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公开(公告)号：CN105304505A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201410270430.5
申请日：2014-06-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种混合晶圆级真空封装方法及结构，包括步骤：a）提供一衬底片，于所述衬底片中形成芯片封装腔；b）于所述衬底片的芯片封装腔中制作吸气剂薄膜；c）提供一包括基底及器件区域的已通过测试的待封装芯片；d）提供一真空设备，将所述待封装芯片及芯片封装腔对准后，进行抽真空、激活吸气剂及加热加压，通过键合结构键合所述衬底片及所述待封装芯片。本发明只对已通过测试的待封装芯片进行真空封装，降低了封装成本；直接在如红外滤波片的衬底片上制作芯片封装腔，将如红外探测器芯片等待封装芯片置于芯片封装腔上完成真空封装，提高了封装效率，减少了封装体积。
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公开(公告)号：CN105129718A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510341090.5
申请日：2015-06-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种光学读出红外探测器结构及其制作方法，所述探测器结构至少包括：玻璃衬底和通过第二锚悬空于所述玻璃衬底上的悬浮结构；所述悬浮结构包括可见光反射层、红外吸收层以及支撑梁；所述可见光反射层悬空于所述玻璃衬底上，所述红外吸收层通过第一锚悬空于所述可见光反射层上，所述支撑梁悬空于所述可见光反射层上，并且所述支撑梁的一端与同一平面内的所述红外吸收层相连、另一端通过第二锚固定于所述玻璃衬底上。本发明的探测器结构通过将可见光反射层和红外吸收层分离，避免了可见光反射层由于双材料效应导致变形，且可见光反射层面积的增加提高了可见光的利用率，从而使红外探测器同时满足对器件各方面的要求，提高器件的综合性能。
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公开(公告)号：CN104979368A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510368985.8
申请日：2015-06-29
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/146 , H01L21/77
Abstract: 本发明提供一种红外探测器阵列及其制作方法，该红外探测器阵列的结构特点在于在非致冷红外探测器像素的悬桥结构上制作两组热敏单元B1和B2，在衬底上制作另外两组热敏单元S1和S2，再通过惠斯通电桥形式将这四组热敏单元连接起来，差分输出电信号，抑制了电路噪声，可显著地提高器件的信噪比。本发明制作方法的特点在于：在释放像素结构时，先在衬底中刻蚀出腐蚀槽，然后采用各向异性腐蚀剂腐蚀硅释放像素结构，提高了腐蚀释放效率，且腐蚀形状及深度可控，可避免像素和衬底之间发生粘连，还可以以未腐蚀尽的硅作为像素的锚，简化了锚的制作工艺。
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公开(公告)号：CN104637776A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510030729.8
申请日：2015-01-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 中国航天员科研训练中心
CPC classification number: H01J49/424 , B81C3/001 , G01N27/62 , H01J9/00
Abstract: 本发明涉及一种三明治结构MEMS圆柱形离子阱、制备方法及应用，其特征在于所述的圆柱形离子阱由两个端盖电极硅片与圆柱形电极硅片分两次键合形成一体式结构。所述一体式结构是由三个硅片通过两次键合而成，其中上下层两个硅片是端盖电极，通过湿法腐蚀、硅深刻蚀以及溅射金属等工艺制备，中间层硅片是圆柱形电极，通过刻蚀通孔以及溅射金属等工艺形成。本发明工艺步骤少，工艺难度较低，成品率高，在质谱仪微小型化领域有着广泛的应用前景。可望应用于微小型质谱仪，检测不明危险物的检测、野外实时分析、密闭环境的检测或工业多点轮测。
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公开(公告)号：CN102923644B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201210473419.X
申请日：2012-11-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维真空传感器及其制备方法，该方法制备的热电堆和加热器位于不同的平面上，热电堆位于加热器的上面，可以进一步实现热电型真空传感器的微型化；采用干法腐蚀释放结构，通过对腐蚀开口和刻蚀时间的控制，可以获得较小的微加热器到衬底的垂直距离，有利于提高热传导真空计的压强测量上限，同时避免了结构层与衬底黏连的问题，提高了器件的成品率；增加了硅盖板，增强了气体的热传导，有利于提高热传导真空计在较高气体压强端的灵敏度。此外，本发明中所采用的半导体衬底、热电堆和微加热器的材料、以及采用的制备工艺都是半导体工艺中常用的，可以很容易与现有CMOS工艺相兼容。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102642801B
