公开(公告)号：CN117936542A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311387336.3

申请日：2023-10-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴判济 ,  金珍泰 ,  朴孝恩 ,  徐康一

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种包括至少一个半导体器件单元的单元架构。该单元包括：在第一方向上延伸的第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案在与第一方向相交的第三方向上与第二有源图案至少部分重叠；多个栅极结构，其在第二方向上延伸跨过第一有源图案和第二有源图案，第二方向与第一方向和第三方向相交；单元的至少一个金属层中的多条金属线，金属线在第一方向上延伸，并且金属线中的至少一条连接到第一有源图案和第二有源图案中的至少一个以及栅极结构；以及至少一个电源轨，其将第一有源图案和第二有源图案中的至少一个连接到至少一个电压源。

公开(公告)号：CN117012748A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310469137.0

申请日：2023-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜秉柱 ,  朴判济 ,  权智旭 ,  朴哲弘 ,  梁在锡

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/50 ,  H01L27/088

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括彼此背对的第一侧和第二侧；电源抽头单元，在基底的第一侧上，位于第一行、与第一行邻近的第二行以及与第二行邻近的第三行中；第一电源轨和第二电源轨，在电源抽头单元上，沿第一方向延伸并且沿第二方向彼此间隔开；以及电力输送网络，在基底的第二侧上。电源抽头单元包括：第一电源贯穿过孔，穿透基底并且从电力输送网络延伸到第一电源轨；以及第二电源贯穿过孔，穿透基底并且从电力输送网络延伸到第二电源轨。

公开(公告)号：CN113035859A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202010925763.2

申请日：2020-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泰炯 ,  朴判济 ,  梁在锡

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体器件包括：具有第一有源区域的衬底；沿第一方向延伸并在第二方向上彼此间隔开的第一有源图案和第二有源图案，并且每一个有源图案具有顺序堆叠的源极图案、沟道图案和漏极图案；第一栅电极和第二栅电极，围绕第一有源图案和第二有源图案的沟道图案并沿第一方向延伸；层间介电层，覆盖第一有源图案和第二有源图案以及第一栅电极和第二栅电极；第一有源接触部，穿透层间介电层并与第一有源图案和第二有源图案之间的第一有源区域耦合；以及第一电力轨，在层间介电层上并电连接到第一有源接触部，第一有源图案和第二有源图案中的每一个包括与第一电力轨竖直地重叠的重叠区域。

公开(公告)号：CN109686737A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811215341.5

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴判济 ,  梁在锡 ,  金煐勳 ,  李海王 ,  千宽永

IPC: H01L27/092

Abstract: 本公开提供一种半导体装置。所述半导体装置包括衬底、第一栅极结构、第一接触塞及电源轨。衬底包括在第一方向上延伸的第一单元区及第二单元区以及连接到第一单元区及第二单元区的在第二方向上相对的两端中的每一端的电源轨区。第一栅极结构在第二方向上从第一单元区与第二单元区之间的边界区域延伸到电源轨区。第一接触塞形成在电源轨区上且接触第一栅极结构的上表面。电源轨在电源轨区上在第一方向上延伸且电连接到第一接触塞。电源轨通过第一接触塞对第一栅极结构供应关断信号以将第一单元区与第二单元区电绝缘。本公开的半导体装置的相邻的单元区即使在具有高集成度的条件下，也可彼此有效地绝缘。

公开(公告)号：CN120021372A

公开(公告)日：2025-05-20

申请号：CN202411574210.1

申请日：2024-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍泰 ,  辛晓宗 ,  朴判济 ,  徐康一

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种基于单元块的半导体器件，其可以包括：第一单元，包括第一下部有源区和在第三方向上位于第一下部有源区上方的第一上部有源区，二者均在第一方向上延伸；第二单元，包括第二下部有源区和在第三方向上位于第二下部有源区上方的第二上部有源区，二者均在第一方向上延伸；以及在第二方向上在第一单元和第二单元之间的单元间隔物，其中在单元间隔物中未形成有源区。

公开(公告)号：CN119997599A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411601553.2

申请日：2024-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴判济 ,  金珍泰 ,  辛晓宗

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/03

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：第一沟道结构；在第一方向上通过第一沟道结构连接的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域；在第一沟道结构上的第一栅极结构；第一接触结构，在第一源极/漏极区域上并且将第一源极/漏极区域连接到电压源；以及第二接触结构，在第二源极/漏极区域上并且将第二源极/漏极区域连接到不同于电压源的另一电路元件，其中第一接触结构与第一源极/漏极区域之间的第一接触面积大于第二接触结构与第二源极/漏极区域之间的第二接触面积。

公开(公告)号：CN119894089A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202411449075.8

申请日：2024-10-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍泰 ,  朴判济 ,  徐康一

IPC: H10D84/85 ,  H01L23/50

Abstract: 提供了CMOS器件。CMOS器件包括PMOS晶体管和NMOS晶体管。此外，CMOS器件包括双电力轨，所述双电力轨具有前侧电力轨和后侧电力轨，前侧电力轨和后侧电力轨两者都耦合到PMOS晶体管或NMOS晶体管中的一者。PMOS晶体管和NMOS晶体管在垂直晶体管堆叠中，或者并排。

公开(公告)号：CN119730374A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411341534.0

申请日：2024-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍泰 ,  朴判济 ,  徐康一

IPC: H10D84/85 ,  H10D84/03 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种集成电路器件。集成电路器件包括衬底和具有多个晶体管的单元。晶体管包括具有上部沟道区的上部晶体管。此外，晶体管包括在衬底与上部晶体管之间的下部晶体管。下部晶体管包括下部沟道区。集成电路器件包括电力线，电力线在衬底下方在第一水平方向上纵向延伸，并且限定在第一水平方向上纵向延伸的单元的单元边界。集成电路器件包括单元边界信号金属图案，该单元边界信号金属图案在单元上并且在单元边界上方在第一水平方向上纵向延伸并且连接到多个晶体管中的至少两个晶体管。还提供了形成集成电路器件的相关方法。

公开(公告)号：CN119521763A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411098192.4

申请日：2024-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴判济 ,  金珍泰 ,  徐康一

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/03

Abstract: 本公开提供了集成电路器件及其形成方法。一种集成电路器件包括在基板上的弱化晶体管堆叠，其中弱化晶体管堆叠包括：上晶体管，包括在垂直方向上堆叠的多个上沟道区和接触所述多个上沟道区中的至少一个的上源极/漏极区；下晶体管，在基板和上晶体管之间并包括在垂直方向上堆叠的多个下沟道区和接触所述多个下沟道区中的至少一个的下源极/漏极区；以及源极/漏极隔离层，将上源极/漏极区与下源极/漏极区分隔开，其中源极/漏极隔离层接触所述多个上沟道区中的最下面的一个和/或所述多个下沟道区中的最上面的一个。

公开(公告)号：CN118866851A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410468516.2

申请日：2024-04-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹承灿 ,  洪元赫 ,  朴判济 ,  徐康一

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了集成电路装置及其形成方法。所述集成电路装置可以包括：晶体管，包括基底上的源极/漏极区域；背侧电源轨，与源极/漏极区域间隔开；以及电源接触件，在源极/漏极区域与背侧电源轨之间，并且将源极/漏极区域电连接到背侧电源轨。基底可以在源极/漏极区域与背侧电源轨之间，并且源极/漏极区域的宽度方向上的中心线相对于电源接触件的宽度方向上的中心线成角度。