-
公开(公告)号：CN1825565B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN200610004824.1
申请日：2000-06-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8234
CPC classification number: H01L51/52 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/3211 , H01L27/3244 , H01L27/3258 , H01L51/0005 , H01L51/0038 , H01L51/0042 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/0087 , H01L51/5237 , H01L51/524 , H01L51/5253 , H01L51/529
Abstract: 本发明的目的在于提供一种用于制作电光器件的方法，包括：在一个绝缘表面上形成具有多栅极结构的开关薄膜晶体管；在所述开关薄膜晶体管上形成一个钝化膜；在所述钝化膜上形成一个阳极，所述阳极电连接到所述开关薄膜晶体管；通过喷墨法在所述阳极上形成一个EL层；以及在所述EL层上形成一个阴极。
-
公开(公告)号：CN101609513B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN200910203520.1
申请日：2004-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/07
CPC classification number: G06K19/0701 , G06K19/0723
Abstract: 本发明的名称是“半导体器件及其驱动方法”。在无电池RFID芯片中业已存在的问题是，在天线受到强电磁场作用时会产生出高电压AC信号，因此，通过对AC信号整流所得到的DC电压也成为高电压。因此，出现了逻辑电路和时钟发生器电路的发热或元件损坏。本发明采取了如下措施：将通过AC信号整流所产生的DC电压与参考电压在比较电路中进行比较，并在DC电压更高时使开关元件转至ON以便将电容量加到天线电路上。因此，天线谐振点改变，其再衰减天线电路中产生的AC信号，从而抑制DC电压。
-
公开(公告)号：CN102971784A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180032159.6
申请日：2011-06-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/342 , G09G3/3648 , G09G3/3677 , G09G2310/0235
Abstract: 本发明的目的之一是抑制通过场序制方法进行显示的液晶显示装置的图像质量的劣化以及减少背光灯的耗电量。像素中的第一颜色光的最高亮度被检测。进行伽马校正来将显示第一颜色光的最高亮度的区域的像素的透光率设定为最大值并根据第一颜色光强度的降低使该区域的另一个像素的透光率减少，并且第一颜色光的最高亮度对该区域进行照射。同样地，在与第一颜色光的照射的同时，将第二颜色光照射到另一个区域，由此在像素部的每个区域中同时进行图像信号的输入及背光灯的点亮。
-
公开(公告)号：CN101673508B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200910160467.1
申请日：2003-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L33/08 , G09G3/3233 , G09G2300/0426 , G09G2300/0842 , G09G2310/0254 , G09G2320/043 , H01L27/3211 , H01L27/3262 , H01L27/3265 , H01L27/3295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种实现高孔径比的发光器件，其中图像的质量几乎不受TFT特性变化的影响。在像素部分中不提供大保持电容Cs，而是将驱动TFT的沟道长度和沟道宽度增加，并将沟道电容用作Cs。选择沟道长度显著大于沟道宽度，以改善饱和区的电流特性，并且将高VGS作用于驱动TFT以获得期望的漏极电流。因此，驱动TFT的漏极电流几乎不受阈值电压变化的影响。此外，设计像素时，导线被安排在隔离壁下面，TFT安排在导线下面，从而尽管增加驱动TFT的尺寸也可以避免减小孔径比。在3晶体管像素的情况下，开关TFT和擦除TFT线性排列，以进一步增加孔径比。
-
公开(公告)号：CN102804603A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080065583.6
申请日：2010-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K3/356 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: G11C11/4074 , G11C11/412 , G11C27/024 , H01L27/1222 , H01L27/1225 , H01L27/1251 , H03K3/0375 , H03K3/356008
Abstract: 一个目的是提供一种对其不需要复杂制造过程并且能够抑制其功率消耗的存储器装置以及包括该存储器装置的信号处理电路。在包括用以将输入信号的相位倒相并且输出信号的诸如倒相器或拍频倒相器之类的倒相元件的存储器元件中，设置保持数据的电容器以及控制电容器中的电荷的存储和释放的开关元件。对于开关元件，使用在沟道形成区中包含氧化物半导体的晶体管。存储器元件适用于信号处理电路中包含的诸如寄存器或高速缓冲存储器之类的存储器装置。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101211552B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200710300484.1
