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公开(公告)号：CN108335711B
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN201711426789.7
申请日：2017-12-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C8/08
Abstract: 一种非易失性存储器件执行包括以下步骤的方法：使得非易失性存储器件的就绪/忙碌信号引脚指示非易失性存储器件处于预充电忙碌状态，其中非易失性存储器件不能够执行对其非易失性存储单元的存储器访问操作；将一个或多个字线预充电电压施加到非易失性存储器件的多条字线中的一条或多条选定的字线以对选定的字线进行预充电；以及在预充电操作的至少一部分之后，使得就绪/忙碌信号引脚从指示预充电忙碌状态转变为指示非易失性存储器件处于就绪状态，其中非易失性存储器件能够执行对其非易失性存储单元的存储器访问操作。
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公开(公告)号：CN109427397A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201810796330.4
申请日：2018-07-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了一种存储器装置、一种存储器系统以及一种操作存储器装置的方法。所述存储器装置可包括操作性地连接至共源极线和多条位线的存储器块，其中存储器块包括相对于共源极线和所述多条位线在存储器块中各自具有对应的位置的第一子块和第二子块。可通过从存储器装置外部接收命令和地址来操作存储器装置，并且基于包括被构造为响应于地址而被激活的字线的第一子块或第二子块的对应的位置，利用经过存储器块的第一预充电路径或者经过存储器块的第二预充电路径，响应于命令对存储器块执行预充电操作。
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公开(公告)号：CN114764313A
公开(公告)日：2022-07-19
申请号：CN202210035693.2
申请日：2022-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储器控制器、存储器装置和存储装置。当从执行读取操作的存储器装置接收的读取数据中的错误无法被纠正时，存储器装置可以从存储器单元的阈值电压分布确定单元计数信息，并且可以基于单元计数信息确定检测情况。存储器控制器可以控制存储器装置使用考虑读取电压的与检测情况对应的偏移电压而确定的发展时间来执行读取操作。当读取数据中的错误被成功地纠正时，存储器控制器可以使用通过将单元计数信息输入到机器学习模型而获得的动态偏移电压来更新存储在存储器控制器中的表。
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公开(公告)号：CN114724607A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111192474.7
申请日：2021-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种操作非易失性存储器设备的方法。该方法包括：将设置在非易失性存储器设备中的多个存储器块中的存储器块划分为多个保留组；生成包括与多个保留组对应的多个擦除编程间隔(EPI)值的时间差信息；生成包括与多个默认读取电压和多个纠正的读取电压之间的差对应的多个偏移值的偏移信息；基于偏移信息和时间差信息生成与读取地址对应的补偿的读取电压；和基于读取地址和补偿的读取电压执行读取操作以从非易失性存储器设备读取数据。
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公开(公告)号：CN114496042A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111085058.7
申请日：2021-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了存储装置的读取方法及非易失性存储器装置。存储装置包括至少一个非易失性存储器装置和被配置为控制所述至少一个非易失性存储器装置的控制器。所述至少一个非易失性存储器装置通过根据命令锁存启用(CLE)信号和地址锁存启用(ALE)信号在写入启用(WE)信号的边沿锁存读取命令来执行片上谷搜索(OVS)操作。响应于特定命令，控制器从所述至少一个非易失性存储器装置接收根据OVS操作的检测信息。OVS操作包括使用读取电平的第一OVS操作和使用改变后的读取电平的第二OVS操作。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114078529A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110760456.8
申请日：2021-07-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
Abstract: 一种用于对多页数据进行编程的非易失性存储器设备的操作方法，该操作方法包括：从存储器控制器接收多页数据；将多页数据当中的第一页数据编程到连接到与选择的字线相邻的字线的第一存储器单元；在对第一页数据进行编程之后，基于第一感测值和第二感测值来读取先前存储在连接到选择的字线的第二存储器单元中的先前页数据；通过将基于第一感测值读取的先前页数据的第一位与基于第二感测值读取的先前页数据的第二位进行比较来计算第一失败位数；并且基于第一失败位数将从第二存储器单元读取的先前页数据和多页数据当中的第二页数据编程到第二存储器单元。
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公开(公告)号：CN109817266A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811345556.9
申请日：2018-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
Abstract: 一种擦除存储设备的方法，所述擦除存储设备的方法包括：在第一擦除时段，对分别连接到多个字线的存储单元执行第一擦除操作，其中，包括在存储块中的存储单元之中的至少一个存储单元没有擦除通过；在第一擦除时段之后，通过向所述多个字线之中的至少一个字线施加验证电压来确定擦除操作速度，并基于确定的擦除操作速度来确定用于每个字线的有效擦除时间；以及在第二擦除时段，基于确定的有效擦除时间，对分别连接到所述多个字线的存储单元执行第二擦除操作。
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公开(公告)号：CN107785048A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710740518.2
申请日：2017-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C7/04 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C16/30
Abstract: 一种非易失性存储器设备，包括：包括存储器单元串的存储器单元阵列，所述存储器单元串包括接地选择晶体管和多个串联连接的非易失性存储器单元；连接到接地选择晶体管的接地选择线和连接到多个存储器单元的多个字线；被配置为生成施加到多个字线的编程验证电压和读取电压的电压生成器；以及被配置为基于编程验证温度偏移来控制对编程验证电压的补偿并且基于读取温度偏移来控制对读取电压的补偿的控制电路。
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公开(公告)号：CN119473947A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411042088.3
申请日：2024-07-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了存储器装置、存储器装置的操作方法、以及存储器系统。该存储器装置包括存储器单元阵列；页缓冲器，其包括对应于页的多个存储器单元的缓冲器单元；控制逻辑，其被配置为控制第一读取操作，使得针对第一页的基于正常读取电平的第一硬判决数据和基于偏移电平的第一软判决数据存储在页缓冲器中。控制逻辑被配置为响应于请求从存储器控制器读取第二页的第一命令而在已经开始针对第二页的第二读取操作之后，执行将第一硬判决数据输出到存储器控制器的控制操作，并且在响应于来自存储器控制器的第二命令而执行第二读操作的同时，将第一软判决数据输出到存储器控制器。
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公开(公告)号：CN119274604A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410191954.9
申请日：2024-02-21
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了操作存储装置的方法和存储装置，存储装置包括存储控制器和非易失性存储器装置。所述方法包括：通过存储控制器向非易失性存储器装置提供指示目标存储器块的字线选择操作的第一请求；通过非易失性存储器装置基于第一请求获得目标存储器块的多条字线的分布信息；通过非易失性存储器装置基于分布信息确定所述多条字线之中的劣化字线；以及通过非易失性存储器装置向存储控制器提供指示劣化字线的字线信息。
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