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公开(公告)号：CN110322916A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910192540.7
申请日：2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备，包括：存储单元阵列；控制逻辑电路；和行译码器。行译码器被配置为基于控制逻辑电路的控制来激活串选择线。在第一编程操作和第二编程操作之间形成编程间隔。控制逻辑电路包括重编程控制器，被配置为控制行译码器，使得在连接到第一字线的存储单元中连接到不同串选择线的存储单元中的编程间隔不同。
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公开(公告)号：CN109817266B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN201811345556.9
申请日：2018-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
Abstract: 一种擦除存储设备的方法，所述擦除存储设备的方法包括：在第一擦除时段，对分别连接到多个字线的存储单元执行第一擦除操作，其中，包括在存储块中的存储单元之中的至少一个存储单元没有擦除通过；在第一擦除时段之后，通过向所述多个字线之中的至少一个字线施加验证电压来确定擦除操作速度，并基于确定的擦除操作速度来确定用于每个字线的有效擦除时间；以及在第二擦除时段，基于确定的有效擦除时间，对分别连接到所述多个字线的存储单元执行第二擦除操作。
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公开(公告)号：CN110322916B
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN201910192540.7
申请日：2019-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备，包括：存储单元阵列；控制逻辑电路；和行译码器。行译码器被配置为基于控制逻辑电路的控制来激活串选择线。在第一编程操作和第二编程操作之间形成编程间隔。控制逻辑电路包括重编程控制器，被配置为控制行译码器，使得在连接到第一字线的存储单元中连接到不同串选择线的存储单元中的编程间隔不同。
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公开(公告)号：CN109817266A
公开(公告)日：2019-05-28
申请号：CN201811345556.9
申请日：2018-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
Abstract: 一种擦除存储设备的方法，所述擦除存储设备的方法包括：在第一擦除时段，对分别连接到多个字线的存储单元执行第一擦除操作，其中，包括在存储块中的存储单元之中的至少一个存储单元没有擦除通过；在第一擦除时段之后，通过向所述多个字线之中的至少一个字线施加验证电压来确定擦除操作速度，并基于确定的擦除操作速度来确定用于每个字线的有效擦除时间；以及在第二擦除时段，基于确定的有效擦除时间，对分别连接到所述多个字线的存储单元执行第二擦除操作。
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