-
公开(公告)号：CN102964291B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201210541073.2
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L2251/303 , H01L2251/5376 , H01L2251/552 , Y10S428/917
Abstract: 提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
-
公开(公告)号：CN106008573A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610352582.9
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07F5/02 , C07D209/86
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L2251/303 , H01L2251/5376 , H01L2251/552 , Y10S428/917 , C07F5/025
Abstract: 本发明涉及一种有机化合物、发光元件、发光器件、电子器件和照明器件。提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
-
公开(公告)号：CN102964291A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210541073.2
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L2251/303 , H01L2251/5376 , H01L2251/552 , Y10S428/917
Abstract: 提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
-
公开(公告)号：CN108117509B
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN201810053369.7
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
Abstract: 提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
-
公开(公告)号：CN105001146A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510278404.1
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C07C25/22
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L2251/303 , H01L2251/5376 , H01L2251/552 , Y10S428/917 , C07C25/22
Abstract: 本发明涉及一种有机化合物、发光元件、发光器件、电子器件和照明器件。提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114085182A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202111215128.6
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C07C25/18 , C09K11/06 , H01L51/54 , H01L51/50
Abstract: 提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
-
公开(公告)号：CN102484922B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201080034689.X
申请日：2010-08-05
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0067 , H01L27/3209 , H01L51/001 , H01L51/0032 , H01L51/0053 , H01L51/006 , H01L51/0081 , H01L51/5004 , H01L51/504 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/5278
Abstract: 提供一种发光元件，所述发光元件的阳极和阴极之间设置有n层(n是大于或等于2的自然数)EL层。在第m层(m是自然数，1≤m≤n-1)EL层和第(m+1)层EL层之间，在所述阳极上依次设置有包含碱金属、碱土金属、稀土金属、碱金属化合物、碱土金属化合物和稀土金属化合物中的任一种的第一层，包含具有高电子传输性质的物质并且与所述第一层相接触的第二层，和包含具有高空穴传输性质的物质和受体物质并且与所述第二层相接触的电荷产生层。所述电荷产生层在可见光区域不具有吸收光谱峰。
-
公开(公告)号：CN102417477A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110306192.5
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C07C25/22 , C09K11/06 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L2251/303 , H01L2251/5376 , H01L2251/552 , Y10S428/917
Abstract: 提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1，R2，Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1，R2，Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
-
公开(公告)号：CN106008573B
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201610352582.9
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C07F5/02
Abstract: 本发明涉及一种有机化合物、发光元件、发光器件、电子器件和照明器件。提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
-
公开(公告)号：CN108117509A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201810053369.7
申请日：2011-09-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C07D209/86 , C09K11/06 , H01L51/50 , H01L51/54
CPC classification number: H01L51/0072 , C07D209/86 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , C09K2211/1029 , H01L51/0052 , H01L51/0054 , H01L51/0058 , H01L51/5004 , H01L51/5012 , H01L51/5016 , H01L51/5056 , H01L51/5088 , H01L2251/303 , H01L2251/5376 , H01L2251/552 , Y10S428/917
Abstract: 提供了一种能使发光元件的寿命和发射效率增加的新物质。提供了具有通式(G1)表示的结构的咔唑化合物。应注意，分别使用能使化合物的HOMO能级深和使LUMO能级浅的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。此外，使用能使化合物的带隙(Bg)宽和T1能级高的取代基作为通式(G1)中的各取代基(具体为R1,R2,Ar3和α3)，所述化合物中取代基的键被氢取代。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.024 seconds)
