公开(公告)号：CN109686737B

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN201811215341.5

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴判济 ,  梁在锡 ,  金煐勳 ,  李海王 ,  千宽永

IPC: H01L27/092

Abstract: 本公开提供一种半导体装置。所述半导体装置包括衬底、第一栅极结构、第一接触塞及电源轨。衬底包括在第一方向上延伸的第一单元区及第二单元区以及连接到第一单元区及第二单元区的在第二方向上相对的两端中的每一端的电源轨区。第一栅极结构在第二方向上从第一单元区与第二单元区之间的边界区域延伸到电源轨区。第一接触塞形成在电源轨区上且接触第一栅极结构的上表面。电源轨在电源轨区上在第一方向上延伸且电连接到第一接触塞。电源轨通过第一接触塞对第一栅极结构供应关断信号以将第一单元区与第二单元区电绝缘。本公开的半导体装置的相邻的单元区即使在具有高集成度的条件下，也可彼此有效地绝缘。

公开(公告)号：CN109686737A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811215341.5

申请日：2018-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴判济 ,  梁在锡 ,  金煐勳 ,  李海王 ,  千宽永

IPC: H01L27/092

Abstract: 本公开提供一种半导体装置。所述半导体装置包括衬底、第一栅极结构、第一接触塞及电源轨。衬底包括在第一方向上延伸的第一单元区及第二单元区以及连接到第一单元区及第二单元区的在第二方向上相对的两端中的每一端的电源轨区。第一栅极结构在第二方向上从第一单元区与第二单元区之间的边界区域延伸到电源轨区。第一接触塞形成在电源轨区上且接触第一栅极结构的上表面。电源轨在电源轨区上在第一方向上延伸且电连接到第一接触塞。电源轨通过第一接触塞对第一栅极结构供应关断信号以将第一单元区与第二单元区电绝缘。本公开的半导体装置的相邻的单元区即使在具有高集成度的条件下，也可彼此有效地绝缘。