公开(公告)号：CN120021372A

公开(公告)日：2025-05-20

申请号：CN202411574210.1

申请日：2024-11-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金珍泰 ,  辛晓宗 ,  朴判济 ,  徐康一

IPC: H10B12/00

Abstract: 提供了一种基于单元块的半导体器件，其可以包括：第一单元，包括第一下部有源区和在第三方向上位于第一下部有源区上方的第一上部有源区，二者均在第一方向上延伸；第二单元，包括第二下部有源区和在第三方向上位于第二下部有源区上方的第二上部有源区，二者均在第一方向上延伸；以及在第二方向上在第一单元和第二单元之间的单元间隔物，其中在单元间隔物中未形成有源区。

公开(公告)号：CN119997599A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202411601553.2

申请日：2024-11-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴判济 ,  金珍泰 ,  辛晓宗

IPC: H10D84/83 ,  H10D84/03

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：第一沟道结构；在第一方向上通过第一沟道结构连接的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域；在第一沟道结构上的第一栅极结构；第一接触结构，在第一源极/漏极区域上并且将第一源极/漏极区域连接到电压源；以及第二接触结构，在第二源极/漏极区域上并且将第二源极/漏极区域连接到不同于电压源的另一电路元件，其中第一接触结构与第一源极/漏极区域之间的第一接触面积大于第二接触结构与第二源极/漏极区域之间的第二接触面积。