申请日：2007-12-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/2096 , G06F3/14 , G06F3/147 , G09G3/2092 , G09G2330/02 , G09G2370/16 , G09G2380/04 , G09G2380/06 , H04N5/66
Abstract: 本发明的目的是提供一种不需要用于连接到显示器件并将图像信号直接输入到显示器件的诸如FPC或电缆那样的输入/输出端子并且可以提供操作者想要的设置值、显示图像等等的显示器件。本发明的显示器件包括显示部分、从外部操作或输入的控制台部分、用来发送和接收无线电信号的天线部分、用来控制输入到控制台部分的信号和在天线部分发送或接收的信号的控制器部分、和将在天线部分接收的无线电信号变换成电功率并保持该电功率以驱动显示部分的电池部分。
-
公开(公告)号：CN102742003A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201080061571.6
申请日：2010-12-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8247 , G11C11/402 , G11C11/405 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: G11C11/409 , G11C11/404 , G11C16/02
Abstract: 目的是提供即使没有提供电源时也可保持所存储的数据的半导体器件，且对于写入周期的次数没有限制。本发明的半导体器件，包括源极线、位线、第一信号线、第二信号线、字线、连接在该源极线和位线之间的存储单元、电连接至该位线的第一驱动电路、电连接至第一信号线的第二驱动电路、电连接至第二信号线的第三驱动电路、以及电连接至字线和源极线的第四驱动电路。使用除氧化物半导体之外的半导体材料形成第一晶体管。使用氧化物半导体材料形成第二晶体管。
-
公开(公告)号：CN102637718A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210115329.3
申请日：2006-05-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/20 , G06F3/1431 , G09G3/2022 , G09G5/399 , G09G2300/0426 , G09G2320/0271 , G09G2320/0606 , G09G2320/0613 , G09G2320/0666 , G09G2320/10 , G09G2330/021 , G09G2340/0428 , G09G2340/0492 , G09G2340/14 , G09G2360/144 , H01L27/3269 , H01L27/3279 , H04M1/0214 , H04M1/0266 , H04M1/22 , H04M2250/16
Abstract: 本发明的目的是提供其中显示部件在暗区或在强外部光下可见的显示设备。本发明是通过改变响应外部光强的灰度数来进行显示的显示设备，和可以根据屏幕上显示的内容转换显示模式的显示设备。显示内容包括主要显示字符和符号的文本显示模式，显示具有少量颜色的图像如漫画的图片显示模式，和显示具有大量颜色的自然图像比如照片和运动图像的视频模式等。通过根据这些显示模式任意转换灰度数，可以在从暗区或者室内荧光照明下到户外太阳光下的宽范围内确保能见度。例如，转换灰度数以在文本显示模式下以2-8级灰度显示，在图片显示模式下以4-16级灰度显示，在视频模式下以64-1024级灰度显示。
-
公开(公告)号：CN102598249A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201080048570.8
申请日：2010-10-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/8242 , H01L21/8247 , H01L27/10 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L27/088 , G11C11/404 , G11C11/405 , G11C16/02 , H01L27/0207 , H01L27/1052 , H01L27/115 , H01L27/11517 , H01L27/1156 , H01L27/1225
Abstract: 本发明的目的之一就是提供一种具有新的结构的半导体装置。半导体装置中串联连接有多个存储元件，该多个存储元件中的每一个包括第一至第三晶体管，第一晶体管包含氧化物半导体层，其源极或漏极与第二和第三晶体管中的一个的栅电极接触。包含氧化物半导体层的第一晶体管的截止电流极低，允许在第二和第三晶体管中的一个的栅电极中长时间保持电荷，由此能够获得实际上永久存储器效应。在使用存储电路时，不含氧化物半导体层的第二和第三晶体管允许高速工作。
-
公开(公告)号：CN102576736A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201080046492.8
申请日：2010-09-15
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/12 , H01L27/124
Abstract: 对于以显示装置为代表的半导体器件，一个目的是提供大尺寸或高清晰度屏幕对其可适用并且具有高显示质量并且稳定操作的极可靠半导体器件。通过使用包含Cu的导电层作为长引线布线，抑制布线电阻的增加。此外，包含Cu的导电层按照如下方式来设置：使得它没有与其中形成了TFT的沟道区的半导体层重叠，并且由包含氮化硅的绝缘层围绕，由此能够防止Cu的扩散；因此能够制造极可靠的半导体器件。具体来说，作为半导体器件的一个实施例的显示装置甚至在其尺寸或清晰度增加时也能够具有高显示质量并且稳定操作。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
852
records
(took 0.061 seconds)
