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公开(公告)号：CN1145531A
公开(公告)日：1997-03-19
申请号：CN96110121.0
申请日：1996-07-03
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔析式会社
IPC: H01L21/302 , B24B29/00
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B37/08 , B28D1/003 , B28D5/00 , H01L21/02019
Abstract: 在本发明中，把切片后的硅片插入托盘14的圆孔15中，把硅片夹持在上磨具13与下磨具12之间，并分别使上磨具13及下磨具12以规定速度转动。由此而同时对硅片两面进行磨削。此时上磨具13以规定荷重压在硅片上，同时下降例如100μm。向上磨具13的开口部13B供给磨削液，把硅片温度控制为一定值。所供给的磨削液在上、下磨具13、12离心力作用下通过各磨具13、12磨削面的槽而不断地供给到硅片两面的整个范围中。
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公开(公告)号：CN1237585C
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN01142424.9
申请日：2001-11-28
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社
IPC: H01L21/322 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/3225
Abstract: 具有在气氛气体G中将硅片W热处理，在其内部新形成空位的热处理工序，该热处理工序的上述气氛气体含有比N2可能分解的温度还低的分解温度的氮化气体。在硅片的制造方法和硅片中，谋求热处理的低温化或短时间化，抑制滑移发生，得到良好的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN1134560C
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN97101020.X
申请日：1997-01-10
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: C30B15/12
CPC classification number: C30B15/12 , C30B15/02 , Y10T117/10 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056
Abstract: 一种拉单晶装置包括：一密封容器；在密封容器内、用于装半导体熔化物的双坩埚，该双坩埚包括在底边相连的外坩埚和内坩埚；以及用于在外坩埚和内坩埚之间的位置向半导体熔化物加入源材料的源材料供应装置；其特征在于：一个限制流动部件装在外坩埚和内坩埚之间的半导体熔化物区域中，以限制半导体熔化物的流动。
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公开(公告)号：CN1097028C
公开(公告)日：2002-12-25
申请号：CN97104937.8
申请日：1997-03-25
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
Abstract: 一种利用安装有提升机构的承载设备来提升环形部件和将其承载和布置在预定位置的环形部件提升设备，它包括一个从提升机构悬挂下来的悬置部件，多个从悬置部件在一个水平平面内沿着径向延伸的支承臂。每个所述支承臂具有一个用于从环形部件的内部支承环形部件的啮合顶部。
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公开(公告)号：CN1096108C
公开(公告)日：2002-12-11
申请号：CN96110121.0
申请日：1996-07-03
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B7/17
CPC classification number: H01L21/02024 , B24B37/08 , B28D1/003 , B28D5/00 , H01L21/02019
Abstract: 在本发明中，把切片后的硅片插入托盘14的圆孔15中，把硅片夹持在上磨具13与下磨具12之间，并分别使上磨具13及下磨具12以规定速度转动。由此而同时对硅片两面进行磨削。此时上磨具13以规定荷重压在硅片上，同时下降例如100μm。向上磨具13的开口部13B供给磨削液，把硅片温度控制为一定值。所供给的磨削液在上、下磨具13、12离心力作用下通过各磨具13、12磨削面的槽而不断地供给到硅片两面的整个范围中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1356720A
公开(公告)日：2002-07-03
申请号：CN01142424.9
申请日：2001-11-28
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社
IPC: H01L21/322 , H01L21/324
CPC classification number: H01L21/3225
Abstract: 具有在气氛气体G中将硅片W热处理,在其内部新形成空位的热处理工序,该热处理工序的上述气氛气体含有比N2可能分解的温度还低的分解温度的氮化气体。在硅片的制造方法和硅片中,谋求热处理的低温化或短时间化,抑制滑移发生,得到良好的表面粗糙度。
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公开(公告)号：CN1083019C
公开(公告)日：2002-04-17
申请号：CN96123985.9
申请日：1996-12-27
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: C30B15/12
CPC classification number: C30B15/12 , Y10S117/90 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056
Abstract: 一种单晶提拉装置，其中半导体熔体储存在外坩埚内，作为部件的圆筒形内坩埚安装在外坩埚内因而形成双坩埚，半导体单晶从内坩埚内的半导体熔体提拉。内坩埚含有形成双坩埚时形成的连接部分，令半导体熔体流入内坩埚之内，并且连接部分结合去除吸附到连接部分气泡的装置。
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公开(公告)号：CN1336684A
公开(公告)日：2002-02-20
申请号：CN01124739.8
申请日：2001-08-01
Applicant: 三菱麻铁里亚尔株式会社 , 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/1054 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02505 , H01L21/0251 , H01L21/02532 , H01L29/66916
Abstract: 在半导体衬底、场效应晶体管、SiGe层的形成方法及使用方法的变形Si层的形成方法和场效应晶体管的制造方法中,降低了SiGe层的贯通错位密度,而且也减小了表面粗糙度。在Si衬底1上设置将从基底材料的Ge组成比起使Ge组成比逐渐增加的SiGe的倾斜组成层2a、12a和以该倾斜组成层的上表面的Ge组成比在倾斜组成层上配置的SiGe的固定组成层2b、12b成为交替地层叠多层的状态而构成的SiGe缓冲层2、12a。
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公开(公告)号：CN1162027A
公开(公告)日：1997-10-15
申请号：CN97101233.4
申请日：1997-02-05
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔石英材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: C30B15/10
CPC classification number: C30B15/12 , Y10T117/10
Abstract: 单晶拉制装置包括设置在气密的容器2内用来存储半导体熔料21的外坩埚11以及包括圆柱形隔体的安装在外坩埚11上以构成双坩埚的内坩埚30，其中，从存储在内坩埚30内的半导体熔料21中拉制半导体单晶26。内坩埚30由石英构成并且包括内层A、外层C和位于内层和外层之间的中间层B，并且，中间层B由具有比构成内坩埚30的内层A和外层C的石英所包含的气泡含量更高的气泡含量的石英构成。
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公开(公告)号：CN1160779A
公开(公告)日：1997-10-01
申请号：CN97101020.X
申请日：1997-01-10
Applicant: 三菱麻铁里亚尔硅材料株式会社 , 三菱麻铁里亚尔株式会社
IPC: C30B15/12
CPC classification number: C30B15/12 , C30B15/02 , Y10T117/10 , Y10T117/1052 , Y10T117/1056
Abstract: 一种拉单晶装置包括：一密封容器；在密封容器内、用于装半导体熔化物的双坩埚，该双坩埚包括在底边相连的外坩埚和内坩埚；以及用于在外坩埚和内坩埚之间的位置向半导体熔化物加入源材料的源材料供应装置；其特征在于：一个限制流动部件装在外坩埚和内坩埚之间的半导体熔化物区域中，以限制半导体熔化物的流动。
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