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![二苯并[c,g]咔唑化合物、发光元件、发光装置、显示装置、照明装置以及电子设备](/CN/2012/8/0/images/201280002032.jpg)
公开(公告)号：CN103052624B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201280002032.4
申请日：2012-07-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/80 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/56 , C07D209/60 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/006 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H05B33/14 , Y10S428/917
Abstract: 本发明提供一种如下新颖化合物，该新颖化合物可以应用于发光元件的传输层、主体材料或发光材料，而可以制造高性能发光元件。本发明人合成如下二苯并[c,g]咔唑化合物，在该二苯并[c,g]咔唑化合物中，二苯并[c,g]咔唑衍生物的氮与至少包含蒽的碳原子数为14至30的芳基键合。通过使用该二苯并[c,g]咔唑化合物，可以容易得到具有非常优良的特性的发光元件。
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公开(公告)号：CN105541640A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510967116.7
申请日：2010-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07C211/54 , H01L51/00
Abstract: 本发明的一个目的是通过由以下通式(G1)表示的新的芴衍生物提供具有高发光效率的发光元件。式中，R1-R8独立地表示氢原子、具有1-6个碳原子的烷基、取代或未取代的苯基，或者取代或未取代的联苯基中的任一种。此外，α1-α4独立地表示任一种具有6-12个碳原子的取代或未取代的亚芳基。此外，Ar1和Ar2独立地表示任一种具有6-13个环碳原子的芳基，Ar3表示具有1-6个碳原子的烷基或具有6-12个碳原子的取代或未取代的芳基。J,k,m,和n独立地表示0或1。
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公开(公告)号：CN103396324B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201310332965.6
申请日：2007-04-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07C211/61 , C07D209/88 , C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/00
CPC classification number: H01L51/006 , C07C211/61 , C07C2603/24 , C07D209/86 , C07D209/88 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L2251/552 , H01L2251/558 , H05B33/14
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种新蒽衍生物。本发明的另一个目的是提供具有高发光效率的发光元件。本发明的另一个目的是提供具有长使用寿命的发光元件。本发明的另一个目的是通过使用本发明的发光元件提供具有长使用寿命的发光器件和电子设备。本发明提供通式(1)表示的蒽衍生物。通式(1)表示的蒽衍生物提供高发光效率的能力使得可以制得具有高发光效率和长使用寿命的发光元件。
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公开(公告)号：CN104638009A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410751970.5
申请日：2006-08-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0024 , H01L27/3281 , H01L51/0021 , H01L51/003 , H01L51/56 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的目的在于以高成品率地制作半导体器件，该半导体器件在挠性基板上设置有包括含有有机化合物的层的元件。本发明是一种半导体器件的制作方法，包括如下步骤：在基板上形成剥离层；在剥离层上形成无机化合物层、第一导电层、以及含有有机化合物的层，并且形成与含有有机化合物的层以及无机化合物层接触的第二导电层，以形成元件形成层；以及在第二导电层上贴合具有挠性的第一基板，然后剥离剥离层和元件形成层。
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公开(公告)号：CN102244200B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201110192303.4
申请日：2007-07-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5096 , H01L51/506 , H01L51/5076 , H01L2251/552 , H01L2251/558
Abstract: 发光元件包括：发光层和在第一电极和第二电极之间的控制载流子移动的层。所述控制载流子移动的层包含第一有机化合物和第二有机化合物，并且提供在所述发光层和第二电极之间。所述第一有机化合物具有电子迁移性能，第二有机化合物具有电子俘获性能。第一有机化合物的重量百分率高于第二有机化合物的重量百分率。当按第一电极的电势高于第二电极的电势的方式施加电压时，所述发光层发光。具有电子迁移性能的第一有机化合物可以被具有空穴迁移性能的有机化合物替代，具有电子俘获性能的第二有机化合物可以被具有空穴俘获性能的有机化合物替代。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102255054B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201110191678.9
申请日：2007-07-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/5096 , H01L51/506 , H01L51/5076 , H01L2251/552 , H01L2251/558
Abstract: 发光元件包括：发光层和在第一电极和第二电极之间的控制载流子移动的层。所述控制载流子移动的层包含第一有机化合物和第二有机化合物，并且提供在所述发光层和第二电极之间。所述第一有机化合物具有电子迁移性能，第二有机化合物具有电子俘获性能。第一有机化合物的重量百分率高于第二有机化合物的重量百分率。当按第一电极的电势高于第二电极的电势的方式施加电压时，所述发光层发光。具有电子迁移性能的第一有机化合物可以被具有空穴迁移性能的有机化合物替代，具有电子俘获性能的第二有机化合物可以被具有空穴俘获性能的有机化合物替代。
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公开(公告)号：CN101432259B
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN200780015024.2
申请日：2007-04-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07C211/57 , C07D209/88 , C09K11/06 , H01L51/50
CPC classification number: H01L51/006 , C07C211/61 , C07C2603/24 , C07D209/86 , C07D209/88 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/0081 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L2251/552 , H01L2251/558 , H05B33/14
Abstract: 本发明的一个目的是提供一种新蒽衍生物。本发明的另一个目的是提供具有高发光效率的发光元件。本发明的另一个目的是提供具有长使用寿命的发光元件。本发明的另一个目的是通过使用本发明的发光元件提供具有长使用寿命的发光器件和电子设备。本发明提供通式(1)表示的蒽衍生物。通式(1)表示的蒽衍生物提供高发光效率的能力使得可以制得具有高发光效率和长使用寿命的发光元件。
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公开(公告)号：CN103044269A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210541560.9
申请日：2010-05-19
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07C211/54 , C07C209/10
CPC classification number: H01L51/006 , C07C209/10 , C07C211/54 , C07C2603/18 , C09B57/00 , C09B57/008 , C09K2211/1014 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0058 , H01L51/0059 , H01L51/0061 , H01L51/0072 , H01L51/5056 , H05B33/14 , H05B33/20
Abstract: 本发明的一个目的是通过由以下通式(G1)表示的新的芴衍生物提供具有高发光效率的发光元件。式中，R1-R8独立地表示氢原子、具有1-6个碳原子的烷基、取代或未取代的苯基，或者取代或未取代的联苯基中的任一种。此外，α1-α4独立地表示任一种具有6-12个碳原子的取代或未取代的亚芳基。此外，Ar1和Ar2独立地表示任一种具有6-13个环碳原子的芳基，Ar3表示具有1-6个碳原子的烷基或具有6-12个碳原子的取代或未取代的芳基。J，k，m,和n独立地表示0或1。
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公开(公告)号：CN101803058B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200880107366.1
申请日：2008-10-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/50
CPC classification number: H01L51/5048 , H01L51/0059 , H01L51/006 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/5052 , H01L51/5088 , H01L2251/552
Abstract: 在包括处在一对电极之间的EL层的发光元件中，形成如下结构，其中该EL层至少包括在用作阳极的电极和具有发光属性的第三层(发光层)之间的具有空穴注入属性的第一层(空穴注入层)和具有空穴输运属性的第二层(空穴输运层)；并且第二层的最高被占用分子轨道能级(HOMO能级)的绝对值大于第一层的最高被占用分子轨道能级(HOMO能级)的绝对值，从而使从用作阳极的电极侧注入的空穴量被抑制，并且因此增加了发光元件的发光效率。
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公开(公告)号：CN102417477A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110306192.5
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C07C25/22 , C09K11/06 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L2251/303 , H01L2251/5376 , H01L2251/552 , Y10S428/917
Abstract: 提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1，R2，Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1，R2，Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
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