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公开(公告)号：CN112447130B
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202011381869.7
申请日：2010-09-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09G3/30 , G09G3/3225 , G09G3/3266 , H10K59/121 , H10K59/131
Abstract: 本发明涉及显示装置和包括显示装置的电子设备。本发明的一个目的在于提供具有减少的功耗的显示装置以及提供具有减少的功耗且在暗处能够长时间地使用的自发光型显示装置。利用薄膜晶体管形成电路，在该薄膜晶体管中使用了高度纯净化的氧化物半导体，并且像素能够保持一定的状态(视频信号已被写入的状态)。因此，即使在显示静止图像的情况下，也能容易地执行稳定的操作。此外，可以延长驱动器电路的操作间隔，这使得显示装置的功耗降低。而且，在自发光型显示装置的像素部分中使用蓄光材料以存储光，由此能够在暗处较长时间地使用该显示装置。
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公开(公告)号：CN119678670A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380058213.7
申请日：2023-07-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种同时实现低功耗和高性能的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管及第一绝缘层。第一晶体管包括第一至第三导电层、第一半导体层及第二绝缘层。第一绝缘层夹在第一导电层和第二导电层之间。第一绝缘层及第二导电层具有到达第一导电层的开口。第一半导体层在开口中与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面及第二导电层的侧面接触。第一半导体层具有隔着第二绝缘层与第三导电层重叠的区域。第二晶体管包括第二半导体层、第二及第三绝缘层以及第四导电层。第二半导体层的端部与第三绝缘层的端部一致或大致一致。第二半导体层具有隔着第二绝缘层及第三绝缘层与第四导电层重叠的区域。
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公开(公告)号：CN119604125A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202411209721.3
申请日：2024-08-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种可用于高清晰的显示装置且具有低驱动电压及良好的电流效率的发光器件。提供一种通过光刻工序制造的包括多个发光单元及位于发光单元之间的中间层的串联型发光器件，其中，中间层包括金属或金属氧化物、包含具有供电子基团的第一缺π电子型杂芳环的第一有机化合物及具有第二缺π电子型杂芳环的第二有机化合物的第一区域，第二有机化合物的LUMO能级比所述第一有机化合物的LUMO能级小0.30eV以上。
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公开(公告)号：CN119585794A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202380054783.9
申请日：2023-07-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括运算装置、总线及存储装置。存储装置包括具有多个读出电路的第一元件层及具有多个单元阵列的第二元件层。各读出电路包括读出放大器。各单元阵列包括存储单元。第二元件层以在第一元件层上重叠的方式设置。存储单元与读出放大器通过位线电连接。存储装置通过总线与运算装置电连接。保持在多个单元阵列中的一个的数据通过多个读出电路中的一个输出到总线。输出到总线的数据以8位的倍数的位宽被输出。
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公开(公告)号：CN119528793A
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202411189641.6
申请日：2024-08-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , H10K50/858 , H10K85/60
Abstract: 提供一种新颖的有机化合物及发光器件。提供一种由通式(G1)表示的有机化合物。注意，在通式中，R1至R4分别独立地表示氢(包括氘)、碳原子数为1至6的取代或未取代的烷基、碳原子数为3至6的取代或未取代的环烷基、碳原子数为6至30的取代或未取代的芳烃基和由通式(G1‑1)表示的取代基中的任意个，R5至R8分别独立地表示氢(包括氘)、碳原子数为1至6的取代或未取代的烷基、碳原子数为3至6的取代或未取代的环烷基、碳原子数为6至30的取代或未取代的芳烃基和由下述通式(G1‑3)表示的取代基中的任意个，并且R5至R8中的至少一个为由通式(G1‑3)表示的取代基。#imgabs0#
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公开(公告)号：CN119522451A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380052680.9
申请日：2023-07-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G09F9/30 , G02F1/1368 , H05B33/02 , H10K50/10 , H10K59/00
Abstract: 提供一种高速驱动的显示装置。该显示装置包括像素、扫描线驱动电路以及电源电路。像素包括第一及第二晶体管，在第二晶体管中，半导体层设置于形成在衬底上的层间绝缘层中的开口的内部。用作第一晶体管的栅电极的第一导电层具有延伸在第一方向上的区域，并与扫描线驱动电路电连接。用作第二晶体管的源电极或漏电极的第二导电层设置在开口之下。第二导电层具有延伸在垂直于第一方向的第二方向上的区域并与电源电路电连接。第一导电层及第二导电层具有隔着层间绝缘层重叠的区域。
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公开(公告)号：CN119452415A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202380045719.4
申请日：2023-06-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种具有新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括第一元件层以及在各层中设置温度检测电路、电压生成电路及存储单元的多个第二元件层。多个第二元件层层叠设置在第一元件层上。存储单元包括具有沟道形成区域的半导体层包含氧化物半导体的晶体管。晶体管包括背栅极。设置在各层中的电压生成电路具有生成供应给设置在同一层中的存储单元所包括的晶体管的背栅极的背栅极电压的功能。温度检测电路具有根据检测温度控制背栅极电压的功能。在第二元件层中，供应给设置在上层中的第二元件层所包括的晶体管的背栅极电压比供应给设置在下层中的第二元件层所包括的晶体管的背栅极电压大。
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公开(公告)号：CN112189265B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201980031762.9
申请日：2019-04-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K50/11 , C09K11/06 , G09F9/30 , H05B33/12 , H10K85/60 , H10K59/12 , H10K101/10 , H10K101/20
Abstract: 提供一种发光效率及可靠性高的发光元件。该发光元件是一种在发光层中包含被用作能量供体的材料和发光材料的发光元件。被用作能量供体的材料具有将三重激发能转换为发光的功能，发光材料发射荧光。发光材料的分子结构是具有发光体和保护基的结构，在客体材料一分子中包含五个以上的保护基。通过将保护基导入到分子中，抑制从被用作能量供体的材料到发光材料的基于德克斯特机理的三重激发能的能量转移。作为保护基使用烷基或支链烷基。从发光材料及被用作能量供体的材料的双方得到发光。
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公开(公告)号：CN111316423B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201880072662.6
申请日：2018-11-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种工作速度得到提高的半导体装置。半导体装置包括写入字线、读出字线、写入位线、读出位线、第一布线及存储单元。存储单元包括具有相同导电型的第一至第三晶体管及电容器。第一至第三晶体管的栅极分别与写入字线、电容器的第一端子、读出字线电连接。电容器的第二端子与读出位线电连接。第一晶体管的源极和漏极中的一个与写入位线电连接，另一个与第二晶体管的栅极电连接。第二晶体管与第三晶体管在读出位线和第一布线间串联电连接。第一至第三晶体管的沟道形成区域例如包括金属氧化物层。
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公开(公告)号：CN111769154B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202010717037.1
申请日：2016-08-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/126 , H10K59/121
Abstract: 包括重叠的两个显示面板的显示装置。上侧的显示面板包括第一显示区域及使可见光透过的区域。下侧的显示面板包括第二显示区域及遮蔽可见光的区域。第二显示区域与使可见光透过的区域重叠。遮蔽可见光的区域与第一显示区域重叠。下侧的显示面板在第二显示区域与遮蔽可见光的区域之间包括第三显示区域。供应给第三显示区域所包括的第一像素的栅极信号及源极信号与供应给第二显示区域所包括的第二像素的栅极信号及源极信号相等。与第二显示区域所包括的其他像素相比，第二像素更靠近第一像素。
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