公开(公告)号：CN101638806B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200910157496.2

申请日：2009-07-30

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 矶贝宏道 ,  仙田刚士 ,  丰田英二 ,  村山久美子 ,  泉妻宏治 ,  前田进 ,  鹿岛一日児

IPC: C30B33/02 ,  H01L21/02 ,  H01L21/322 ,  H01L21/324 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B29/06 ,  C30B15/00 ,  C30B33/02 ,  H01L21/3225

Abstract: 在硅晶片的制造方法中，在硅晶片上执行第一热处理工序，同时引入具有0.01vol.％或以上且1.00vol.％或以下量的氧气和稀有气体的第一气体，以及执行第二热处理工序，同时停止引入第一气体，并且替换地引入具有20vol.％或以上且100vol.％或以下量的氧气和稀有气体的第二气体。在第一热处理工序中，以第一加热速率，将该硅晶片迅速地加热到1300℃或以上且硅熔点或以下的第一温度，并保持在第一温度。在第二热处理工序中，该硅晶片保持第一温度，并以第一冷却速率，迅速地从第一温度冷却。

公开(公告)号：CN101151522B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200680010451.7

申请日：2006-03-27

Applicant: 芝浦机械电子株式会社 ,  科发伦材料株式会社

Inventor： 高野英明 ,  清水美雪 ,  仙田刚士 ,  泉妻宏治 ,  林义典 ,  浜谷和彦

IPC: G01N21/956 ,  H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/8851 ,  G01N21/9501 ,  G01N2021/8822 ,  H01L21/67288 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 变形硅晶片的表面检查方法和检查装置，构成为具备摄影步骤，在从光源装置(50)向旋转的变形硅晶片(10)表面照射光的环境下，相对变形硅晶片(10)的表面以规定的位置关系设置的摄像装置(30)，以可对变形硅晶片(10)中呈现的亮线进行摄影的摄像条件，在多个旋转角度位置的每个位置对变形硅晶片(10)表面进行摄影；和合成图像生成步骤，根据摄像装置(10)得到的多个旋转角度位置下的变形硅晶片(10)的表面图像，生成规定旋转角度位置下的合成图像。

公开(公告)号：CN101576346A

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200910137671.1

申请日：2009-05-07

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 大桥忠 ,  梅本净二郎 ,  一木豪

IPC: F27B14/10 ,  C30B15/10 ,  C04B41/87

Abstract: 本发明涉及用于熔化硅的坩埚和该坩埚使用的脱模剂。根据本发明的用于熔化硅的坩埚是包括坩埚主体和至少在该坩埚主体的内表面上形成的保护膜的用于熔化硅的坩埚，该坩埚主体包括耐热部件，其中该保护膜具有SiOxNy的组分，其中X＞0且Y＞0。根据本发明的用于熔化硅的坩埚对于硅块具有优异的释放能力，减小硅熔料中溶入的杂质量，并且可以以低成本制造。此外，本发明提供一种在用于熔化硅的坩埚的制造中使用的脱模剂。

公开(公告)号：CN101517706A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200780035927.7

申请日：2007-08-22

Applicant: 科发伦材料株式会社 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 柴田和生 ,  川崎裕雄

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02 ,  H05B3/14 ,  H05B3/28 ,  H05B3/74 ,  H05B3/86

CPC classification number: H05B3/145 ,  C23C16/4581 ,  C23C16/46 ,  H01L21/67103

Abstract: 本发明提供了面状加热器及具有此面状加热器的半导体热处理装置，其中，此面状加热器通过包括抑制高频感应的接地电极来抑制高频感应发热，并且此面状加热器不受被激励的反应气体的侵蚀。面状加热器1的特征为，其具有在二氧化硅玻璃板状体2内部配置并密封为平面状的碳线发热体CW、以及在此碳线发热体CW的上方的二氧化硅玻璃板状体2内部配置并密封为平面状的接地电极3。

公开(公告)号：CN100381390C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200410070358.8

申请日：2004-07-29

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 小林庆朗 ,  市岛雅彦 ,  横山优

IPC: C04B35/00 ,  C04B35/50 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  C23F4/00 ,  B01J19/02

CPC classification number: C23C30/00 ,  C23C4/04 ,  C23C4/11

Abstract: 一种耐等离子体构件，它具有一种基底材料和一层Y2O3制成的涂层，所述涂层在上述基底材料的一个表面上形成。该涂层具有一厚度为10μm或大于10μm，并且涂层的Y2O3含有在100ppm-1000ppm范围内的固溶体Si。

公开(公告)号：CN105315005A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510351921.7

申请日：2015-06-24

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 赤岭宗子 ,  藤田光广

IPC: C04B38/06 ,  C04B35/443

CPC classification number: C04B35/443 ,  C04B35/634 ,  C04B38/0615 ,  C04B2111/27 ,  C04B2235/602 ,  F16L59/00 ,  F16L59/028 ,  C04B38/0054 ,  C04B38/0074

