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公开(公告)号：CN102486972B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201110257242.5
申请日：2011-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种双通道射频MEMS开关及其制造方法，该双通道射频MEMS开关包括一具有多个引脚的基座，一设置在该基座上的衬底以及一设置在该衬底上的可动微机械结构。衬底上具有两个微波传输线及锚点，可动微机械结构是由折叠梁、直梁、上电极、连接梁及触点构成。本发明可利用左右两对独立的驱动电极对单个可动微机械结构驱动来实现对两个微波传输线进行各自独立的控制，组成多种传输模式。同时依靠利用折叠梁的扭转来实现开关断开与闭合、控制折叠梁的厚度及缩短驱动电极间距三种手段，能够使双通道射频MEMS开关的驱动电压低于5V。此外，本发明采用键合技术制作的单晶硅折叠梁，消除了因残余应力发生的翘曲现象，提高成品率。
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公开(公告)号：CN104047060A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310080785.3
申请日：2013-03-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C30B31/08
Abstract: 本发明提供一种对石墨烯进行硫掺杂的方法，包括步骤：1）提供石墨烯，将所述石墨烯置于化学气相沉积反应腔中；2）采用惰性气体对所述反应腔进行通气及排气处理；3）于500~1050℃下通入硫源气体对所述石墨烯进行硫掺杂；4）于氢气及惰性气体气氛中对所述反应腔进行降温。本发明可以简单高效的对石墨烯进行硫掺杂，经济成本低，可大规模生产；可以实现对石墨烯进行大面积的硫掺杂；可直接对绝缘衬底或金属衬底上的石墨烯进行掺杂，便于制作硫掺杂石墨烯器件；制备过程中，可以通过调节硫源气体流量控制硫掺杂浓度，从而实现对石墨烯进行可控掺杂。
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公开(公告)号：CN103063876B
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201310002407.3
申请日：2013-01-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01P15/125 , B81C3/00 , B81B7/02
CPC classification number: G01P15/125 , B81C1/00341 , G01P15/0802 , G01P2015/0814 , G01P2015/0871 , Y10T29/417
Abstract: 本发明提供一种变面积型电容式横向加速度传感器及制备方法。该加速度传感器至少包括：由相互电性隔离的第一基底、第二基底及第三基底键合成的三层层叠结构，其中，第二基底包括可动质量块、围绕可动质量块的边框、连接可动质量块及边框的弹性梁、处于可动质量块两表面的多个第二栅状电极、设于所述可动质量块的防过载结构等；第一基底的多个第一栅状电极与第二基底的多个第二栅状电极分别对应成电容结构，第三基底的多个第三栅状电极与第二基底的多个第二栅状电极分别对应成电容结构，并且此两组电容形成差分电容结构。本发明的优点包括灵敏度高、线性度好，且可基于需要来设计不同梁形状，故能制备不同灵敏度的电容式加速度传感器，灵活性大。
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公开(公告)号：CN103928296A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201310015049.X
申请日：2013-01-16
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L21/02527 , H01L21/02422 , H01L21/02439
Abstract: 本发明公开了一种将石墨烯转移到具有PDMS过渡层硬质衬底上的方法。该方法包括以下步骤：将PDMS胶涂在附着有石墨烯的原衬底上；使所述PDMS胶固化成PDMS过渡层；对该PDMS过渡层与硬质衬底进行等离子处理，然后将该PDMS过渡层与硬质衬底进行轻压键合；将键合后的硬质衬底放入腐蚀液中腐蚀掉所述原衬底；用去离子水反复清洗石墨烯/PDMS过渡层/硬质衬底结合体并吹干，即得到转移到具有PDMS过渡层的硬质衬底上的石墨烯。该方法操作简单，成本低，适用范围广，转移过程中石墨烯材料不容易被破坏，可以高效、稳定地将石墨烯转移到具有PDMS过渡层硬质衬底上，可与半导体工艺结合用于制备石墨烯电子器件。
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公开(公告)号：CN102437017B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201110297803.4
申请日：2011-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种在(111)型硅片表面制备纳米结构的方法，属于纳米技术领域。其特征在于利用硅材料的各向异性湿法腐蚀特性在(111)硅片表面制备特征尺寸为纳米量级的单晶硅纳米墙结构或纳米角结构，或者结合自限制氧化工艺进一步制备截面呈倒三角形的单晶硅纳米线结构。本发明工艺简单，仅涉及常规光刻、各向异性湿法腐蚀掩膜制作、腐蚀、刻蚀工艺，可实现大规模制作，是一种方便的微纳集成工艺技术。本发明制作的纳米结构，可用于研究低维单晶硅材料结构性质，包括力学、热学、电学等性能的研究，还可以作为传感器功能结构部件，具有应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102122935B
