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公开(公告)号：CN102651306A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201110047282.7
申请日：2011-02-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶向旋转键合晶片的制备方法，该方法包括以下步骤：首先取两片相同晶向的体硅晶片，在其中一片体硅晶片上生长固定组分的SiGe层，在SiGe层上继续外延生长Si膜层形成器件片，另一片体硅晶片作为支撑片；然后将器件片和支撑片的表面都进行疏水处理；再将器件片与支撑片键合，键合时使器件片与支撑片的主参考面错开一定角度；之后从背面研磨键合片中器件片的体硅晶片部分，然后进行第一选择性腐蚀去除器件片的全部体硅晶片部分，到SiGe层停止，再进行第二选择性腐蚀去除SiGe层，留下Si膜层，从而形成晶向旋转键合硅晶片。该方法制作成本较低，顶层硅厚度可调，晶体质量良好。
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公开(公告)号：CN102633258A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210144356.3
申请日：2012-05-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提出了一种无需衬底转移的制备石墨烯的方法，该方法通过在一衬底上沉积催化金属层，然后利用离子注入技术将碳离子注入所述催化金属层中形成一碳原子饱和面，控制注入的能量使该碳原子饱和面位于靠近所述衬底与催化金属层界面的位置，然后对所述衬底进行高温退火，在所述催化金属层与衬底界面析出碳原子层即为石墨烯薄膜，最后去除所述催化金属层，从而在所述衬底上的制备出石墨烯薄膜。该方法简化了制备石墨烯的工艺步骤，可以无需转移的直接在任何衬底上制备石墨烯，从而不会造成石墨烯结构的破坏和污染，实现了高质量石墨烯直接在所需衬底上的应用，因此该制备方法将能更快地推动石墨烯在不同领域的广泛应用。
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公开(公告)号：CN101997000B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010264004.2
申请日：2010-08-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
Abstract: 本发明公开了一种具有扩展型沟槽的DRAM结构及其制作方法，该结构包括NMOS晶体管和与其源极相连的沟槽电容器，该沟槽电容器包括半导体衬底、交替排列的N型SiGe层和N型Si层、沟槽、电介质层和多晶硅层，沟槽位于交替排列的N型SiGe层和N型Si层内，深入至半导体衬底，其侧壁剖面为梳齿形，交替排列的N型SiGe层和N型Si层作为沟槽电容器的下极板，电介质层位于沟槽内壁表面，多晶硅层填充于沟槽内作为沟槽电容器的上极板；在交替排列的N型SiGe层和N型Si层之上还制备有P型Si层，所述NMOS晶体管制作于该P型Si层上。本发明方法用掺杂和外延技术交替生长N型SiGe层和N型Si层并用选择性刻蚀制作出梳齿形的侧壁，改进了DRAM中深槽式电容器的结构，简化了制作工艺。
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公开(公告)号：CN102130039A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201010608061.8
申请日：2010-12-27
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/324 , H01L21/48
Abstract: 一种采用吸杂工艺制备带有绝缘埋层的半导体衬底的方法，包括：提供器件衬底与支撑衬底；在器件衬底的表面形成绝缘层；采用两步热处理工艺热处理器件衬底；将带有绝缘层的器件衬底与支撑衬底键合，使绝缘层夹在器件衬底与支撑衬底之间；对键合界面实施退火加固；对键合后的器件衬底实施倒角研磨、减薄以及抛光。本发明的优点在于，在键合前采用吸杂工艺对器件衬底进行处理，表面形成洁净区域，随后将该洁净区转移到另一片支撑衬底之上，得到具有高晶体质量的键合材料。并且在热处理器件衬底的工艺中仅采用了两步热处理步骤，而将第三步高温热处理步骤与后续加固键合界面的步骤整合成一步，从而降低了工艺复杂度，节约了工艺成本并提高了工艺效率。
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公开(公告)号：CN101615590B
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200910055733.4
申请日：2009-07-31
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762
Abstract: 一种采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法，包括如下步骤：提供掺杂的单晶硅衬底；在单晶硅衬底表面生长非掺杂的本征单晶硅层；在本征单晶硅层表面生长器件层；提供支撑衬底；生长绝缘层；将单晶硅衬底和支撑衬底键合；采用选择性腐蚀工艺除去掺杂的单晶硅衬底；去除本征单晶硅层。本发明的优点在于，采用了本征单晶硅层作为腐蚀的自停止层，并在后续工艺中通过热氧化等方法将其除去，因此本发明所提供的技术方案可以用于制备具有任意电阻率顶层硅的绝缘体上硅衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101710585B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910199725.7
