公开(公告)号：CN111192867A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201910693225.2

申请日：2019-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴炳哉 ,  金洲铉

IPC: H01L23/544

Abstract: 本发明涉及一种测试图案组和包括其的半导体器件。该测试图案组包括多个测试图案。所述多个测试图案的每个包括：基板，包括第一区域和第二区域；第一鳍状物组和第二鳍状物组，第一鳍状物组和第二鳍状物组的每个包括分别在基板的第一区域和基板的第二区域上延伸的鳍状物；第一栅极结构和第二栅极结构，每个分别位于第一鳍状物组和第二鳍状物组上并且形成为与第一鳍状物组和第二鳍状物组的鳍状物交叉；形成在第一源极/漏极上的第一源极/漏极接触；形成在第二源极/漏极上的第二源极/漏极接触；形成在第一栅极结构上的第一栅极接触；形成在第二栅极结构上的第二栅极接触。第一鳍状物组中包括的鳍状物的数量多于第二鳍状物组中包括的鳍状物的数量。

公开(公告)号：CN107039424A

公开(公告)日：2017-08-11

申请号：CN201611062755.X

申请日：2016-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高镛璿 ,  朴相真 ,  赵学柱 ,  朴炳哉 ,  韩政男

IPC: H01L27/04

Abstract: 半导体器件可以包括：在第一方向上彼此间隔开的成对的有源图案；在交叉第一方向的第二方向上交叉所述成对的有源图案的成对栅电极；在成对的有源图案的侧壁上的栅间隔物；在成对的栅电极之间位于成对的有源图案上的源极/漏极区；在成对的栅电极之间以及在成对的有源图案之间的间隔物保护图案。间隔物保护图案可以共同连接到栅间隔物。

公开(公告)号：CN106057803A

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201610102379.6

申请日：2016-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴炳哉 ,  申宪宗 ,  赵学柱 ,  吕京奂

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种半导体器件，其包括：从衬底突出的鳍有源区以及限定所述鳍有源区的隔离区；与所述鳍有源区和所述隔离区交叉的栅极图案；以及形成在所述栅极图案的侧表面上且延伸到所述隔离区的表面上的栅极间隔件。

公开(公告)号：CN106057803B

公开(公告)日：2021-01-01

申请号：CN201610102379.6

申请日：2016-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴炳哉 ,  申宪宗 ,  赵学柱 ,  吕京奂

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种半导体器件，其包括：从衬底突出的鳍有源区以及限定所述鳍有源区的隔离区；与所述鳍有源区和所述隔离区交叉的栅极图案；以及形成在所述栅极图案的侧表面上且延伸到所述隔离区的表面上的栅极间隔件。

公开(公告)号：CN107039424B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201611062755.X

申请日：2016-11-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 高镛璿 ,  朴相真 ,  赵学柱 ,  朴炳哉 ,  韩政男

IPC: H01L27/04

Abstract: 半导体器件可以包括：在第一方向上彼此间隔开的成对的有源图案；在交叉第一方向的第二方向上交叉所述成对的有源图案的成对栅电极；在成对的有源图案的侧壁上的栅间隔物；在成对的栅电极之间位于成对的有源图案上的源极/漏极区；在成对的栅电极之间以及在成对的有源图案之间的间隔物保护图案。间隔物保护图案可以共同连接到栅间隔物。