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公开(公告)号：CN112969824B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN201980073918.X
申请日：2019-10-02
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供一种表面处理铜箔，其在用于SAP法时，能够对树脂基材赋予表面轮廓，所述表面轮廓在化学镀铜层的蚀刻工序中可以有效地抑制可能在电路中产生的陷入的发生。该表面处理铜箔为在至少一侧具有处理表面的表面处理铜箔，在处理表面热压接树脂薄膜而将处理表面的表面形状转印至树脂薄膜的表面、并通过蚀刻将表面处理铜箔去除时，残留的树脂薄膜的表面的依据ISO25178测定的偏斜度Ssk为‑0.6以下。
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公开(公告)号：CN117480282A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202280039574.2
申请日：2022-06-01
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: C25D7/06
Abstract: 提供一种在用于覆铜层叠板和/或印刷电路板的情况下，能够兼顾优异的传输特性和高剥离强度的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。粗糙化处理面的、基于突出峰部的实体体积Vmp、中心部的实体体积Vmc和峰顶点密度Spd并通过(Vmp+Vmc)/Spd的公式计算出的微小顶端颗粒体积为1.300μm3/个以下，且截面高度差Rdc为0.95μm以上。Vmp、Vmc和Spd是依据ISO25178测定的值，Rdc是依据JIS B0601‑2013以负载长度比20％和80％处的高度方向的截面高度c之差的形式得到的值。
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公开(公告)号：CN111886367B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201980020819.5
申请日：2019-03-20
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明提供一种粗糙化处理铜箔，其为适于细线电路形成的低粗糙度的粗糙化处理铜箔，并且在用于SAP法的情况下，能够赋予层叠体不仅对化学镀铜层的蚀刻性和干膜分辨率优异、而且从抗剪强度的观点来看电路密合性也优异的表面轮廓。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面，粗糙化处理面具备多个粗糙化颗粒而成，粗糙化处理铜箔的长度10μm的截面中的粗糙化颗粒的周长L(μm)的平方相对于粗糙化颗粒的面积S(μm2)之比L2/S的平均值为16以上且30以下，并且，粗糙化处理面的微观不平度十点高度Rz为0.7μm以上且1.7μm以下。
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公开(公告)号：CN115413301A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202180023459.1
申请日：2021-03-16
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供用于覆铜层叠板和/或印刷电路板时可兼顾优异的传输特性和高剥离强度的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。粗糙化处理面的依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为0.3μm以及基于L滤波器的截止波长为5μm的条件下测定的突出峰部高度Spk(μm)相对于依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为0.3μm以及基于L滤波器的截止波长为5μm的条件下测定的偏斜度Ssk之比、即微粒前端直径指数Spk/Ssk为0.20以上且1.00以下，并且，依据ISO25178在基于S滤波器的截止波长为0.3μm以及基于L滤波器的截止波长为64μm的条件下测定的十点区域高度S10z为2.50μm以上。
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公开(公告)号：CN108702847A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201780012182.6
申请日：2017-02-15
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种印刷电路板制造用铜箔，所述印刷电路板制造用铜箔可以在不另行需要追加的蚀刻工序的情况下、显著地降低Cu蚀刻的面内不均，其结果能抑制晶种层的缺失、电路凹痕的发生。该铜箔依次具备第一铜层、蚀刻牺牲层和第二铜层，蚀刻牺牲层的蚀刻速率相对于Cu的蚀刻速率之比r大于1.0。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118019880A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202280065412.6
申请日：2022-09-27
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供用于覆铜层叠板或印刷电路板时，能够实现优异的传输特性的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。粗糙化处理面的依据ISO25178以倍率200倍、无S滤波器、以及L滤波器5μm的条件测定的界面扩展面积比Sdr为70.0％以下。与粗糙化处理面相反侧的面在以180℃加热1小时后通过电子背散射衍射法(EBSD)进行解析时，在观察视场中，针对自(111)面的偏离角为20度以下的各个晶粒算出的晶界长度L与占有面积S之比L/S的平均值为13.0μm/μm2以下。
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公开(公告)号：CN117441039A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202280039573.8
申请日：2022-06-01
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供一种在用于覆铜层叠板和/或印刷电路板的情况下，传输特性和电路直线性优异、且能够实现高剥离强度的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。粗糙化处理面的粗糙度曲线的截面高度差Rdc相对于粗糙度曲线的峰度Rku之比Rdc/Rku为0.180μm以下，且波纹度曲线的最大截面高度Wt为2.50μm以上且10.00μm以下。Rku和Wt是依据JIS B0601‑2013测定的值，Rdc是依据JIS B0601‑2013以负载长度比20％与负载长度比80％之间的高度方向的截面高度c之差的形式得到的值。
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公开(公告)号：CN117044411A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202280021409.4
申请日：2022-03-17
Applicant: 三井金属矿业株式会社
IPC: H05K3/18
Abstract: 提供一种能够兼顾优异的传输特性和掉粉的抑制的粗糙化处理铜箔。该粗糙化处理铜箔在至少一侧具有粗糙化处理面。粗糙化处理面根据平均高度Rc(μm)和轮廓曲线元素的平均长度RSm(μm)通过Rc/(0.5×RSm)的式子计算出的粗糙度斜率tanθ为0.58以下、并且平均高度Rc(μm)与尖度Sku的乘积的尖锐指数Rc×Sku为2.35以下。Rc和RSm是依据JIS B0601‑2013在不进行基于截止值λs和截止值λc的截止的条件下测定的值，Sku是依据ISO25178在不进行基于S滤波器和L滤波器的截止的条件下测定的值。
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公开(公告)号：CN113646469A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080023976.4
申请日：2020-03-09
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 提供一种印刷电路板制造用金属箔，其即使在穿孔后进行化学溶液处理的情况下，也能够抑制晶种层缺损的发生。另外，提供一种印刷电路板制造用金属箔，其即使在进行了高温压制加工的情况下，也会有效地防止金属等从第一蚀刻牺牲层向晶种层的扩散，其结果能够发挥蚀刻牺牲层原本具有的牺牲效果。该印刷电路板制造用金属箔依次具备第1蚀刻牺牲层、第2蚀刻牺牲层和铜层，将所述第1蚀刻牺牲层的蚀刻速率相对于Cu的蚀刻速率之比设为r1、将所述第2蚀刻牺牲层的蚀刻速率相对于Cu的蚀刻速率之比设为r2时，满足r1＞r2＞1.0。
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公开(公告)号：CN108702847B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201780012182.6
申请日：2017-02-15
Applicant: 三井金属矿业株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种印刷电路板制造用铜箔，所述印刷电路板制造用铜箔可以在不另行需要追加的蚀刻工序的情况下、显著地降低Cu蚀刻的面内不均，其结果能抑制晶种层的缺失、电路凹痕的发生。该铜箔依次具备第一铜层、蚀刻牺牲层和第二铜层，蚀刻牺牲层的蚀刻速率相对于Cu的蚀刻速率之比r大于1.0。
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