申请日：2009-12-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/092 , H01L29/78 , H01L29/04 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/78696 , H01L21/823807 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/1203 , H01L29/42392
Abstract: 本发明公开了一种混合晶向积累型全包围栅CMOS场效应晶体管，其包括：具有第一沟道的PMOS区域、具有第二沟道的NMOS区域及栅区域，其特征在于：所述的第一沟道及第二沟道的横截面均为腰形(跑道形)，且所述第一沟道采用p型(110)Si材料，所述第二沟道采用n型(100)Si材料；栅区域将所述第一沟道及第二沟道的表面完全包围；在PMOS与NMOS区域之间、PMOS区域或NMOS区域与Si衬底之间均有埋层氧化层将它们隔离。本器件结构简单、紧凑，集成度高，在积累工作模式下，电流流过整个跑道形的沟道，具备高载流子迁移率，低频器件噪声，并可避免多晶硅栅耗尽及短沟道效应，增大了器件的阈值电压。
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公开(公告)号：CN101710576B
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：CN200910200126.2
申请日：2009-12-08
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明涉及一种通过氧离子注入退火制备绝缘体上锗材料的方法。该方法首先在硅衬底上外延SiGe合金层；然后在SiGe合金层上外延Si薄层；通过两次不同剂量的氧离子注入，使注入的氧离子集中在硅衬底的上部，于硅衬底与SiGe合金层交界处形成氧离子聚集区；先后在不同含氧气氛中进行第一、第二次退火，使氧离子聚集区氧化形成SiO2，顶层Si薄层也氧化为SiO2，再在纯氧气气氛中退火，进一步提高SiGe层中锗的含量，然后在纯氮气气氛中退火，使SiGe层中Ge的分布更均匀，最后用纯氧气和纯氮气交替进行退火，最终SiGe合金中的Si完全被氧化为SiO2，将顶层的SiO2腐蚀掉，就形成了绝缘体上锗材料。
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公开(公告)号：CN101604657B
公开(公告)日：2011-02-09
申请号：CN200910053503.4
申请日：2009-06-19
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/762 , H01L21/265 , H01L21/20 , H01L21/78
Abstract: 一种制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法，包括如下步骤：提供单晶硅支撑衬底；将第一离子注入单晶硅支撑衬底中；退火，从而在单晶硅支撑衬底中形成第一绝缘层以及第一单晶硅层；提供第一键合衬底；在第一键合衬底表的表面形成第二单晶硅层；在第二单晶硅层表面形成第二绝缘层；以第二绝缘层远离第一键合衬底的表面以及第一单晶硅层远离单晶硅支撑衬底的表面为键合面，进行键合操作；移除第一键合衬底。本发明的优点在于，采用注入工艺形成第一单晶硅层，从而能够避免边缘碎裂的问题，并且注入工艺可以减少机械抛光和键合的次数，从而提高了材料厚度的均匀性和晶向的对准精度。
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公开(公告)号：CN101958271A
公开(公告)日：2011-01-26
申请号：CN201010223135.6
申请日：2010-07-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新傲科技股份有限公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/20
Abstract: 本发明涉及一种利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法，其特征在于在SOI上面外延一层SiGe层，然后将SOI材料淘空，通过应力转移法，将SiGe的应力转移到SOI材料的顶层硅中，最终获得悬空的应变硅薄膜层。所获得悬空的应变硅薄膜层的厚度为10-50nm。由本发明提供的工艺只需简单的一步外延工艺和湿法刻蚀工艺实施，避免了大量穿透位错的产生，获得高质量的应变硅薄膜材料。
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公开(公告)号：CN101914758A
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：CN201010235023.2
申请日：2010-07-23
Applicant: 上海新傲科技股份有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种氧离子注入制备绝缘体上硅材料的方法，包括如下步骤：提供单晶硅衬底，所述单晶硅衬底具有一光滑的上表面；实施第一次氧离子注入，从单晶硅衬底的上表面注入；实施第二次氧离子注入，从单晶硅衬底的上表面注入；在含氧气氛下对单晶硅衬底实施退火；实施第三次氧离子注入，从单晶硅衬底的上表面注入；在含氧气氛下对单晶硅衬底再次实施退火；重复实施第三次离子注入以及退火的步骤以继续加厚绝缘埋层，至绝缘埋层的厚度达到目标厚度为止。
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