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公开(公告)号：CN105738990B
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201610281035.6
申请日：2016-04-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种强透射特性的等离激元波导滤波器，属于微纳光电子领域，包括光纤衬底、金属膜和电介质层，光纤衬底设置在金属膜的正下方，电介质层铺设在金属膜的上表面，金属膜上均匀排列设置有N个单位孔阵列结构，其中，每个单位孔阵列结构的中心设置有一个纳米狭缝；纳米狭缝包括一个方形孔和四个圆形孔；方形孔和四个圆形孔形成花朵形；其中两个圆形孔与方形孔两边相连接，水平设置，两个圆形孔圆心与方形孔中心在一条直线上，关于方形孔对称；另外两个圆形孔与方形孔另外两边相连接，竖直设置，两个圆形孔圆心与方形孔中心在一条直线上；每个圆形孔均与其中两个圆形孔两两相连接；纳米狭缝贯通于金属膜和电介质层的上下表面。
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公开(公告)号：CN105390819B
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201510921965.9
申请日：2015-12-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本发明公开一种超宽带电磁超表面圆极化器，由介质基板、印制在介质基板顶面的金属谐振阵列和印制在介质基板背面的金属接地板组成。金属谐振阵列由多个呈周期性矩阵排列的微缝耶路撒冷十字单元组成；每个微缝耶路撒冷十字单元的结构参数相同，并由2个正交的I形金属臂构成，即介质表面水平方向即X轴延伸的水平I形金属臂和介质表面垂直方向即Y轴延伸的垂直I形金属臂；水平I形金属臂的中部水平金属线的中心和垂直平I形金属臂的中部垂直金属线的中心相交；水平I形金属臂的中部水平金属线上刻蚀有2条贯穿该中部水平金属线的微型缝隙；这2条微型缝隙对称位于垂直I形金属臂的中部垂直金属线的左右两侧。本发明具有工作频率宽的特点。
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公开(公告)号：CN107478597A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710719825.2
申请日：2017-08-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G01N21/359
CPC classification number: G01N21/359
Abstract: 本发明公开了一种基于双透射峰的金属矩形狭缝阵列结构等离子光纤传感器，包括金属薄膜以及开设在金属薄膜上的周期矩形狭缝阵列结构，单个周期矩形狭缝阵列结构为在金属薄膜中心处开设一个纵向矩形狭缝，在矩形狭缝一侧的上下端面处分别开设一个横向矩形狭缝，横向与纵向矩形狭缝的上下界面相互平齐，矩形狭缝宽度相等相互连通并贯穿金属膜上下表面形成统一的整体狭缝结构。本发明的传感器结构在近红外频段内具有高品质因数高透射率的双透射峰特性，并且通过修改相关结构参数可以达到调整双透射峰频谱位置与双透射峰间频谱间距的目的，从而可以实现利用率高、适用范围广、检测精度高、易于加工的等离子光纤传感器。
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公开(公告)号：CN107272804A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710611991.0
申请日：2017-07-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F1/56
CPC classification number: G05F1/56
Abstract: 本发明公开一种基于不同材质电阻的高精度基准电压源，由并联于电源VDD与地之间的启动电路、PTAT电流产生电路、CTAT电流产生电路和基准电压产生电路组成。启动电路用于在电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点。PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，分别用于产生具有正温度系数电流和具有负温度系数电流。基准电压产生电路用于产生低温漂的基准电压，采用共源共栅电流镜，从PTAT电流产生电路和CTAT电流产生电路中复制电流并进行叠加求和，产生零温漂基准电流，基准电压产生电路输出电压即为整个基准电压源输出电压Vref。本发明能够大大提高基准电压源的精度。
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公开(公告)号：CN106876441A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710087046.5
申请日：2017-02-17
IPC: H01L29/06
Abstract: 本发明公开一种具有固定界面电荷场限环的功率器件，包括场氧层和有源层，场氧层位于有源层之上。场氧层内设有至少1个固定界面电荷区，该固定界面电荷区位于场氧层的下部，并与场氧层的下表面即场氧层和有源层的交界面相接触。本发明能够克服现有功率器件的FLR区中的杂质扩散而导致的击穿电压下降和器件失效的问题，并有效提高了器件的击穿电压和改善了有源层表面的电场分布，使得电场分布更加均匀。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106783613A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710026316.1
