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公开(公告)号：CN101431065A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810174806.7
申请日：2008-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/768 , G02F1/1362
CPC classification number: H01L23/535 , H01L21/743 , H01L27/1218 , H01L27/124 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供金属布线层及其制造方法。金属布线层的制造方法包括在衬底上形成电介质层，通过蚀刻部分电介质层而在所述衬底上形成多个电介质层图案和在电介质层图案中的孔，所述电介质层图案中的孔的横截面积随着远离所述衬底的距离增大而减小并且所述的孔暴露所述衬底，通过蚀刻经过电介质层图案中的孔所暴露的衬底的一部分而形成沟槽，并且形成填充所述沟槽和电介质层图案中的孔的金属层。由此，通过在电介质层图案中的多个横截面积随着远离所述衬底的距离增大而减小的孔中形成金属层，可以防止边缘堆积现象的发生。因此，可以防止液晶层的透光度由于不能适当填充所述液晶层中的液晶分子而降低，并且由此增加显示器的品质。
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公开(公告)号：CN101221925B
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200710306900.9
申请日：2007-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L21/027 , H01L27/12 , H01L23/522 , G02F1/1362
CPC classification number: G02F1/1362 , G02F1/13458 , G02F1/136227 , G02F2001/136231 , G02F2001/136236 , G02F2001/136295 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供了一种制造包括几个区域的液晶显示设备的方法。在形成栅极线层、栅极绝缘体、半导体层、数据层和光刻胶层之后，使用掩模限定光刻胶层的多个区域。某些区域在显影后具有不同厚度的光刻胶层。当曝光栅极垫和数据垫时，同时对栅极垫和数据垫应用刻蚀处理。然后，钝化层被沉积在通过接触孔暴露的栅极垫和数据垫之上。当在覆盖层中形成其它接触孔时，数据垫和栅极垫可被暴露以在相同的时间段内进行刻蚀处理。
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公开(公告)号：CN101645423A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910162048.1
申请日：2009-08-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L27/12 , H01L23/528 , G03F7/00 , G03F7/36
CPC classification number: H01L29/458 , H01L27/124 , H01L27/1288
Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管(TFT)基板，其制造简单且成本降低，以及提供一种制造TFT基板的方法。该TFT基板包括：绝缘基板；在绝缘基板上沿第一方向延伸的栅极布线；在栅极布线上沿第二方向延伸且包括下层和上层的数据布线；以及设置在数据布线下方且除了沟道区之外与数据布线具有基本相同形状的半导体图案，其中数据布线顶表面的均方根粗糙度是3nm或更低。
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公开(公告)号：CN101009250A
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200610142803.6
申请日：2006-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L21/768 , H01L27/12 , H01L23/522 , G02F1/136
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/458 , H01L29/4908
Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)阵列面板及其制造方法。该方法包括在栅线上形成半导体层和欧姆接触层、在欧姆接触层上形成导电层、在导电层上形成第一光敏层图案、使用该第一光敏层图案作为蚀刻掩模来蚀刻导电层、使用第一光敏层图案作为蚀刻掩模通过含氟气体、含氯气体和氧气来蚀刻欧姆接触层和半导体层、除去第一光敏层图案到预定深度以形成第二光敏层图案、和使用第二光敏层图案作为蚀刻掩模蚀刻导电层以暴露出一部分欧姆接触层。
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