公开(公告)号：CN100456498C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN03152492.3

申请日：2003-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  朴东楗 ,  李昌燮 ,  崔晶东 ,  李信爱 ,  金成澔

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823412 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 集成电路场效应晶体管包括具有表面以及表面上的有源区沟道图形的衬底。有源区图形包括相互叠置的多个沟道并相互隔开以定义至少一个隧道，隧道位于各相邻沟道之间。栅电极环绕多个沟道并延伸穿过至少一个隧道。也提供一对源/漏区。通过在衬底表面上形成预有源图形制备集成电路场效应晶体管。预有源图形包括一系列中间沟道层以及相互交替叠置的沟道层。源/漏区形成在衬底上的预有源图形相对端。选择性地除去多个中间沟道层，以形成穿过预有源图形的多个隧道，由此限定出包括隧道和包括沟道层的多个沟道的有源沟道图形。栅电极形成在隧道中并环绕沟道。

公开(公告)号：CN1499578A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310104557.1

申请日：2003-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成澔 ,  朴东健 ,  李昌燮 ,  崔晶东 ,  金成玟 ,  李信爱

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/42376 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种自对准接触结构及其形成方法，包括限定的邻近栅电极，相邻的侧壁构形得相互角形相对。使用衬里层保护栅电极的角形表面，衬里层延伸接触窗口的长度，定义了接触窗口的侧壁。