一种低导通电阻的双栅横向双扩散金属氧化物半导体器件

    公开(公告)号:CN114759093A

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN202210380955.9

    申请日:2022-04-11

    Abstract: 本发明是一种低导通电阻的双栅横向双扩散金属氧化物半导体器件,在P型体区(11)内设有N型源区(12)、P型源区(13)和沟槽多晶硅栅极(8),所述沟槽多晶硅栅极(8)位于N型源区(12)内,沟槽多晶硅栅极向下延伸至高压N型区(2)并且沟槽底部向N型漏区(4)方向延伸一定长度形成L型沟槽栅结构。本发明器件通过改变沟槽栅的电流路径,克服了传统结构中平面栅电流对沟槽栅电流的“挤压效应”。此外,延展至漂移区体内的沟槽栅上表面形成的电子积累层,进一步增加了电流密度。而且,由于延展至体内的沟槽栅极远离器件表面,未引入新的电场峰值,从而可实现同等击穿电压下更高的电流密度。

    一种具有高效散热性能的芯片散热器

    公开(公告)号:CN114551379A

    公开(公告)日:2022-05-27

    申请号:CN202210143845.0

    申请日:2022-02-17

    Abstract: 本发明公开了一种具有高效散热性能的芯片散热器,包括:装置本体,在装置本体上设有流体凹槽、流体入口,流体凹槽内设有流体出口,流体凹槽连接流体流出通道,流体流出通道与芯片嵌入凹面上层散热层相连接。芯片嵌入凹面上设有流速挡板和喷射微孔道,喷射微孔道与芯片嵌入凹面下层流体流入层相连接。芯片内嵌于芯片嵌入凹面。流体凹槽为矩形凹槽,芯片嵌入凹面为正方形,流体出口、流体入口均为圆柱形,喷射微孔道为圆柱形。装置主体所使用的耐腐蚀金属材料为铜Cu、银Ag或金Au。本发明提供的一种高效散热性能的芯片散热器通过液体冷却,散热效率高,传热系数大,工作稳定性好,适用范围广。

    一种基于缓存一致性行为的片上网络流量合成方法

    公开(公告)号:CN108694156B

    公开(公告)日:2021-12-21

    申请号:CN201810337335.0

    申请日:2018-04-16

    Abstract: 本发明公开了一种基于缓存一致性行为的片上网络流量合成方法。步骤为,将CPU、缓存和目录抽象为一个节点模型;经全系统仿真,统计片上网络架构中由缓存一致性约束产生的路由节点数据包收发情况;提取体现应用流量时间分布特性和空间分布特性的特征向量;基于特征向量,使用马尔科夫调制模型合成片上网络流量。本发明能够快速提供准确的片上网络流量,节约全系统仿真采集流量的时间,加速片上网络架构的探索进程。该方法合成的网络流量在时间分布和空间分布特性上与真实的网络流量一致,足以用来辅助片上网络架构的设计。

    面向神经网络的可重构池化操作模块结构及其实现方法

    公开(公告)号:CN108647780B

    公开(公告)日:2021-11-23

    申请号:CN201810324770.X

    申请日:2018-04-12

    Abstract: 本发明公开一种面向神经网络的可重构池化操作模块结构,包括动态配置模块和池化计算模块,所述池化计算模块用于完成池化层的计算过程,在动态配置模块的作用下,实现不同的池化方法,并且动态地配置池化操作的计算规模;当前输入队列在上一次计算之后从数据存储器中读取,结果通过输出队列传输到数据存储器。本发明还公开一种面向神经网络的可重构池化操作模块结构的实现方法,通过外部控制信号,动态配置模块的各个单元实现对池化计算模块的控制,根据各单元发出的控制信号,计算模块进行相应的计算操作并给出精确的输出结果。此种技术方案不仅可以降低计算过程的复杂度和时间,同时减少功耗,而且提高了计算的灵活性和单元利用率。

    一种基于寄存器灵活时序库的电路时序优化方法

    公开(公告)号:CN113673193A

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202110906714.9

    申请日:2021-08-09

    Abstract: 本发明公开了一种基于寄存器灵活时序库的电路时序优化方法,首先通过在多组输入信号转换时间、时钟信号转换时间和寄存器负载电容情况下分别对寄存器仿真,通过改变寄存器的建立松弛和保持松弛,获得此时对应的实际传播延时,并通过线性插值获得特定的输入信号转换时间、时钟信号转换时间、寄存器负载电容、建立松弛和保持松弛下寄存器实际传播延时,从而建立寄存器灵活时序库;然后利用该库对电路中的所有寄存器路径进行静态时序分析,通过改变寄存器的建立松弛和保持松弛,找到满足建立时间余量和保持时间余量均大于零条件的最小时钟周期,从而在不改变电路设计、不增加电路面积开销的情况下提高电路性能。

    一种基于MiZ702N的实时人脸检测识别系统

    公开(公告)号:CN107766812B

    公开(公告)日:2021-06-29

    申请号:CN201710945484.0

    申请日:2017-10-12

    Abstract: 本发明公开了一种基于MiZ702N的实时人脸检测识别系统,包括图像传感器、MiZ702N开发板、VGA显示器;MiZ702N开发板包括视频输入模块、存储器、CPU、神经网络加速器、视频输出模块;图像传感器采集视频信息并将信息发送到视频输入模块,之后将单帧图像存储到存储器中;CPU从存储器获取图像信息,进行图像预处理后将预处理后的图像存储到存储器中;神经网络加速器从存储器中获取预处理后的图像进行人脸检测运算和人脸识别运算,然后将运算结果返回存储器;CPU根据运算结果处理图像;视频输出模块从存储器中获取经CPU处理后的图像,最后输出数据到VGA显示器。本发明具有内部总线数据传输速度快,神经网络并行度高,实时准确检测识别人脸的优点。

    面向近阈值低电压的时序监测单元及监测系统

    公开(公告)号:CN107733402B

    公开(公告)日:2020-10-30

    申请号:CN201710972595.0

    申请日:2017-10-18

    Abstract: 本发明公开了面向近阈值低电压的时序监测单元及监测系统,涉及基于片上时序检测的自适应频率调节技术,属于集成电路低功耗设计的技术领域。本发明提供的监测单元以较低的电路成本实现了面向近阈值电压的时监测,通过搭建包含频率控制状态机、锁相环、快速时钟调节模块的监测系统实现系统频率的自适应调节,解决了面向常规电压设计的时序监测电路难以正确工作在近阈值区域以及少有的能面向近阈值电压区工作的时序监测单元面积大且成本高的技术问题。

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