用于磁记录/重放设备的走带机构

    公开(公告)号:CN100390887C

    公开(公告)日:2008-05-28

    申请号:CN03158880.8

    申请日:2003-09-16

    CPC classification number: G11B15/61 G11B15/6656 G11B25/063

    Abstract: 一种用于磁记录/重放设备的走带机构,包括:设有磁头鼓和主导轴电机的主走带装置;安装在主走带装置上将被加载/卸载的副走带装置,副走带装置设有一对带盘板,磁带盒的带盘设置在所述带盘板上;导柱底座加载单元,用于在副走带装置被加载和进行引导时取出磁带和引导磁带与磁头鼓的侧面接触;压带轮单元,用于在加载副走带装置时靠着主导轴电机的轴压磁带;制动单元,用于有选择地制动带盘板中的一个带盘板;安装在主走带装置上能往复滑动的主滑动件,主滑动件控制压带轮单元的驱动;以及安装在主走带装置上能旋转的主凸轮轴齿轮,主凸轮轴齿轮在被旋转驱动的同时使副走带装置、导柱底座加载单元、制动单元以及主滑动件实施联动运动。

    用于磁记录/读取设备的带盘制动组件

    公开(公告)号:CN1497568A

    公开(公告)日:2004-05-19

    申请号:CN200310101016.3

    申请日:2003-10-10

    Abstract: 一种用于磁记录/读取设备的带盘制动组件,包括:副走带机构,被可滑动地设置在主走带机构上,在所述主走带机构上安装有磁头鼓;带盘台,被可旋转地设置在副走带机构上,并且适合于选择性地驱动盒式磁带中的磁带盘;制动单元,被可枢转地设置在副走带机构上,并且适合于选择性地制动带盘台;以及凸轮组件,适合于由驱动马达的驱动力转动,用以使得副走带机构发生移动来加载和卸载该副走带机构。对应于所述凸轮组件在副走带机构被加载和卸载时的运动,所述制动单元与带盘台选择性地接触和分离。

    带式记录器的磁头鼓部件
    14.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1497538A

    公开(公告)日:2004-05-19

    申请号:CN03135974.4

    申请日:2003-09-30

    CPC classification number: G11B5/537 G11B5/105

    Abstract: 一种带式记录器的磁头鼓部件,其中上轴承的内圈和外圈分别压配合在轴和旋转鼓上,从而施加预载荷,并且包括设置在下轴承和固定鼓之间的弹性体,例如压缩螺旋弹簧的预加载装置,其中下轴承设置在旋转鼓和轴之间,弹性体用于向上压下轴承的内圈,从而施加预载荷。因此,增强了带式记录器磁头鼓部件的装配效率并降低了制造成本。

    用于磁带录/放机的磁带盘驱动装置

    公开(公告)号:CN1106010C

    公开(公告)日:2003-04-16

    申请号:CN96107929.0

    申请日:1996-06-04

    Inventor: 崔道永

    CPC classification number: G11B15/444

    Abstract: 本发明提供了一种可选择地驱动两个磁带盘的磁带录/放机上用的磁带盘驱动装置。一中间轮上装有与之共轴的中间摩擦轮及齿轮部分。每一个磁带盘上均有一磁带盘摩擦轮,当其与中间摩擦轮接触时产生旋转。

    磁带记录器的动力传递装置

    公开(公告)号:CN1090942A

    公开(公告)日:1994-08-17

    申请号:CN93121149.2

    申请日:1993-12-11

    CPC classification number: G11B15/6653 G11B15/32 G11B15/442

    Abstract: 一种能容易地把动力传递给磁带装载单元或磁带盘架的磁带记录器的动力传递装置,包括一个用来把动力传递给磁带装载单元的装载系统驱动齿轮机构,和一个用来驱动磁带盘架的磁带盘架系统驱动齿轮机构,上述磁带装载单元把磁带装到磁鼓上。在上述装置中,上述齿轮机构被有选择地驱动,通过由磁力和弹簧力控制的变速齿轮和变换齿轮,获得主导轮马达的动力,有效地驱动磁带装载单元或磁带盘架。

    半导体器件
    18.
    发明公开
    半导体器件 审中-公开

    公开(公告)号:CN119855230A

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202411240141.0

    申请日:2024-09-05

    Abstract: 一种半导体器件包括:衬底;有源区域,其在衬底上沿第一方向延伸;栅极结构,其在有源区域上沿第二方向延伸并且与有源区域相交;源极/漏极区域,其在栅极结构的一侧位于有源区域上;分隔图案,其在第一方向上延伸并且使栅极结构分离;以及接触结构,其位于分隔图案上并且与分隔图案交叉,接触结构电连接到源极/漏极区域,其中,接触结构包括第一部分和第二部分,第一部分接触分隔图案,第二部分接触源极/漏极区域,第二部分的下表面处于比第一部分的下表面低的高度,并且接触结构的最下端与分隔图案间隔开。

    半导体装置
    19.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN115911040A

    公开(公告)日:2023-04-04

    申请号:CN202210869022.6

    申请日:2022-07-22

    Abstract: 一种半导体装置包括:包括第一区域和第二区域的衬底,分别在第一区域和第二区域中的第一有源图案和第二有源图案;第一源极/漏极图案和包括第一半导体图案的第一沟道图案;第二源极/漏极图案和包括第二半导体图案的第二沟道图案;分别在第一沟道图案和第二沟道图案上的第一栅电极和第二栅电极;以及第一栅极电介质层和第二栅极电介质层。第一栅极电介质层包括在第一沟道图案和第一栅电极之间的第一界面层,以及第一高k电介质层。第二栅极电介质层包括在第二沟道图案和第二栅电极之间的第二界面层和第二高k电介质层。第一高k电介质层的厚度大于第二高k电介质层的厚度。第一半导体图案的厚度小于第二半导体图案的厚度。

    半导体器件及其制造方法
    20.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114823865A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202111266853.6

    申请日:2021-10-28

    Abstract: 一种半导体器件,包括:基板上的沟道图案,包括在垂直于基板的顶表面的第一方向上彼此间隔开的半导体图案;在沟道图案上的栅电极,所述栅电极布置在半导体图案中的最上方半导体图案上并延伸到半导体图案之间的区域中;以及一对栅极间隔物,分别设置在最上方半导体图案上以覆盖栅电极的相对侧表面。每个半导体图案包括锗。每个半导体图案包括与所述一对栅极间隔物竖直交叠的一对第一部分和在所述一对第一部分之间的第二部分。最上方半导体图案的一对第一部分的在第一方向上的厚度大于最上方半导体图案的第二部分的在第一方向上的厚度。

Patent Agency Ranking