Abstract: 本发明涉及包含MgAl2O4的多孔烧结体且1000℃以上的高温下的绝热性优异的绝热材料。本发明提供即使为1500℃以上的高温热传导率的增加也得到抑制、并保持优异的绝热性、且1700℃以上的耐热性也优异的绝热材料，即使为1000℃以上的高温热传导率的增加也得到抑制、并保持优异的绝热性、且强度也优异的绝热材料。本发明采取如下构成：其包含孔隙度为60%以上且不足73%的多孔烧结体，所述多孔烧结体由MgAl2O4构成，孔径为0.8μm以上且不足10μm的气孔占总气孔容积之中的30vol%以上且不足90vol%，并且，孔径为0.01μm以上且不足0.8μm的气孔占总气孔容积之中的10vol%以上且不足60vol%，所述绝热材料的20℃以上且1500℃以下的热传导率为0.45W/（m·K）以下，压缩强度为2MPa以上。

公开(公告)号：CN103771851B

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201310374690.2

申请日：2013-08-26

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 赤岭宗子 ,  藤田光广

IPC: C04B35/44 ,  C04B35/622

CPC classification number: C01F7/02 ,  C01F7/162 ,  C04B35/44 ,  C04B35/443 ,  C04B38/0074 ,  C04B2111/28 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/9607 ,  C04B38/0054

Abstract: 本发明提供即使在1000℃以上的高温区域中，导热系数的增加也受到抑制且保持优异的绝热性的绝热材料。其构成为：气孔率为65~90vol%，由化学式XAl2O4（X＝Zn，Fe，Mg，Ni或Mn）表示的尖晶石质的多孔质烧结体形成，孔径超过1000μm的粗大气孔占总气孔容积的25vol%以下、孔径为0.45μm以下的微小气孔占孔径为1000μm以下的气孔的容积中的5~40vol%、孔径为0.14~10μm的范围内具有至少1个气孔径分布峰，烧结体颗粒的算术平均粒径为0.04~1μm。

公开(公告)号：CN103771851A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310374690.2

申请日：2013-08-26

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 赤岭宗子 ,  藤田光广

IPC: C04B35/44 ,  C04B35/622

CPC classification number: C01F7/02 ,  C01F7/162 ,  C04B35/44 ,  C04B35/443 ,  C04B38/0074 ,  C04B2111/28 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/9607 ,  C04B38/0054

Abstract: 本发明提供即使在1000℃以上的高温区域中，导热系数的增加也受到抑制且保持优异的绝热性的绝热材料。其构成为：气孔率为65~90vol%，由化学式XAl2O4（X＝Zn，Fe，Mg，Ni或Mn）表示的尖晶石质的多孔质烧结体形成，孔径超过1000μm的粗大气孔占总气孔容积的25vol%以下、孔径为0.45μm以下的微小气孔占孔径为1000μm以下的气孔的容积中的5~40vol%、孔径为0.14~10μm的范围内具有至少1个气孔径分布峰，烧结体颗粒的算术平均粒径为0.04~1μm。

公开(公告)号：CN102589286A

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN201210027444.5

申请日：2009-05-07

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 大桥忠 ,  梅本净二郎 ,  一木豪

IPC: F27B14/10 ,  C30B15/10 ,  C04B41/87

CPC classification number: C30B11/002 ,  C30B28/06 ,  C30B29/06 ,  C30B35/002 ,  Y10T117/1024

Abstract: 本发明涉及用于熔化硅的坩埚和该坩埚使用的脱模剂。根据本发明的用于熔化硅的坩埚是包括坩埚主体和至少在该坩埚主体的内表面上形成的保护膜的用于熔化硅的坩埚，该坩埚主体包括耐热部件，其中该保护膜具有SiOxNy的组分，其中X＞0且Y＞0。根据本发明的用于熔化硅的坩埚对于硅块具有优异的释放能力，减小硅熔料中溶入的杂质量，并且可以以低成本制造。此外，本发明提供一种在用于熔化硅的坩埚的制造中使用的脱模剂。

公开(公告)号：CN101333113B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200810109699.X

申请日：2008-06-27

Applicant: 科发伦材料株式会社

Inventor： 冈田裕 ,  大屋锁登志

IPC: C04B35/565 ,  C04B41/89 ,  C23C4/00 ,  C04B35/64 ,  F27D3/12

Abstract: 本发明涉及多层陶瓷电容器烧制用材料、其制造方法和再生方法。所述制造方法包括以下工序：在SiC粉末原料中添加烧结后残碳率小于5.0重量％的量的有机粘合剂进行混合；加入水，进行混炼、成型；在1500℃～2400℃烧结；在氧浓度为2％以上的氧气氛下，于1350℃～1650℃烧制1小时～6小时；通过喷镀法在所形成的SiO2层表面形成由ZrO2或Al2O3构成的覆盖层。所述材料在SiC基材表面形成了SiO2层，表观气孔率为15％以上，表观比重为3.05～3.20，SiC含量为90重量％以上，并且，所述SiO2层表面形成有由ZrO2或Al2O3构成的覆盖层。