导电线设置在衬底上并主要沿第一方向延伸。第二导电线设置在衬底上并主要沿第二方向延伸。第二方向交叉第一方向。相变图案设置在第一导电线和第二导电线之间。底部电极设置在相变图案和第一导电线之间。底部电极包括将第一导电线和相变图案彼此连接的第一侧壁区段。相变图案在第一方向上具有朝向衬底减小的宽度。第一侧壁区段具有彼此面对的第一侧表面和第二侧表面。相变图案的最下部设置在第一侧表面和第二侧表面之间。
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公开(公告)号：CN109698272A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811220272.7
申请日：2018-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 公开了一种可变电阻存储器件及其制造方法。该器件包括：第一导电线，在第一方向上延伸；第二导电线，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；存储器单元，处于所述第一导电线与所述第二导电线之间的交叉点处；第一电极，处于所述第一导电线与所述存储器单元之间；以及第二电极，处于所述第二导电线与所述存储器单元之间。所述存储器单元包括在所述第一导电线与所述第二导电线之间串联连接的切换图案、中间电极、第一电阻率控制图案和可变电阻图案。所述第一电阻率控制图案的电阻率小于所述第二电极的电阻率。
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