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公开(公告)号：CN112481702A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011213499.6
申请日：2020-11-04
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
摘要： 本发明属于光伏制备领域，一种循环利用电解液溶液的黑硅制绒工艺，包括制绒前后采用电解法在硅片的表面依次进行金属颗粒沉积步骤和金属颗粒离子化步骤，所述的金属颗粒沉积步骤和金属颗粒离子化步骤是在同一个电解池装置中完成的；其中，所述的电解池装置包括直流电源、电解液和分别与直流电源的正负极连接的金属棒和硅片组成的阴极或阳极。本发明在硅片制绒过程中，通过在同一个电解池中完成硅片表面的金属颗粒沉积和金属颗粒离子化两个步骤，使电解出的金属离子在电解液始终处于循环利用状态，无需回收处理，同时降低生产成本和避免对水的污染。
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公开(公告)号：CN112382701A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011220405.8
申请日：2020-11-05
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种校准管式PECVD石墨舟的方法，首先人工检测待校准的石墨舟连接块、舟片有无断裂、变形或破损，如果有请及时更换，人工检测待校准的石墨舟舟内或卡点内有无异物，如有异物及时进行清理或者清洗；然后将待校准的石墨舟放置在校准台上进行检测。本发明实施的校准方法可以简单准确的校准光伏太阳能管式PECVD石墨舟，解决了因石墨舟引起的掉片、划伤和破片报警等问题，提高了电池片的合格率，增加了车间的产量。
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公开(公告)号：CN112382698A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011187845.8
申请日：2020-10-30
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0224 , H01L31/0216 , C23C16/50 , C23C16/02 , C23C16/40 , C23C16/30 , C23C16/34
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。适用于碱抛工艺单晶PERC‑SE双面电池制作方法，顺序按照清洗制绒、扩散制结、激光掺杂、PSG+碱抛、二氧化硅层制备、背钝化膜制备、正面氮化硅层制备、背面激光开槽、正背面电极制备的工艺步骤制备，二氧化硅层制备时，采用热氧化方法在硅片正、背面沉积一层二氧化硅薄膜，其中，热氧化温度：300‑900℃，氧气流量：100‑10000sccm，时间：2‑50min。采用碱抛SE工艺，SE实现降低硅片和电极之间的接触电阻，又降低了表面的复合，提高了少子寿命，使得短路电流、开路电压和填充因子都能得到较好的改善，从而提高转换效率。
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公开(公告)号：CN112071919A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202011015384.6
申请日：2020-09-24
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种新型P型晶硅TOPCon电池结构，该P型晶硅TOPCon电池背面自下而上为氮化硅层SixNy、硼掺杂氧化硅层SiOx(B)、二氧化硅层（SiO2）。本发明还涉及该新型P型晶硅TOPCon电池结构的制备工艺。本发明不仅与当前P型PERC电池制程工艺兼容性高，设备投入额小，而且解决了硼掺杂绕度的问题，制造过程产品良率高达98%以上。
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公开(公告)号：CN112018206A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202011013403.1
申请日：2020-09-24
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明属于光伏晶硅电池制造领域。一种N型晶硅电池结构，背面膜层结构自下而上为氮化硅层、氧化硅层、磷硅玻璃层、重掺杂层，其中磷硅玻璃层和重掺杂层通过磷扩散形成，氮化硅层和氧化硅层使用PECVD设备沉积。本发明还涉及N型晶硅电池结构制备工艺，磷硅玻璃层与重掺杂层重掺杂层的存在，使其在充当电子选择层的同时，有效降低背面的接触电阻，提高电池效，而外层的氧化硅，进一步对硅基体背表面进行化学钝化，降低少数载流子在表面的复合速率。
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公开(公告)号：CN111933750A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010767163.8
