公开(公告)号：CN101271856B

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200810086659.8

申请日：2008-03-21

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 李铁生 ,  王宇 ,  楼盈盈 ,  安荷·叭剌

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/306 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种测定蚀刻深度的方法，一种形成屏蔽栅极沟槽(SGT)结构的方法和一种半导体装置晶圆。在具有沟槽的底层的一部分上形成材料层。用材料填充所述的沟槽。在材料层的测试区域上放置抗蚀性涂层，从而定义位于抗蚀性涂层之下的测试结构。抗蚀性涂层不覆盖沟槽。同向蚀刻材料，测量与测试结构电阻改变有关的信号。通过信号测定测试结构的横向底切DL，通过DL测定蚀刻深度DT。晶圆包括形成电桥的一个或多个测试结构。穿过连接洞的一个或多个金属连接线电连接所述的测试结构。所述的抗蚀性涂层在测试结构之上。

公开(公告)号：CN101271856A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200810086659.8

申请日：2008-03-21

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 李铁生 ,  王宇 ,  楼盈盈 ,  安荷·叭剌

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/306 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L23/544

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L22/12 ,  H01L22/14 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种测定蚀刻深度的方法，一种形成屏蔽栅极沟槽(SGT)结构的方法和一种半导体装置晶圆。在具有沟槽的底层的一部分上形成材料层。用材料填充所述的沟槽。在材料层的测试区域上放置抗蚀性涂层，从而定义位于抗蚀性涂层之下的测试结构。抗蚀性涂层不覆盖沟槽。同向蚀刻材料，测量与测试结构电阻改变有关的信号。通过信号测定测试结构的横向底切DL，通过DL测定蚀刻深度DT。晶圆包括形成电桥的一个或多个测试结构。穿过连接洞的一个或多个金属连接线电连接所述的测试结构。所述的抗蚀性涂层在测试结构之上。

公开(公告)号：CN101950720A

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN201010236251.1

申请日：2006-12-25

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 常虹 ,  戴嵩山 ,  李铁生 ,  王宇

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7834

Abstract: 本发明公开了一种改进的槽金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件，该器件包括一个被源区围绕的槽栅，源区被围绕在位于基片底面上的漏区之上的体区中。MOSFET单元进一步包括一个位于槽栅下面且与槽栅绝缘的屏蔽栅槽(SGT)结构，SGT结构基本是由一个旁向膨胀超出槽栅以及被充填有槽栅材料的介质层覆盖的圆孔组成。圆孔是通过各向同性腐蚀在槽栅底部生成的并通过氧化物绝缘层与槽栅分隔开来。圆孔的旁向膨胀超出槽壁，该旁向膨胀可用作垂直调整的界标，控制槽栅的深度。取决于位于作为槽栅之下一个圆孔的SGT结构之上的槽栅的可控深度，MOSFET器件的栅漏电容Cgd可以减小。

公开(公告)号：CN101127364A

公开(公告)日：2008-02-20

申请号：CN200710102457.3

申请日：2007-04-28

Applicant: 万国半导体股份有限公司

Inventor： 王宇 ,  李铁生 ,  戴嵩山 ,  常虹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L29/40 ,  H01L29/423 ,  H01L27/04 ,  H01L21/306 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L22/12 ,  H01L29/407 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66734 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 该发明公开了一种生产电子线路的半导体晶圆。这种半导体基片进一步包括一个回蚀刻显示器，该显示器包括有不同尺寸的沟槽，沟槽中充填有多晶硅。然后，多晶硅又从那些较大平面尺寸的沟槽中全部清除，但在那些较小平面尺寸的沟槽底部仍然保留有多晶硅。