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公开(公告)号：CN110265079B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN201910132706.6
申请日：2019-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了擦除非易失性存储器件中的数据的方法。操作非易失性存储器件的方法包括通过将非零擦除电压施加到NAND串的第一端处的源极/漏极端子来擦除存储器件内的存储单元的NAND串内的数据。与在NAND串内的一对选择晶体管中建立栅极感应漏极泄漏(GIDL)的同时施加该擦除电压。该GIDL可以通过向这对选择晶体管的相应的第一栅极端子和第二栅极端子施加不等的且非零的第一电压和第二电压而发生。该选择晶体管可以是串选择晶体管或接地选择晶体管。
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公开(公告)号：CN118658512A
公开(公告)日：2024-09-17
申请号：CN202410263411.3
申请日：2024-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储设备包括：多个存储器芯片；缓冲器芯片，连接到多个存储器芯片；以及控制器，连接到缓冲器芯片。缓冲器芯片被配置为：从控制器周期性地接收第一命令，并且响应于第一命令来执行DQS振荡器启用操作。多个存储器芯片之中的至少一个存储器芯片和缓冲器芯片被配置为：当执行DQS振荡器启用操作时，执行写入训练或读取训练。
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公开(公告)号：CN110021329B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN201811423583.3
申请日：2018-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开了存储器件，所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多条字线、在所述多条字线上方的第一串选择线，以及在所述第一串选择线与所述多条字线之间的第二串选择线；以及控制器。在读取连接到所述多条字线中的第一字线的第一存储单元的数据的操作期间，所述控制器向所述第一串选择线供应第一电压并向所述第二串选择线供应第二电压，其中所述第二电压大于所述第一电压。
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公开(公告)号：CN109273028B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201810784989.8
申请日：2018-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 非易失性存储器设备的电压生成器包括充电电路、电流镜电路、放电电路和输出电路。充电电路放大参考电压与反馈电压之间的差以生成第一电流。电流镜电路连接到充电电路并且基于第一电流生成第二电流。放电电路连接到电流镜电路以汲取第二电流，并且通过基于反映反馈电压的变化的读出电压调节第二电流的放电量来将输出电压放电到目标电平。输出电路连接到电流镜电路，并且将基于第一电流和第二电流的输出电压提供给连接到输出节点的第一字线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116110466A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211243666.0
申请日：2022-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本公开，一种非易失性存储器件可以包括：运算放大器，将参考电压与反馈节点的电压进行比较；第一反馈网络电路，通过响应于运算放大器的输出电压对输入电压进行分压来生成第一输出电压，并且响应于第一反馈信号将与第一输出电压相对应的电压发送到反馈节点；第二反馈网络电路，通过响应于运算放大器的输出电压对输入电压进行分压来生成第二输出电压，并且响应于第二反馈信号将与第二输出电压相对应的电压发送到反馈节点；以及第三反馈网络电路，通过响应于运算放大器的输出电压对输入电压进行分压来生成第三输出电压，并且响应于第三反馈信号将与第三输出电压相对应的电压发送到反馈节点。
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公开(公告)号：CN114328305A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111076096.6
申请日：2021-09-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件的操作方法包括：从存储器件中包括的多个存储芯片的每一个存储芯片的多个接收器选择接收器作为第一接收器。多个存储芯片共享多条数据信号线，每一个存储芯片包括分别连接到该存储芯片的多个接收器的多个片上端接(ODT)电阻器。该方法还包括：将连接到第一接收器的每一个ODT电阻器设置为第一电阻值，将连接到不是第一接收器的接收器的ODT电阻器设置为第二电阻值，并且通过执行训练操作设置每一个第一接收器的均衡器电路的放大强度。多条数据信号线中的每一条数据信号线连接到一个第一接收器。
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公开(公告)号：CN114067869A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202110640877.7
申请日：2021-06-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器设备和包括非易失性存储器设备的存储设备。该非易失性存储器设备包括通过相同的通道连接到控制器的第一存储器芯片和第二存储器芯片。第一存储器芯片基于从控制器接收的时钟信号从第一内部时钟信号生成第一信号。第二存储器芯片基于该时钟信号从第二内部时钟信号生成第二信号，并且通过基于第一信号和第二信号之间的相位差延迟第二内部时钟信号，来基于第一信号的相位对第二信号执行相位校准操作。
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公开(公告)号：CN109754837A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201711084156.2
申请日：2017-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 至少一个地址调度方法包括：选择第一位线；选择连接到第一位线的第一串；从底部字线到顶部字线顺序执行第一串中的每个多电平单元的N个页面的地址调度；在完成第一串中的所有字线上的地址调度之后，以与对第一串执行的相同的方式顺序地在第二到第k个串上执行地址调度，其中“k”是2或大于2的自然数。
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