申请日：2020-08-03
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本发明涉及SE—PERC太阳能电池生产领域。一种热氧化碱抛光SE—PERC太阳能电池制备方法，在硅片双面形成绒面；在硅片表面进行磷扩散，磷扩散后硅片方阻为100-170Ω/sq；在硅片正面进行激光重掺杂，完成后，硅片重掺杂区域方阻与未掺杂区域方阻差值为30-70Ω/sq；在硅片正面重掺杂区形成热氧化二氧化硅保护层，二氧化硅保护层厚度为1.0-4.0nm；去除硅片背面磷硅玻璃；对硅片背面进行碱抛光；对硅片进行氧化处理；在硅片正面沉积氮化硅膜；在硅片背面沉积钝化膜；对硅片背面进行激光开膜；在硅片背面印刷背电极银浆、背电场铝浆，正面印刷正电极银浆；进行高温烧结，形成硅基电池；烧结完成后的硅基电池进行电注入。
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公开(公告)号：CN111883618A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN202010767827.0
申请日：2020-08-03
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
摘要： 本发明涉及太阳能电池制备领域，一种臭氧化碱抛光SE—PERC太阳能电池制备方法，制备过程中，严格按制绒、扩散、正面重掺杂、臭氧化、背面去PSG、碱抛光、正面氧化、正面沉积氮化硅膜、背面沉积钝化膜、背面激光开孔、电极印刷、高温烧结、电注入的工艺步骤进行，其中，臭氧化步骤中，在常温下，在正面重掺杂区用臭氧进行氧化，形成1.0-4.0nm致密的二氧化硅保护层，本发明通过采用臭氧化和碱抛光结合，有效防止了在传统碱抛光过程中表面磷松落导致的方阻上升问题，防止了电极印刷后银硅接触差，降低电池转化效率的问题。
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公开(公告)号：CN111668145A
公开(公告)日：2020-09-15
申请号：CN202010515724.5
申请日：2020-06-09
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及太阳能电池生产领域。一种太阳能电池片推片方法，使用推杆器将导轨装置将第一太阳能电池片载体中的太阳能电池片推进到第二太阳能电池片载体中，第一太阳能电池片载体中有第一齿，第二太阳能片载体中有第二齿，第一齿和第二齿的齿距和齿数相同，导轨装置为通过左侧板和右侧板将上板和下板固定在一起的一个口字型框架，上板和下板的内侧有对应的第三齿，第三齿和第一齿的齿距和齿数相同。通过本发明方法可以快速把一个设备载体中的硅片快速导入到另外一个设备载体中。
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公开(公告)号：CN111628010A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN202010516003.6
申请日：2020-06-09
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18 , C23C16/30 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/50
摘要： 本发明涉及晶硅电池背钝化领域。一种晶硅电池背钝化叠层结构，背面膜层结构自下而上为SixNy/SiOxNy/AlOx，AlOx膜之上为P型硅基体，其中，氧化铝AlOx膜层的折射率为1.6-1.65，膜厚为5-10nm，氮氧化硅SiOxNy膜层的折射率为1.7-2.0，厚度为10-20nm,氮化硅SixNy减反膜层的折射率为2.1-2.3，厚度为100-120nm，叠层总厚度为100-150nm，x和y为正实数。本发明还涉及该晶硅电池背钝化叠层结构的制备工艺。相比主流的氧化铝工艺，本电池结构制造成本较低。
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公开(公告)号：CN111584667A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010519716.8
申请日：2020-06-09
申请人： 山西潞安太阳能科技有限责任公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及N型晶硅TOPCon电池生产领域。一种新型N型晶硅TOPCon电池结构，背面膜层结构自下而上为SixNy/SiOx/SiOxNy，其中，中间SiOx为磷掺杂的膜层；其中，SiOxNy层的折射率为1.7-2.0，厚度为3-5nm，SiOx层折射率为1.5-1.7，厚度为50-100nm，SixNy层折射率为2.1-2.3，厚度为70-80nm。本发明还涉及该电池结构的制备工艺。本发明不仅与当前P型PERC电池制程工艺兼容性高，设备投入额小，而且解决了磷掺杂绕度的问题，制造过程产品良率高。
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