公开(公告)号：CN1802749A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200480016071.5

申请日：2004-06-11

Applicant: 株式会社丰田自动织机 ,  新泻精密株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西牟田武史 ,  宫城弘 ,  须川成利 ,  寺本章伸

IPC: H01L27/092 ,  H03D7/14 ,  H04B1/30 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 在硅衬底上形成高度为HB、宽度为WB的矩形平行六面体突出部分(21)，并且在该突出部分(21)的上壁表面及侧壁表面部分上形成栅极氧化膜。在栅电极(26)的两个对边上形成源极和漏极，从而形成MOS晶体管。该MOS晶体管用于配置直接转换的频率转换电路和接收电路。以这种方式，可降低直接转换接收的频率转换电路中I和Q信号的误差。

公开(公告)号：CN1799132A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN200480015408.0

申请日：2004-05-31

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L21/82385 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种半导体装置，在具有多个结晶面的立体构造的硅基板表面，使用等离子体形成栅极绝缘膜。等离子体栅极绝缘膜，即使在多个结晶面中也不会增加界面水平，且立体构造的角部中也具有均匀的膜厚。由此，通过由等离子体形成高品质的栅极绝缘膜，能够得到特性良好的半导体装置。

公开(公告)号：CN1795547A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200480014594.6

申请日：2004-05-24

Applicant: 大见忠弘 ,  矢崎总业株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  赤堀浩史 ,  二井启一 ,  渡边高训

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L21/28211 ,  H01L29/045 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66734

Abstract: 在形成于基本上含有(110)平面的硅表面上的P－沟道功率MIS场效应晶体管中，使用栅极绝缘膜，该栅极绝缘膜提供10V或以上的栅极－至－源极击穿电压，并且平面化硅表面，或者含有Kr、Ar或Xe。

公开(公告)号：CN1255574C

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN01112386.9

申请日：2001-01-13

Applicant: 夏普公司 ,  大见忠弘

Inventor： 山本达志 ,  冈本昌也 ,  平山昌树 ,  大见忠弘

IPC: C23C16/513 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32192 ,  C23C16/511

Abstract: 在反应容器1的上壁1a上配置多个微波导入窗2a、2b。向与反应容器1的侧壁1b的位置关系中处于等效位置配置的例如2个微波导入窗2a投入相同功率的微波，而向处于非等效位置关系的例如2个微波导入窗2a、2b投入不同功率的微波。从而，能够得到即使在反应室内生成等离子体的负载阻抗不同时，仍能实现均匀的等离子体处理，成本低廉的等离子体处理装置。

公开(公告)号：CN1768431A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200480009209.9

申请日：2004-03-31

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  寺本章伸 ,  若松秀利 ,  小林保男

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/318

CPC classification number: H01L21/318 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518

Abstract: 为了提供一种由于将High－K绝缘膜维持在高相对介电常数状态从而具有良好特性的半导体器件，或者为了提供一种能够将High－K绝缘膜维持在高相对介电常数状态的半导体器件的制造方法，在本发明中，配有硅基板、栅电极层和栅绝缘膜，其中所述栅绝缘膜配置在所述硅基板与所述栅电极层之间。而且，所述栅绝缘膜是通过氮化处理金属与硅的混合物而形成的高相对介电常数(high－K)膜。通过使High－K膜本身成为氮化物，可以防止SiO2的生成。

公开(公告)号：CN1751415A

公开(公告)日：2006-03-22

申请号：CN200480004525.7

申请日：2004-02-17

Applicant: 大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  森本明大 ,  中村史明

IPC: H01Q1/38

CPC classification number: H01Q9/0485

Abstract: 在通过使电介质谐振来发射电波的电介质谐振器天线中，通过使电介质含有磁性体，使相对磁导率大于1且降低相对介电常数，从而以维持波长缩短率的状态使谐振的Q值降低，由此，实现宽频带的电介质谐振器天线。

公开(公告)号：CN1700427A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510077566.5

申请日：2002-03-28

Applicant: 大见忠弘 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  平山昌树 ,  须川成利 ,  后藤哲也

