集成电路器件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110364528A

    公开(公告)日:2019-10-22

    申请号:CN201910022405.8

    申请日:2019-01-10

    Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括:第一鳍分离绝缘部分,在基板的第一器件区域之上;一对第一鳍型有源区,彼此间隔开而使第一鳍分离绝缘部分在其间,并在第一水平方向上共线地延伸;第一虚设栅极结构,与第一鳍分离绝缘部分垂直地重叠;第二鳍分离绝缘部分,与第一鳍分离绝缘部分间隔开并布置在基板的第二器件区域之上;以及多个第二鳍型有源区,在第二器件区域中彼此间隔开而使第二鳍分离绝缘部分在其间,并在第一水平方向上共线地延伸,其中第二鳍分离绝缘部分的最下表面的垂直高度等于或低于第一鳍分离绝缘部分的最下表面的垂直高度。

    集成电路器件
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110364528B

    公开(公告)日:2023-07-04

    申请号:CN201910022405.8

    申请日:2019-01-10

    Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括:第一鳍分离绝缘部分,在基板的第一器件区域之上;一对第一鳍型有源区,彼此间隔开而使第一鳍分离绝缘部分在其间,并在第一水平方向上共线地延伸;第一虚设栅极结构,与第一鳍分离绝缘部分垂直地重叠;第二鳍分离绝缘部分,与第一鳍分离绝缘部分间隔开并布置在基板的第二器件区域之上;以及多个第二鳍型有源区,在第二器件区域中彼此间隔开而使第二鳍分离绝缘部分在其间,并在第一水平方向上共线地延伸,其中第二鳍分离绝缘部分的最下表面的垂直高度等于或低于第一鳍分离绝缘部分的最下表面的垂直高度。

    具有翅片式有源图案和栅极节点的半导体装置

    公开(公告)号:CN104979362B

    公开(公告)日:2019-11-19

    申请号:CN201510163033.2

    申请日:2015-04-08

    Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括:多个翅片式有源图案,沿第一方向延伸,并且相对于彼此沿与第一方向不同的第二方向布置;接触件,电连接到所述多个翅片式有源图案;第一栅电极,沿第二方向延伸并形成在所述多个翅片式有源图案中的至少两个上;第二栅电极,沿第二方向延伸并形成在所述多个翅片式有源图案中的至少一个上。第一栅电极设置在接触件和第二栅电极之间,与第一栅电极交叉的翅片式有源图案的数量比与第二栅电极交叉的翅片式有源图案的数量多。

    具有翅片式有源图案和栅极节点的半导体装置

    公开(公告)号:CN104979362A

    公开(公告)日:2015-10-14

    申请号:CN201510163033.2

    申请日:2015-04-08

    Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括:多个翅片式有源图案,沿第一方向延伸,并且相对于彼此沿与第一方向不同的第二方向布置;接触件,电连接到所述多个翅片式有源图案;第一栅电极,沿第二方向延伸并形成在所述多个翅片式有源图案中的至少两个上;第二栅电极,沿第二方向延伸并形成在所述多个翅片式有源图案中的至少一个上。第一栅电极设置在接触件和第二栅电极之间,与第一栅电极交叉的翅片式有源图案的数量比与第二栅电极交叉的翅片式有源图案的数量多。

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