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公开(公告)号：CN102237488B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201010152455.7
申请日：2010-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器的器件单元及其制备方法，该器件单元的加热电极材料为倒锥形，其底面面积小于顶面面积，且位于相变材料单元上方，并向下延伸与相变材料单元接触。本发明先制备好相变材料，然后采用先进半导体刻蚀技术制备出倒锥形的孔，填入加热电极材料并平坦化，使得相变区域发生在相变材料的上沿。由于采用先进的刻蚀技术，可以将倒锥形的孔下端的尺寸进一步缩小，减小加热电极材料与相变材料接触面积，从而达到降低器件单元操作电流、降低功耗和增加器件可靠性的目的。
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公开(公告)号：CN101980109B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201010528933.X
申请日：2010-11-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F3/01 , G06F3/0346
Abstract: 本发明揭示了一种无线操控显示系统，包括显示装置、无线操作装置；显示装置包括显示单元、计算机系统、传感器；传感器能够感知和反馈到来自于无线操作装置的光信号，传感器将来自于无线操作装置的操作信号反馈回计算机系统，形成对显示装置和集成计算机系统的非接触式操作；无线操作装置至少包含非触摸控制单元，非触摸控制单元包括定位部分和操作部分；由定位部分来定位所需选择的选项和所需操作的位置；由操作部分来点击选项、进行操作，实现非接触式控制和操作。本发明通过光信号点击装置实现带有传感器阵列显示装置的操作，传感器将操作反馈到计算机系统，实现对显示系统的全方位操作，有望在智能电视系统中获得广泛的应用。
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公开(公告)号：CN101752312B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200810203942.4
申请日：2008-12-03
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/822 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开了一种具有双浅沟道隔离槽的高密度二极管阵列的制造方法，其首先在具有第一导电类型的衬底上采用侧墙技术等工艺手段制作出相互独立的字线阵列，并使各字线由较深的浅沟道隔离槽(STI)隔离，再通过沉积及光刻等工艺，在每一STI的底部及部分侧壁，沉积含有易扩散第二导电类型原子的材料层，接着采用高温退火等处理方法使上述材料层中的第二导电类型原子扩散至相应各字线中，然后再采用离子注入及光刻等工艺在各字线上形成两层不同导电类型的薄层，并再次采用侧墙技术等工艺手段分离处于同一字线上的各二极管，且使各二极管之间被较浅的STI所分离，最后进行介质材料填充及平坦化形成二极管阵列，此方法制作的二极管阵列密度高，成本具有一定优势。
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公开(公告)号：CN101826463B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201010138167.6
申请日：2010-04-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/329 , H01L21/28 , H01L29/872 , H01L45/00
Abstract: 本发明提供的共用金属层的肖特基二极管和相变存储阵列的制造方法在制造形成肖特基二极管结构后，以肖特基二极管的金属层作为相变存储器的下电极，在其金属层上继续沉积不具有下电极的相变存储器结构，由此实现肖特基二极管和相变存储器的金属层共享，通过这种驱动二极管和相变存储器共用金属层的结构，可以有较少的工艺步骤制造了二极管和相变存储器阵列，有效节省了光刻次数，提高器件稳定性，通过采用特定的半导体，使得电极金属和半导体层之间形成稳定的肖特基接触。作为本发明的一部分，还包括采用前述方法所形成的肖特基二极管和相变存储器的共用金属层的结构。
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公开(公告)号：CN102347446A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110331342.8
申请日：2011-10-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料。本发明的用于相变存储器的Ge-Sb-Te富Ge掺N相变材料，其化学成分符合化学通式Nx[(Ge1+yTe)a(Sb2Te3)b]100-x，0＜y≤3，0＜x≤35，a=1或2，b=1或2。该相变材料为在外部能量作用下具有可逆相变的存储材料。采用磁控溅射时，通过控制各靶材靶位的电源功率和N2/Ar2流量比来调节各组分的原子百分含量，可得到不同结晶温度、熔点和结晶激活能的相变存储材料。本发明Ge-Sb-Te富Ge掺N的相变材料，相比于传统的Ge2Sb2Te5薄膜材料来说，具有较高的结晶温度，较好的数据保持力，较好的热稳定性，较低的功耗等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101794808B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN201010127295.0
申请日：2010-03-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/82 , H01L21/763
Abstract: 本发明揭示了一种电阻转换存储器装置及其制造工艺，所述电阻转换存储器装置通过双浅沟道隔离形成二极管阵列，深度不同的第一浅沟道与第二浅沟道非正交相交；第一浅沟道将第一导电类型的重掺杂导电半导体线分隔开，形成多根半导体线；第二浅沟道则在同一重掺杂导电半导体线上方隔离形成多个二极管；二极管对应所需选通的电阻转换存储器单元。
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公开(公告)号：CN102268738A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110196219.X
申请日：2011-07-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及相变材料及其制备方法，尤其是可用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变薄膜材料。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料，是在Sb-Te相变材料的基础上掺入Ti而成，掺入的Ti与Sb、Te均成键，其化学通式为SbxTeyTi100-x-y，其中0＜x＜80，0＜y＜100-x。现有的Sb-Te相变材料结晶过程以晶粒生长占主导，因此相变速率快，然而保持力不能满足工业要求。本发明的Sb-Te-Ti新型相变存储材料的结晶温度得到大幅度地升高，保持力提升，热稳定性增强；同时，非晶态电阻降低，晶态电阻升高；可广泛应用于相变存储器。
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公开(公告)号：CN101546810B
公开(公告)日：2011-11-23
申请号：CN200910050392.1
申请日：2009-04-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种含锗锑硒的多级电阻转换存储材料及应用，其组分包括锗、锑、硒三种元素，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为0.01～20∶70～99.9∶0.01～15；该材料可应用于电编程的电阻转换存储器等领域的制备；由于该锗锑硒合金材料的电阻率具有随温度变化的特性，从而可以应用到电阻转换存储器中，采用电信号或者激光改变器件的电阻，实现数据的存储功能。
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公开(公告)号：CN102237488A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201010152455.7
申请日：2010-04-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器的器件单元及其制备方法，该器件单元的加热电极材料为倒锥形，其底面面积小于顶面面积，且位于相变材料单元上方，并向下延伸与相变材料单元接触。本发明先制备好相变材料，然后采用先进半导体刻蚀技术制备出倒锥形的孔，填入加热电极材料并平坦化，使得相变区域发生在相变材料的上沿。由于采用先进的刻蚀技术，可以将倒锥形的孔下端的尺寸进一步缩小，减小加热电极材料与相变材料接触面积，从而达到降低器件单元操作电流、降低功耗和增加器件可靠性的目的。
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