公开(公告)日：2013-12-25
申请号：CN201110059554.5
申请日：2011-03-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种具有亚微米间隙的微机械谐振器及制作方法，其特征在于谐振器是由盖板硅片、结构硅片和衬底硅片三层硅片键合组成的“三明治”结构。结构硅片用来制作谐振器的振子，盖板硅片和衬底硅片分别用来制作驱动和检测的固定电极。谐振器振子与固定电极间的亚微米间隙是通过圆片级对准键合工艺形成的，间隙大小不受光刻工艺限制，而是由盖板硅片或者衬底硅片上的电绝缘介质层的厚度决定的。本发明提出的微机械谐振器的制作方法，利用圆片级对准键合形成亚微米间隙，在制作完器件结构的同时实现了对器件的真空密封，不但降低了器件设计和制作的难度，提升了器件性能和成品率，而且减小了器件尺寸，降低了成本。
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公开(公告)号：CN103035833A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201110296180.9
申请日：2011-09-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种平面型半导体热电芯片及制备方法，该方法包括：制备包括两端完全隔离的导热层（100）、位于导热层上的绝缘层（200）以及位于绝缘层上的发电层（300）的硅片，发电层包括热电偶对（302）及连接热电偶对的金属引线及电极（301）；制备设有凹部并采用绝热材料的支撑层（400）；将支撑层（400）与所述硅片键合，并且键合后对硅片背面进行减薄抛光；释放热电偶对（302），导热层的两端通过该热电偶对桥接。本发明极大的提高了单个平面型半导体热电发电芯片内的热电偶对数量和温差利用率，从而实现平面型半导体热电发电芯片高电压、大功率输出。本发明工艺简单，成本低廉，可实现批量化制作，具有应用前景。
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公开(公告)号：CN103021985A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110281248.6
申请日：2011-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/488 , G01L1/18 , G01K7/18 , H01L21/66
CPC classification number: H01L2224/10 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及待测传感器芯片的电学引出结构及其应用。所述待测传感器芯片（16）上设有焊盘（9）以及位于焊盘（9）上的金属焊点（10）；该电学引出结构还包括设有焊盘和互连线的柔性基板（14），所述待测传感器芯片通过金属焊点（10）倒装焊于柔性基板（14）的焊盘上；通过柔性基板（14）的焊盘由焊线（15）实现电学引出。本发明通过采用柔性基板实现应力/温度传感器的电学引出，然后将已实现电学引出的传感器作为模拟芯片采用待测封装技术进行封装，通过测量封装前后的应力变化就可以得到该封装技术引入的应力。柔性基板电学引出的方法解决了封装用应力传感器难以实现封装前标定的问题。该传感器还可用于封装应力和温度的实时在线测量。
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公开(公告)号：CN102963862A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210514737.6
申请日：2012-12-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B81C1/00
CPC classification number: C01B33/021 , B82Y40/00 , C30B29/06 , C30B29/60 , C30B33/005
Abstract: 本发明提供一种单晶硅纳米线网状阵列结构的制作方法，先于（111）晶面型硅片上制作抗氧化掩膜并形成掩膜窗口；采用ICP刻蚀法，将单晶硅刻蚀至一预设深度；对各该掩膜窗口下方的单晶硅进行各向异性湿法腐蚀，形成上下表面为六边形的多个腐蚀槽，相邻两腐蚀槽的侧壁间形成单晶硅薄壁；利用自限制氧化工艺进行热氧化，于所述单晶硅薄壁顶部中央区域形成单晶硅纳米线；去除抗氧化掩膜及氧化硅，形成单晶硅纳米线网状阵列结构。本发明工艺简单高效，核心步骤仅涉及常规光刻、腐蚀工艺，抗氧化掩膜和各向异性腐蚀，在常规的掩膜版制备条件和光刻条件下，利用（111）晶面型硅片内的晶面分布特点，可在硅片上制作大规模的单晶硅纳米线组合图形。
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公开(公告)号：CN102923644A
公开(公告)日：2013-02-13
申请号：CN201210473419.X
申请日：2012-11-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维真空传感器及其制备方法，该方法制备的热电堆和加热器位于不同的平面上，热电堆位于加热器的上面，可以进一步实现热电型真空传感器的微型化；采用干法腐蚀释放结构，通过对腐蚀开口和刻蚀时间的控制，可以获得较小的微加热器到衬底的垂直距离，有利于提高热传导真空计的压强测量上限，同时避免了结构层与衬底黏连的问题，提高了器件的成品率；增加了硅盖板，增强了气体的热传导，有利于提高热传导真空计在较高气体压强端的灵敏度。此外，本发明中所采用的半导体衬底、热电堆和微加热器的材料、以及采用的制备工艺都是半导体工艺中常用的，可以很容易与现有CMOS工艺相兼容。
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