半导体装置及动态逻辑电路
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119947090A

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202510027475.8

    申请日:2018-11-12

    Abstract: 提供一种工作速度得到提高的半导体装置及动态逻辑电路。半导体装置包括写入字线、读出字线、写入位线、读出位线、第一布线及存储单元。存储单元包括具有相同导电型的第一至第三晶体管及电容器。第一至第三晶体管的栅极分别与写入字线、电容器的第一端子、读出字线电连接。电容器的第二端子与读出位线电连接。第一晶体管的源极和漏极中的一个与写入位线电连接,另一个与第二晶体管的栅极电连接。第二晶体管与第三晶体管在读出位线和第一布线间串联电连接。第一至第三晶体管的沟道形成区域例如包括金属氧化物层。

    存储装置、半导体装置、电子构件以及电子装置

    公开(公告)号:CN110178213B

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN201880006056.4

    申请日:2018-01-09

    Abstract: 减少具有备份功能的存储单元的面积。存储装置包括单元阵列、用来驱动单元阵列的行电路及列电路。单元阵列包括第一电源线、第二电源线、字线、位线对、存储单元及备份电路。单元阵列设置在能够进行电源门控的电源定域中。在单元阵列的电源门控序列中,存储单元的数据备份在备份电路中。备份电路层叠在存储单元的形成区域上。备份电路与存储单元之间设置有多个布线层。第一电源线、第二电源线、字线及位线对设置在彼此不同的布线层中。

    半导体装置及动态逻辑电路

    公开(公告)号:CN111316423B

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN201880072662.6

    申请日:2018-11-12

    Abstract: 提供一种工作速度得到提高的半导体装置。半导体装置包括写入字线、读出字线、写入位线、读出位线、第一布线及存储单元。存储单元包括具有相同导电型的第一至第三晶体管及电容器。第一至第三晶体管的栅极分别与写入字线、电容器的第一端子、读出字线电连接。电容器的第二端子与读出位线电连接。第一晶体管的源极和漏极中的一个与写入位线电连接,另一个与第二晶体管的栅极电连接。第二晶体管与第三晶体管在读出位线和第一布线间串联电连接。第一至第三晶体管的沟道形成区域例如包括金属氧化物层。

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