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/00 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32211 ,  H01J37/32192

Abstract: 一种使用了放射线槽天线的微波等离子体处理装置，由与滞波板(18)的热膨胀率接近的材料或通过在构成滞波板(18)的电介质板上附着金属来形成槽板(16)。提高天线中滞波板与构成微波辐射面的槽板之间的粘附性，防止异常放电。

公开(公告)号：CN1599638A

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN02824130.4

申请日：2002-12-04

Applicant: 日本酸素株式会社 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  石原良夫 ,  中村章宽

IPC: B01D53/68 ,  B01D53/46 ,  C01B23/00 ,  H01L21/31

CPC classification number: C01B23/0052 ,  B01D53/46 ,  B01D53/68 ,  B01D53/70 ,  B01D53/74 ,  B01D2257/11 ,  B01D2257/2066 ,  C01B23/001 ,  C01B2210/0029 ,  C01B2210/0035 ,  C01B2210/0042 ,  Y02P20/154

Abstract: 本发明提供了一种在不受废气流量变化以及组成变化影响的条件下，有效地分离精制废气中的有用气体组分并再次供给、而且可以有效地补充所消耗的组分的供气方法及其装置。在回收气体使用设备中排出的废气，分离精制该废气中所含的有用气体组分，将得到的有用气体组分供给到上述气体使用设备中的供气方法中，在从上述气体使用设备中排出的废气中，添加与上述有用气体组分相同组分的补充气体后分离精制有用气体组分。

公开(公告)号：CN1175198C

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：CN00809795.X

申请日：2000-06-05

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘

Inventor： 大见忠弘 ,  西野功二 ,  池田信一 ,  山路道雄 ,  土肥亮介 ,  出田英二 ,  广濑隆

IPC: F16K47/08

Abstract: 提供一种节流孔内设阀，不仅能够降低制造成本，而且能够提高节流孔的加工精度并在进行阀的组装时能够防止节流孔变形，从而能够获得优良的流量控制特性。发明的节流孔内设阀具备形成有气体流入通路和气体流出通路的耐热材料制造的阀本体，形成有气体流出通路及阀座的合成树脂制造的阀座体，耐热材料制造的节流孔盘，以及使阀座体的气体流出通路缩径的节流孔，并设有气体流入通路和阀座体插装孔的耐热材料制造的内盘插在阀本体阀室内，通过对该内盘的外周缘从上方进行推压，而使得插装于阀座体插装孔内的阀座体和容纳于阀座体的凹部内的节流孔盘呈气密状态固定在阀本体上。

公开(公告)号：CN1156738C

公开(公告)日：2004-07-07

申请号：CN00801645.3

申请日：2000-07-27

Applicant: 株式会社富士金 ,  大见忠弘 ,  饭田精一 ,  东京毅力科创株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  饭田精一 ,  加贺爪哲 ,  广濑润 ,  深泽和夫 ,  小泉浩 ,  长冈秀树 ,  宇野富雄 ,  西野功二 ,  池田信一 ,  土肥亮介 ,  出田英二

IPC: G05B23/02 ,  F16K17/22 ,  G05D7/06 ,  G01D21/00

Abstract: 在利用节流孔的压力式流量控制装置上，一面进行流体的流量控制，一面简便地检测节流孔的堵塞的方法。即在将上游侧压力Pi保持在下游侧压力P2的约2倍以上，按QC＝KP1(K为常数)计算下游侧流量QS，根据该计算流量QC与设定流量Qs的差信号Qy对控制阀CV进行开闭控制的流量控制装置FCS中，由另外设置的检定回路或流量设定回路向控制阀CV输出具有检定振幅VO的检定用信号ΔQS，测定应答该控制阀CV的开闭而产生的上游侧压力P1的脉动压力ΔP1的压力振幅V，当该压力振幅V小于极限振幅Vt时，报知节流孔堵塞的方法。将检定用信号ΔQS叠加在正常设定流量信号QSO上向控制阀CV输出时，能一面根据正常设定流量信号QSO进行流量控制一面检知流量异常。