申请日：2017-01-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/06 , H01L29/20
CPC classification number: H01L29/66431 , H01L29/0684 , H01L29/20 , H01L29/7786
Abstract: 本发明公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In0.7Ga0.3As/In0.6Ga0.4As/In0.5Ga0.5As复合沟道设计以及势垒层和缓冲层平面处的双掺杂设计充分的提高了2‑DEG的浓度与电子迁移率，降低了沟道的方块电阻。本发明具有二维电子气浓度高、沟道电子迁移率大、器件特征频率和振荡频率高和制造工艺简单易于实现等特点。
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公开(公告)号：CN103747371B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201310730848.5
申请日：2013-12-25
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04Q11/00
Abstract: 本发明公开一种时分波分混合复用无源光网络系统，主要由光线路终端、光分配网和n个用户单元组成；光线路终端通过时分复用和波分复用相结合的方式产生光信号，经长距离标准单模光纤传输至光分配网，并由光分配网将光信号传送至各个光网络单元。系统采用一种新型的时分复用和波分复用相结合的方法，利用光开关阵列和一个高速双臂马赫-曾德尔调制器以时间片的方式对不同波长的光信号进行调制。这种方法可以简化系统协议的复杂度，极大提高系统带宽的利用率，从而降低系统成本，增大通信系统无中继传输距离，以及增强系统后期升级能力。
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公开(公告)号：CN103346842B
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201310228915.3
申请日：2013-06-09
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H04B10/54 , H04B10/564
Abstract: 本发明公开一种控制双平行MZM调制器输出光强的反馈控制系统和方法，其光纤耦合器的输入端连接双平行MZM调制器的输出端，光接收组件的输入端与光纤耦合器的次输出端相连，光接收组件的输出端与A/D转换器的输入端相连；A/D转换器的2个输出端分别连接数字比较器和存储器的输入端，存储器的输出端与数字比较器的另一个输入端相连，数字比较器的输出端与微处理器的输入端相连，微处理器的输出端经D/A转换器连接双平行MZM调制器的电源端。本发明能对双平行MZM调制器的输出光功率进行实时监控，并通过控制系统反馈信号控制调制器，使得输出功率恒定，系统性能最优。
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公开(公告)号：CN105390819A
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201510921965.9
申请日：2015-12-14
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
CPC classification number: H01Q15/244
Abstract: 本发明公开一种超宽带电磁超表面圆极化器，由介质基板、印制在介质基板顶面的金属谐振阵列和印制在介质基板背面的金属接地板组成。金属谐振阵列由多个呈周期性矩阵排列的微缝耶路撒冷十字单元组成；每个微缝耶路撒冷十字单元的结构参数相同，并由2个正交的I形金属臂构成，即介质表面水平方向即X轴延伸的水平I形金属臂和介质表面垂直方向即Y轴延伸的垂直I形金属臂；水平I形金属臂的中部水平金属线的中心和垂直平I形金属臂的中部垂直金属线的中心相交；水平I形金属臂的中部水平金属线上刻蚀有2条贯穿该中部水平金属线的微型缝隙；这2条微型缝隙对称位于垂直I形金属臂的中部垂直金属线的左右两侧。本发明具有工作频率宽的特点。
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公开(公告)号：CN105070681A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510522304.9
申请日：2015-08-24
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/762 , H01L21/306 , H01L21/265 , H01L29/778
CPC classification number: H01L21/7605 , H01L21/2654 , H01L21/30612 , H01L21/762 , H01L29/778
Abstract: 本发明公开一种砷化镓衬底mHEMT有源区电学隔离方法，针对变组分高电子迁移率晶体管的有源区电学隔离，提出了湿法腐蚀和离子注入相结合的隔离方法，即首先去除表面高掺杂层，再进行离子注入隔离，有效提高了离子注入的注入效果，进而提高了有源区之间的隔离效果；在同等条件下，离子注入和台面腐蚀相结合的隔离方法，具有电学隔离效果好、工艺兼容性强、对后续工艺影响较小、具有良好的重复性和便于实现等特点，并有效地避免了单独采用台面腐蚀和离子注入的弊端，对半导体制造工艺有很好的使用价值。
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