公开(公告)号：CN102376357A

公开(公告)日：2012-03-14

申请号：CN201110227178.6

申请日：2011-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴晸壎 ,  姜京花 ,  尹治元 ,  南尚完 ,  尹盛远

IPC: G11C16/02 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/06 ,  G11C16/3454 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/7926

Abstract: 公开了一种非易失性存储器件，其包括：三维存储单元阵列，所述的三维存储单元阵列具有从最靠近衬底的最低存储单元阵列层向最远离衬底的最高存储单元阵列层延伸的字线；电压生成器电路，其产生第一电压信号和第二电压信号；以及行选择电路，其同时施加第一电压信号到被选字线和第二电压信号到未选字线。被选字线和未选字线具有不同电阻；然而在定义的时段内以相同的上升斜率将第一电压信号施加到被选字线以及将第二电压信号施加到未选字线。

公开(公告)号：CN101162609A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200610064370.7

申请日：2006-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴晸壎

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/26 ,  G11C16/10 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C8/08 ,  G11C16/12

Abstract: 公开了一种非易失性半导体存储器件以及对该非易失性半导体存储器件编程的方法。所述非易失性半导体存储器件包括被选字线和未选字线，所述未选字线包括至少一条被施加第一电压信号的未选字线。所述被选字线耦接到被选存储晶体管并且响应于编程电压使能信号而接收编程电压信号。将第一电压信号施加到至少一条未选字线。所述第一电压信号在所述编程电压使能信号被激活之前具有降低的通过电压的电压电平，而在所述编程电压使能信号被激活时具有通过电压信号的电压电平。

公开(公告)号：CN1147166A

公开(公告)日：1997-04-09

申请号：CN96106631.8

申请日：1996-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑泰圣 ,  朴晸壎

IPC: H03F21/00

CPC classification number: G11C11/5621 ,  G11C7/06 ,  G11C7/062

Abstract: 一种用于非易失性半导体存贮器中的具有宽输入范围的传感放大器。具有多个响应于多种输入电位的多个输出端的传感放大器包括一个充电装置，用于根据输入电位对输出端充电；第一导通器，用于根据输入电位使输出端上的电压电平有效；第二导通器，用于根据输入电位使输出端上的电压电平有效；以及联在输出端与地电位之间，且根据第一导通器而导通的联接电路。

公开(公告)号：CN101853701B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201010129614.1

申请日：2010-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴晸壎

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/08

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C7/1006 ,  G11C2029/0409

Abstract: 一种非易失性存储器件的操作方法，包括：将源数据随机化以形成随机化源数据；存储随机化源数据；基于地址产生种子；基于种子产生随机数据序列；以及利用随机数据序列将随机化数据去随机化。也公开了相关非易失性存储器件以及读取在非易失性存储器件中所存储的数据的方法。

公开(公告)号：CN101853701A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010129614.1

申请日：2010-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴晸壎

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/08

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C7/1006 ,  G11C2029/0409

Abstract: 一种非易失性存储器件的操作方法，包括：将源数据随机化以形成随机化源数据；存储随机化源数据；基于地址产生种子；基于种子产生随机数据序列；以及利用随机数据序列将随机化数据去随机化。也公开了相关非易失性存储器件以及读取在非易失性存储器件中所存储的数据的方法。

公开(公告)号：CN101853699A

公开(公告)日：2010-10-06

申请号：CN201010129599.0

申请日：2010-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴晸壎 ,  李城秀

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/22

Abstract: 本发明是一种非易失性存储设备的操作方法，它包括：对数据做随机化处理以保存随机化数据；擦除随机化数据；以及在读操作时，根据非易失性存储设备的标记单元信息来输出擦除数据。

公开(公告)号：CN102376357B

公开(公告)日：2016-01-13

申请号：CN201110227178.6

申请日：2011-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴晸壎 ,  姜京花 ,  尹治元 ,  南尚完 ,  尹盛远

IPC: G11C16/02 ,  H01L27/115

CPC classification number: G11C11/5642 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/06 ,  G11C16/3454 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/7926

Abstract: 公开了一种非易失性存储器件，其包括：三维存储单元阵列，所述的三维存储单元阵列具有从最靠近衬底的最低存储单元阵列层向最远离衬底的最高存储单元阵列层延伸的字线；电压生成器电路，其产生第一电压信号和第二电压信号；以及行选择电路，其同时施加第一电压信号到被选字线和第二电压信号到未选字线。被选字线和未选字线具有不同电阻；然而在定义的时段内以相同的上升斜率将第一电压信号施加到被选字线以及将第二电压信号施加到未选字线。

公开(公告)号：CN101853699B

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201010129599.0

申请日：2010-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴晸壎 ,  李城秀

IPC: G11C16/02 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/22

Abstract: 本公开是一种非易失性存储设备的操作方法，它包括：对数据做随机化处理以保存随机化数据；擦除随机化数据；以及在读操作时，根据非易失性存储设备的标记单元信息来输出擦除数据。

公开(公告)号：CN1067174C

公开(公告)日：2001-06-13

申请号：CN96106631.8

申请日：1996-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑泰圣 ,  朴晸壎

IPC: G11C7/06 ,  H03F21/00

CPC classification number: G11C11/5621 ,  G11C7/06 ,  G11C7/062

Abstract: 一种用于非易失性半导体存贮器中的具有宽输入范围的传感放大器。具有多个响应于多种输入电位的多个输出端的传感放大器包括一个充电装置，用于根据输入电位对输出端充电；第一导通器，用于根据输入电位使输出端上的电压电平有效；第二导通器，用于根据输入电位使输出端上的电压电平有效；以及联在输出端与地电位之间，且根据第一导通器而导通的联接电路。

公开(公告)号：CN101162609B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200610064370.7

申请日：2006-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴晸壎

IPC: G11C16/08 ,  G11C16/26 ,  G11C16/10 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C16/0483 ,  G11C8/08 ,  G11C16/12

Abstract: 本发明公开了一种非易失性半导体存储器件以及对该非易失性半导体存储器件编程的方法。所述非易失性半导体存储器件包括被选字线和未选字线，所述未选字线包括至少一条被施加第一电压信号的未选字线。所述被选字线耦接到被选存储晶体管并且响应于编程电压使能信号而接收编程电压信号。将第一电压信号施加到至少一条未选字线。所述第一电压信号在所述编程电压使能信号被激活之前具有降低的通过电压的电压电平，而在所述编程电压使能信号被激活时具有通过电压信号的电压电平。