公开(公告)号：CN110391286A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201910007087.8

申请日：2019-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  金一龙 ,  金柱然 ,  金辰昱 ,  吕京奂 ,  郑镛琦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；第一鳍隔离绝缘部分，在第一区域和第二区域的每个中，并在第一方向上具有第一宽度；在第一区域和第二区域的每个中的一对鳍型有源区，在第一鳍隔离绝缘部分在其间的情况下彼此间隔开，并在第一方向上以直线延伸；在第一区域和第二区域的每个中的一对第二鳍隔离绝缘部分，分别接触第一鳍隔离绝缘部分的两个侧壁，所述两个侧壁面对第一方向上的相反侧；以及多个栅极结构，在第二方向上延伸并包括多个虚设栅极结构。

公开(公告)号：CN110364562A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910125807.0

申请日：2019-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  金一龙 ,  金柱然 ,  金辰昱 ,  吕京奂 ,  郑镛琦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L27/088

Abstract: 一种集成电路器件包括：多个鳍型有源区从其突出的基板，所述多个鳍型有源区在第一方向上彼此平行地延伸；以及多个栅极结构和多个鳍隔离绝缘部分，在交叉第一方向的第二方向上在基板上延伸并且在第一方向具有恒定的节距，其中所述多个鳍隔离绝缘部分当中的一对鳍隔离绝缘部分在所述多个栅极结构当中的一对栅极结构之间，所述多个鳍型有源区包括多个第一鳍型区和多个第二鳍型区。

公开(公告)号：CN118448415A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410708663.2

申请日：2017-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭大荣 ,  朴起丙 ,  吕京奂 ,  李承宰 ,  田炅烨 ,  河承锡 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了在衬底和/或鳍中包括器件隔离区的半导体器件。半导体器件包括半导体衬底。半导体器件包括在半导体衬底中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。此外，半导体器件包括在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间在半导体衬底中的多层器件隔离区。多层器件隔离区包括凸出部分，该凸出部分远离半导体衬底凸出超过第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的各自的最上表面。

公开(公告)号：CN110391286B

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN201910007087.8

申请日：2019-01-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  金一龙 ,  金柱然 ,  金辰昱 ,  吕京奂 ,  郑镛琦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；第一鳍隔离绝缘部分，在第一区域和第二区域的每个中，并在第一方向上具有第一宽度；在第一区域和第二区域的每个中的一对鳍型有源区，在第一鳍隔离绝缘部分在其间的情况下彼此间隔开，并在第一方向上以直线延伸；在第一区域和第二区域的每个中的一对第二鳍隔离绝缘部分，分别接触第一鳍隔离绝缘部分的两个侧壁，所述两个侧壁面对第一方向上的相反侧；以及多个栅极结构，在第二方向上延伸并包括多个虚设栅极结构。

公开(公告)号：CN110364527B

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN201910103246.4

申请日：2019-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敏成 ,  金一龙 ,  吕京奂 ,  郑在烨

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 一种集成电路器件包括：衬底，包括第一器件区和第二器件区；在第一器件区上的第一鳍状物分隔绝缘部分；成对的第一鳍型有源区，在第一器件区中彼此隔开且其间具有第一鳍状物分隔绝缘部分，并沿第一水平方向共线地延伸；第二鳍状物分隔绝缘部分，在第一器件区和第二器件区上沿第二水平方向延伸；以及成对的第二鳍型有源区，彼此隔开且其间具有第二鳍状物分隔绝缘部分，并沿第一水平方向共线地延伸，其中第一鳍状物分隔绝缘部分和第二鳍状物分隔绝缘部分彼此竖直地重叠。

公开(公告)号：CN110364528B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN201910022405.8

申请日：2019-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李敏成 ,  金柱然 ,  尹智勋 ,  金一龙 ,  吕京奂 ,  郑在烨

IPC: H01L27/092

Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：第一鳍分离绝缘部分，在基板的第一器件区域之上；一对第一鳍型有源区，彼此间隔开而使第一鳍分离绝缘部分在其间，并在第一水平方向上共线地延伸；第一虚设栅极结构，与第一鳍分离绝缘部分垂直地重叠；第二鳍分离绝缘部分，与第一鳍分离绝缘部分间隔开并布置在基板的第二器件区域之上；以及多个第二鳍型有源区，在第二器件区域中彼此间隔开而使第二鳍分离绝缘部分在其间，并在第一水平方向上共线地延伸，其中第二鳍分离绝缘部分的最下表面的垂直高度等于或低于第一鳍分离绝缘部分的最下表面的垂直高度。

公开(公告)号：CN106057804B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201610228052.3

申请日：2016-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吕京奂 ,  朴省昱 ,  李承宰 ,  崔道永 ,  朴善钦 ,  尹泰应 ,  车东镐 ,  陈瑞宜

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件。该半导体器件包括衬底、衬底上的有源图案、与有源图案交叉的栅电极和栅电极上的封盖结构。封盖结构包括顺序层叠在栅电极上的第一封盖图案和第二封盖图案。第二封盖图案完全覆盖第一封盖图案的顶表面，第二封盖图案的介电常数大于第一封盖图案的介电常数。

公开(公告)号：CN106057803A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610102379.6

申请日：2016-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴炳哉 ,  申宪宗 ,  赵学柱 ,  吕京奂

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种半导体器件，其包括：从衬底突出的鳍有源区以及限定所述鳍有源区的隔离区；与所述鳍有源区和所述隔离区交叉的栅极图案；以及形成在所述栅极图案的侧表面上且延伸到所述隔离区的表面上的栅极间隔件。