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公开(公告)号：CN114496968A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202110589669.9
申请日：2021-05-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 提供了一种半导体器件封装和/或制造该半导体器件封装的方法。该半导体器件封装可以包括：半导体器件，包括在半导体器件的上表面上的多个电极焊盘；引线框架，包括接合到所述多个电极焊盘的多个导电构件；以及模制件，在所述多个导电构件之间。
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公开(公告)号：CN107017451B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201710047907.7
申请日：2017-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M12/08 , H01M8/02 , H01M8/0202 , H01M8/24
Abstract: 本发明涉及电化学电池、包括其的电池模块、和包括其的电池组。电化学电池包括：其中限定注入部分、排出部分和通道的正极集流体，其中包括氧气的空气通过所述注入部分注入，废气通过所述排出部分排出，和所述通道限定连接所述注入部分和所述排出部分的单个路径；和设置成邻近所述正极集流体的单元电池。所述单元电池包括：其活性材料为氧气的正极层，相对于所述正极层而言与所述正极集流体相反地设置的负极金属层、以及介于所述正极层和所述负极金属层之间的电解质膜。
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公开(公告)号：CN113555427A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202011409970.9
申请日：2020-12-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 提供了一种高电子迁移率晶体管及制造该高电子迁移率晶体管的方法。该高电子迁移率晶体管包括提供在耗尽形成层上的栅电极。栅电极包括被配置为与耗尽形成层形成欧姆接触的第一栅电极以及被配置为与耗尽形成层形成肖特基接触的第二栅电极。
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公开(公告)号：CN112993028A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202011107929.6
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 公开了一种半导体器件和一种制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：包括沟道的沟道层；在沟道层上的沟道供应层；在沟道供应层上的沟道分隔图案；在沟道分隔图案上的栅电极图案；以及电场弛豫图案，其在与沟道层的上表面平行的第一方向上从栅电极图案的第一侧表面突出。沟道层和沟道供应层之间的界面与沟道相邻。栅电极图案在第一方向上的尺寸不同于沟道分隔图案在第一方向上的尺寸。栅电极图案和电场弛豫图案形成单个结构。
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公开(公告)号：CN102194867B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201110051882.0
申请日：2011-03-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/42316 , H01L29/7783 , H01L29/7786
Abstract: 本发明公开了表现双耗尽的高电子迁移率晶体管(HEMT)及其制造方法。HEMT包括在具有不同极性的多个半导体层上的源极、栅极和漏极。双耗尽区域存在于源极和漏极之间。多个半导体层包括上材料层、中间材料层和下材料层，中间材料层的极性不同于上材料层的极性和下材料层的极性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102034861A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010292444.9
申请日：2010-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/207 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: 本发明提供一种包括2-维电子气(2DEG)沟道的电力电子器件、其制造方法以及包括该电力电子器件的集成电路模块。电力电子器件包括用于形成2DEG沟道的下材料层和上材料层，以及接触上材料层的上表面的栅极。在2DEG沟道的栅极下方的区域是2DEG的密度减小或为零的关区域。整个上材料层可以是连续的且可具有均匀的厚度。上材料层的在栅极下面的区域包括用于减小或消除下材料层与上材料层之间的晶格常数差的杂质。
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公开(公告)号：CN112993028B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202011107929.6
申请日：2020-10-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/778 , H01L29/423 , H01L29/06 , H01L21/335
Abstract: 公开了一种半导体器件和一种制造该半导体器件的方法。该半导体器件包括：包括沟道的沟道层；在沟道层上的沟道供应层；在沟道供应层上的沟道分隔图案；在沟道分隔图案上的栅电极图案；以及电场弛豫图案，其在与沟道层的上表面平行的第一方向上从栅电极图案的第一侧表面突出。沟道层和沟道供应层之间的界面与沟道相邻。栅电极图案在第一方向上的尺寸不同于沟道分隔图案在第一方向上的尺寸。栅电极图案和电场弛豫图案形成单个结构。
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公开(公告)号：CN112687732A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202010337504.8
申请日：2020-04-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/778
Abstract: 一种半导体薄膜结构以及包括其的电子器件，该半导体薄膜结构可以包括衬底、在衬底上的缓冲层以及在缓冲层上的半导体层，使得缓冲层在半导体层和衬底之间。缓冲层可以包括多个单元层。所述多个单元层中的每个单元层可以包括具有第一带隙能量和第一厚度的第一层、具有第二带隙能量和第二厚度的第二层以及具有第三带隙能量和第三厚度的第三层。单元层的第一层、第二层和第三层中的具有最低的带隙能量的一个层可以在该单元层的第一层、第二层和第三层中的另外两个层之间。
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公开(公告)号：CN107017451A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710047907.7
申请日：2017-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M12/08 , H01M8/02 , H01M8/0202 , H01M8/24
CPC classification number: H01M12/08 , H01M2/1673 , H01M4/94 , H01M2220/10 , H01M2220/20 , Y02E60/128 , H01M8/0258 , H01M8/24
Abstract: 本发明涉及电化学电池、包括其的电池模块、和包括其的电池组。电化学电池包括：其中限定注入部分、排出部分和通道的正极集流体，其中包括氧气的空气通过所述注入部分注入，废气通过所述排出部分排出，和所述通道限定连接所述注入部分和所述排出部分的单个路径；和设置成邻近所述正极集流体的单元电池。所述单元电池包括：其活性材料为氧气的正极层，相对于所述正极层而言与所述正极集流体相反地设置的负极金属层、以及介于所述正极层和所述负极金属层之间的电解质膜。
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