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公开(公告)号：CN100530361C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610101511.8
申请日：2006-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种垂直磁记录媒质。所述垂直磁记录媒质包括：下部结构；以及形成于所述下部结构上的记录层，其中，所述记录层具有0.5或更低的平衡力2πMr2/K1以及0.8或更低的因子4πMr/Hc，其中，Mr表示残余磁化强度，K1表示垂直磁各向异性能量常数，Hc表示矫顽力。因此，即使构成记录层的晶粒之间的晶粒边界在宽度上有些不均匀，所述晶粒也能够具有几乎相同的成核场。因此，所述垂直磁记录媒质能够确保高记录密度和所记录信息的稳定性。
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公开(公告)号：CN100472607C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200610057582.2
申请日：2006-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/3116 , G11B5/1278 , G11B5/66 , G11B2005/0029
Abstract: 本发明提供了一种垂直磁记录头和一种使用该垂直磁记录头来记录数据的记录介质。该垂直磁记录头包括：主极，其下端具有预定的宽度t1；返回极，其上端与主极连接，而其下端与主极的下端隔开预定的间隙g1；子轭，其下端从主极的下端在向上的方向上凹进预定的深度d1；线圈，缠绕在主极和子轭的周围；磁屏蔽层；读取器件，位于磁屏蔽层之间，其中，凹进深度d1与宽度t1之比(d1/t1)小于或等于6。
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公开(公告)号：CN101388222A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810098710.7
申请日：2008-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种垂直磁记录介质及其制造方法。所述垂直磁记录介质包括：衬底；形成于所述衬底上的软磁层；形成于所述软磁层上的衬层；以及包括多个铁磁层并且形成于所述衬层上的记录层，其中，所述多个铁磁层中的每者具有随着与所述衬层的距离的增大而降低的磁各向异性能。
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公开(公告)号：CN101034559A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200610148546.7
申请日：2006-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，包括：衬底；垂直磁记录介质，形成在所述衬底之上；软磁衬层，设置在所述衬底和所述垂直磁记录层之间；分流层，设置在所述软磁衬层之下；及隔离层，设置在所述软磁衬层和所述分流层之间并提供所述分流层和形成在所述分流层之上的其它层之间的磁隔离。分流层与形成在该分流层之上的其它磁层磁隔离，并且使软磁衬层的磁畴壁产生的磁场分流从而该磁场不能到达磁头，由此增加信噪比(SNR)。
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公开(公告)号：CN1912995A
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200610114943.2
申请日：2006-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/3116 , G11B5/11 , G11B5/112 , G11B5/1278 , G11B5/3146
Abstract: 本发明提供了垂直磁记录头以及制造其的方法。该垂直磁头用于包括记录层的垂直磁记录介质，所述垂直磁头在所述记录层上方沿道的方向移动、在所述记录层上记录信息、以及从所述记录层上读所述信息，所述垂直磁头包括：主极；返回极，其末端与所述主极在空气轴承表面(ABS)分隔开；以及多个屏蔽件，其围绕所述主极并且具有分离结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1767008A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510092408.7
申请日：2005-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种具有叠层软磁衬层(SUL)的垂直磁记录介质，更具体地，提供一种包括形成在衬底上的垂直磁记录层和叠层SUL的记录介质。该SUL包括插入在叠层结构之间的反铁磁层，该叠层结构包括磁层、非磁性层和磁层。所述层均具有20nm或更小的厚度，且该反铁磁层下面的所述层比该反铁磁层上面的所述层薄。形成在该反铁磁层上面和下面的该叠层结构具有通过交换偏置设置在彼此相反的径向方向上的单向磁各向异性。结果，介质磁畴噪声可减小。
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公开(公告)号：CN1472729A
公开(公告)日：2004-02-04
申请号：CN03147267.2
申请日：2003-07-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B5/66
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/7325
Abstract: 一种垂直磁记录介质，其中，将垂直磁记录层设置在基质上，而将软磁层设置在基质和垂直磁记录层之间。在垂直磁记录介质中，将软磁定向层设置在软磁层和基质之间，以在磁性上对软磁层定向。因此，虽然软磁层很薄，它仍具有稳定的磁特性，并产生较小的噪音。
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公开(公告)号：CN101034559B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200610148546.7
申请日：2006-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , Y10T428/24942
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质，包括：衬底；垂直磁记录介质，形成在所述衬底之上；软磁衬层，设置在所述衬底和所述垂直磁记录层之间；分流层，设置在所述软磁衬层之下；及隔离层，设置在所述软磁衬层和所述分流层之间并提供所述分流层和形成在所述分流层之上的其它层之间的磁隔离。分流层与形成在该分流层之上的其它磁层磁隔离，并且使软磁衬层的磁畴壁产生的磁场分流从而该磁场不能到达磁头，由此增加信噪比(SNR)。
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公开(公告)号：CN100538826C
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200510051776.7
申请日：2005-01-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/667 , G11B5/656 , G11B5/7325 , Y10T428/265
Abstract: 本发明提供一种垂直磁记录介质。该垂直磁记录介质包括Co基磁性记录层，支持磁性记录层的基底，和置于磁性记录层和基底之间的垂直取向底层。该垂直取向底层由含有1-65at.%Co的Ru-Co合金构成。通过得到与记录层有小的晶格失配的垂直取向底层，所述垂直磁记录介质可以获得良好的结晶性和良好的磁特性。
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公开(公告)号：CN101339776A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200810128288.5
申请日：2008-07-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11B5/59627 , B82Y10/00 , G11B5/743 , G11B5/855
Abstract: 提供一种磁记录介质、采用磁记录介质的硬盘驱动器(HDD)和测量HDD的写读(WR)偏移的方法。磁记录介质包括：磁盘基底和形成在磁盘基底的一个或者两个表面上的磁记录层，其中所述磁记录层包括：至少一个形成图案为多个数据磁道的图案区域，其中至少一个图案区域是由图案的磁性物质形成；和至少一个由连续磁性物质形成的连续区域，其中连续区域用于测量WR偏移。相应地，采用磁记录介质的HDD可以纠正磁头的WR偏移，而无需大的修改。
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