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公开(公告)号：CN101047028A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710089633.4
申请日：2007-03-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G11C16/02 , G11C16/14 , H01L27/115
CPC classification number: G11C16/14 , G11C8/10 , G11C16/0483 , G11C16/08 , H01L21/28273 , H01L27/105 , H01L27/11519 , H01L27/11526 , H01L27/11529 , H01L27/11546
Abstract: 本发明的目的在于提供不使用P阱或N阱等衬底端子，而放出对非易失性存储元件的电荷存储层注入的电荷的方法，作为NAND型非易失性存储器的数据擦除方法。在NAND型非易失性存储器的数据擦除方法中，通过对位线和源线施加第一电位，对第一非易失性存储元件的控制栅极施加第二电位，而且对第二非易失性存储元件的控制栅极施加与第二电位不同的第三电位，而放出存储在第一非易失性存储元件的电荷存储层中的电荷。
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公开(公告)号：CN1750099A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510103877.4
申请日：2005-09-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/156 , G09G3/3233 , G09G3/3241 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2310/0256 , G09G2320/02 , G09G2320/0238 , H01L27/3244 , H01L27/3248 , H01L27/3265
Abstract: 由串联连接到发光元件的薄膜晶体管的截止电流解决了该发光元件轻微发光的问题，由此提供了可以以增强的对比度执行清晰显示的显示装置及其驱动方法。当串联连接到该发光元件的薄膜晶体管截止时，该发光元件自身的电容内所保持的电荷被放电。即使在串联连接到该发光元件的薄膜晶体管中产生截止电流时，该截止电流对该电容充电，直到该发光元件自身的电容再次保持预定电压。因此，该薄膜晶体管的截止电流对光发射没有贡献。由此，可以减少该发光元件的轻微光发射。
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公开(公告)号：CN117690933A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311665243.2
申请日：2014-12-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , H01L29/24 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种能够抑制像素之间的亮度的不均匀的发光装置。发光装置包括像素、第一电路及第二电路。第一电路具有生成包含从像素取出的电流值的信号的功能。第二电路具有根据信号校正图像信号的功能。像素至少包括至少一个发光元件、第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管具有根据图像信号控制对发光元件的电流供应的功能。第二晶体管具有控制从像素取出电流的功能。第一晶体管及第二晶体管的每一个的半导体膜包括：与栅极重叠的第一半导体区域；与源极或漏极接触的第二半导体区域；以及第一半导体区域和第二半导体区域之间的第三半导体区域。
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公开(公告)号：CN109037207B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN201810867703.2
申请日：2013-11-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/02 , H01L27/12 , H10K59/131 , H10K59/123
Abstract: 本发明提供一种新颖的显示装置。本发明的一个方式是一种显示装置，包括：像素部；设置在像素部的外侧的驱动电路部；以及与像素部和驱动电路部中的一方或双方连接且包括一对电极的保护电路，其中，像素部包括配置为矩阵状的像素电极和与像素电极电连接的晶体管，晶体管包括包含氮和硅的第一绝缘层和包含氧、氮和硅的第二绝缘层，并且，保护电路在一对电极之间具有第一绝缘层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110824800B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201911225794.0
申请日：2010-09-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G09G3/36 , H01L27/12 , H01L29/786 , G09G5/18
Abstract: 本发明涉及一种显示设备，包括：包括源极、漏极和沟道形成区的晶体管，所述沟道形成区包括氧化物半导体；电连接到所述晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；以及与所述像素电极相邻的液晶材料，其中，所述液晶材料在20℃测量的特定电阻率大于或等于1×1012Ω·cm。
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公开(公告)号：CN114185216A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202210029672.X
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L27/32
Abstract: 本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括：信号线；扫描线；第一电极；第二电极；第三电极；第一像素电极；第二像素电极；以及半导体膜，其中，信号线与扫描线交叉，第一电极与信号线电连接，第一电极包括与扫描线重叠的区域，第二电极与第一电极对置，第三电极与第一电极对置，第一像素电极与第二电极电连接，第二像素电极与第三电极电连接，半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触，并且，半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。
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公开(公告)号：CN113341624A
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN202110651156.6
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1368 , G02F1/1343 , G09F9/30
Abstract: 本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括：信号线121；扫描线103；第一电极123；第二电极125a；第三电极125b；第一像素电极139a；第二像素电极139b；以及半导体膜135，其中，信号线与扫描线交叉，第一电极与信号线电连接，第一电极包括与扫描线重叠的区域，第二电极与第一电极对置，第三电极与第一电极对置，第一像素电极与第二电极电连接，第二像素电极与第三电极电连接，半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触，并且，半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。
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公开(公告)号：CN111830758A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010788172.5
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1362 , G02F1/1343 , G02F1/1368
Abstract: 本发明的目的是提供可以降低布线之间的寄生电容的显示装置、显示品质高的显示装置以及可以降低功耗的显示装置。本发明的显示装置包括：信号线121；扫描线103；第一电极123；第二电极125a；第三电极125b；第一像素电极139a；第二像素电极139b；以及半导体膜135，其中，信号线与扫描线交叉，第一电极与信号线电连接，第一电极包括与扫描线重叠的区域，第二电极与第一电极对置，第三电极与第一电极对置，第一像素电极与第二电极电连接，第二像素电极与第三电极电连接，半导体膜与第一电极、第二电极及第三电极接触，并且，半导体膜设置在扫描线与第一电极至第三电极之间。
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公开(公告)号：CN111477634A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010078546.4
申请日：2013-09-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1362
Abstract: 提供开口率高且包括电荷容量得到增大的电容器的半导体装置。另外，提供耗电量低的半导体装置。包括：包括透光性半导体膜的晶体管、介电膜设置在一对电极之间的电容器、设置于透光性半导体膜上的绝缘膜、以及设置于绝缘膜上的第一透光性导电膜。该电容器包括：用作一个电极的第一透光性导电膜、用作电介质的绝缘膜、以及隔着该绝缘膜与第一透光性导电膜对置的用作另一个电极的第二透光性导电膜。第二透光性导电膜形成在与晶体管的透光性半导体膜同一表面上且是含有掺杂剂的金属氧化物膜。
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