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公开(公告)号：CN109785879A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811249889.1
申请日：2018-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406
Abstract: 一种操作包括多个级的存储器设备的方法，其中每一级具有多个页面缓冲器。该方法包括：执行多个编程循环当中的第一编程循环的验证操作，第一编程循环的验证操作包括：基于第一采样率对所述多个级的第一级执行第一关闭单元计数操作，以生成第一关闭单元计数结果；基于第一关闭单元计数结果选择性地改变第一采样率以生成改变的第一采样率；以及基于第一采样率和改变的第一采样率中的一个对所述多个级中的第二级执行第二关闭单元计数操作，以生成第二关闭单元计数结果。
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公开(公告)号：CN107017028A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201611168375.4
申请日：2016-12-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/3459 , G11C11/5671 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/3481 , G11C2211/562 , G11C2211/5621 , G11C2211/5644 , G11C16/3454
Abstract: 提供了一种非易失性存储器设备。存储单元阵列包括多个存储单元。地址译码器在第一编程循环中将第一验证电压提供至多个存储单元当中的所选择的存储单元，并且在第二编程循环中将第二验证电压提供至所选择的存储单元。控制逻辑基于第一编程循环的验证操作的结果，将第二编程循环确定为验证电压偏移点，在验证电压偏移点中将第一验证电压改变为第二验证电压。
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公开(公告)号：CN101847443B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201010150541.4
申请日：2010-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5621 , G11C16/3436
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器器件和相关的编程方法。该非易失性存储器器件包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元；电压生成器，所述电压生成器被构造成产生电压，以对多个存储器单元进行编程；以及控制逻辑组件，所述控制逻辑组件被构造成控制电压生成器，以在编程循环的连续迭代期间向选定存储器单元提供多个编程电压。其中，在当前编程循环迭代期间判断与一个逻辑状态相对应的存储器单元被编程通过的情况下，控制逻辑组件控制电压生成器，使得在后续编程循环迭代期间，跳过与一个逻辑状态相对应的编程电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101847443A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010150541.4
申请日：2010-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5621 , G11C16/3436
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储器器件和相关的编程方法。该非易失性存储器器件包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列包括多个存储器单元；电压生成器，所述电压生成器被构造成产生电压，以对多个存储器单元进行编程；以及控制逻辑组件，所述控制逻辑组件被构造成控制电压生成器，以在编程循环的连续迭代期间向选定存储器单元提供多个编程电压。其中，在当前编程循环迭代期间判断与一个逻辑状态相对应的存储器单元被编程通过的情况下，控制逻辑组件控制电压生成器，使得在后续编程循环迭代期间，跳过与一个逻辑状态相对应的编程电压。
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公开(公告)号：CN109841254B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201811406794.6
申请日：2018-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种非易失性存储设备包含多个存储单元，所述存储单元包含第一存储单元和第二存储单元。一种对非易失性存储设备进行编程的方法，包含：执行第一编程，以将编程强制电压施加到每个第一存储单元的位线；并且在执行第一编程之后基于第二存储单元的阈值电压，将第二存储单元划分为第一单元组、第二单元组和第三单元组。所述方法还包含执行第二编程，以将编程禁止电压施加到每个第一存储单元的位线和第一单元组的每个存储单元的位线。所述编程强制电压的电平低于编程禁止电压的电平。
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公开(公告)号：CN107919147A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201710883574.1
申请日：2017-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/3459 , G11C2211/5648 , G11C7/1051 , G11C7/12
Abstract: 用于对非易失性存储器件进行编程的方法包括：对在非易失性存储器件中包含的存储单元中的低位进行编程，在对存储单元中的高位进行编程之前读取存储单元中编程的低位，根据读取低位的结果确定存储单元的阈值电压，使用所述阈值电压确定存储单元的类型，并根据所确定的存储单元的类型将多个脉冲之一供应给连接到存储单元的位线。
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公开(公告)号：CN106448733A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610665846.6
申请日：2016-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/3459 , G11C16/06 , G11C16/3436
Abstract: 本发明公开了非易失性存储器设备和编程方法和其编程验证方法。一种用于非易失性存储器设备的编程验证方法，包括：关于第一级执行第一失败位计数操作以生成第一失败位累积值，并且将第一失败位累积值与第一失败参考值相比较以确定编程失败。当第一失败位累积值小于第一失败参考值时，执行用于第二阶段的第二失败位计数操作以生成第二失败位累积值。将第二失败位累积值与第二参考值相比较以确定编程失败。第二失败参考值不同于第一失败参考值。
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公开(公告)号：CN102376357B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201110227178.6
申请日：2011-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/02 , H01L27/115
CPC classification number: G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/06 , G11C16/3454 , H01L27/11582 , H01L29/7926
Abstract: 公开了一种非易失性存储器件，其包括：三维存储单元阵列，所述的三维存储单元阵列具有从最靠近衬底的最低存储单元阵列层向最远离衬底的最高存储单元阵列层延伸的字线；电压生成器电路，其产生第一电压信号和第二电压信号；以及行选择电路，其同时施加第一电压信号到被选字线和第二电压信号到未选字线。被选字线和未选字线具有不同电阻；然而在定义的时段内以相同的上升斜率将第一电压信号施加到被选字线以及将第二电压信号施加到未选字线。
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