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公开(公告)号：CN114085182A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111215128.6
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C07C25/18 , C09K11/06 , H01L51/54 , H01L51/50
Abstract: 提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
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公开(公告)号：CN102417477A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110306192.5
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C07C25/22 , C09K11/06 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L2251/303 , H01L2251/5376 , H01L2251/552 , Y10S428/917
Abstract: 提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1，R2，Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1，R2，Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
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公开(公告)号：CN106008573A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610352582.9
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07F5/02 , C07D209/86
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L2251/303 , H01L2251/5376 , H01L2251/552 , Y10S428/917 , C07F5/025
Abstract: 本发明涉及一种有机化合物、发光元件、发光器件、电子器件和照明器件。提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
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公开(公告)号：CN102964291A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210541073.2
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L2251/303 , H01L2251/5376 , H01L2251/552 , Y10S428/917
Abstract: 提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
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公开(公告)号：CN108117509B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201810053369.7
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105001146A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510278404.1
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C07C25/22
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L2251/303 , H01L2251/5376 , H01L2251/552 , Y10S428/917 , C07C25/22
Abstract: 本发明涉及一种有机化合物、发光元件、发光器件、电子器件和照明器件。提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
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公开(公告)号：CN102108080B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201010619573.4
申请日：2010-12-22
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D409/10 , C07D405/10 , H01L51/54 , H01L51/50
CPC classification number: C09K11/06 , C07D405/10 , C07D409/10 , C09K2211/1088 , C09K2211/1092 , H01L51/0071 , H01L51/0072 , H01L51/0085 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5072 , H05B33/20
Abstract: 本发明的目的是提供以下对象：一种新颖的杂环化合物，可以用作将发光元件中发光层的发光物质分散于其中的材料；具有高电子传输性质的新颖杂环化合物；具有高电流效率的发光元件；和各自具有降低的功率消耗的发光器件、电子器件和照明器件。提供了可由以下通式(G1-1)或(G1-2)表示的杂环化合物，以及各自包含该杂环化合物的发光元件、发光器件、电子器件和照明器件。使用通式(G1)或(G2)表示的杂环化合物能够提供具有高电流效率的发光元件，还提供降低了功率消耗的发光器件、电子器件和照明器件。
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公开(公告)号：CN102964291B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201210541073.2
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L2251/303 , H01L2251/5376 , H01L2251/552 , Y10S428/917
Abstract: 提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
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公开(公告)号：CN106008573B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201610352582.9
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C07F5/02
Abstract: 本发明涉及一种有机化合物、发光元件、发光器件、电子器件和照明器件。提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
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公开(公告)号：CN108117509A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201810053369.7
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L2251/303 , H01L2251/5376 , H01L2251/552 , Y10S428/917
Abstract: 提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
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