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201210127069.1
申请日：2012-04-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供了一种双面平行对称梁质量块结构及其制备方法，属于微电子机械系统领域，该方法通过利用双面正反对准光刻工艺在双抛(100)硅片上形成双面平行对称梁质量块图形区域，然后进行干法刻蚀和湿法各向异性刻蚀，悬臂梁的（111）面作为腐蚀终止面，自动终止硅悬臂梁的腐蚀，最终形成双面平行对称梁质量块结构。该制备方法工艺简单，可以对双面平行对称梁质量块结构尺寸进行精确控制，使得梁质量块结构的制造成品率大大提高。本发明制备的器件在法向具有高度对称性，提高了器件抗侧向冲击和扭转冲击的能力，降低了交叉灵敏度，可应用于多种MEMS器件的结构中，如电容式加速度传感器、电阻式加速度传感器、微机械陀螺等。
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公开(公告)号：CN102509844B
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201110283452.1
申请日：2011-09-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种微机械圆盘谐振器及制作方法，所述制作方法为先制作出衬底硅片上固定谐振振子的锚点以及释放谐振振子结构的凹腔；随后将器件结构层键合在衬底硅片上，并对结构层进行减薄及制作金属焊盘之后；再利用干法刻蚀在结构层上制作出谐振器的器件结构；最后利用真空圆片对准键合把盖板硅片固定在结构硅片上方，实现谐振器的圆片级真空封装。由于制作出的谐振器锚点位于振子的节点处，因此可以大大减小锚点引起的能量损耗，且对谐振器进行圆片级真空封装，避免了谐振器结构受到外界的物理冲击及损耗，提高谐振器的性能。本发明适用于批量生产，由于优化了锚点设计并采用圆片级真空封装技术，实现了一种低成本、高性能的体硅谐振器的制作。
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公开(公告)号：CN102928153B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201210473448.6
申请日：2012-11-20
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种三维真空传感器及其制备方法，该方法制备的热电堆和加热器位于不同的平面上，热电堆位于加热器的下面，可以进一步实现热电型真空传感器的微型化；采用干法腐蚀释放结构，可以避免湿法腐蚀释放过程中存在的结构层与衬底黏连的问题，提高了器件的成品率；增加了硅盖板，即增加了盖板和加热器之间的气体热传导，有利于提高热传导真空计在较高气体压强端的灵敏度。此外，本发明中所采用的半导体衬底、热电堆和微加热器的材料、以及采用的制备工艺都是半导体工艺中常用的，可以很容易与现有CMOS工艺相兼容。
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公开(公告)号：CN102486972B
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201110257242.5
申请日：2011-09-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种双通道射频MEMS开关及其制造方法，该双通道射频MEMS开关包括一具有多个引脚的基座，一设置在该基座上的衬底以及一设置在该衬底上的可动微机械结构。衬底上具有两个微波传输线及锚点，可动微机械结构是由折叠梁、直梁、上电极、连接梁及触点构成。本发明可利用左右两对独立的驱动电极对单个可动微机械结构驱动来实现对两个微波传输线进行各自独立的控制，组成多种传输模式。同时依靠利用折叠梁的扭转来实现开关断开与闭合、控制折叠梁的厚度及缩短驱动电极间距三种手段，能够使双通道射频MEMS开关的驱动电压低于5V。此外，本发明采用键合技术制作的单晶硅折叠梁，消除了因残余应力发生的翘曲现象，提高成品率。
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公开(公告)号：CN104047060A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310080785.3
申请日：2013-03-14
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C30B31/08
Abstract: 本发明提供一种对石墨烯进行硫掺杂的方法，包括步骤：1）提供石墨烯，将所述石墨烯置于化学气相沉积反应腔中；2）采用惰性气体对所述反应腔进行通气及排气处理；3）于500~1050℃下通入硫源气体对所述石墨烯进行硫掺杂；4）于氢气及惰性气体气氛中对所述反应腔进行降温。本发明可以简单高效的对石墨烯进行硫掺杂，经济成本低，可大规模生产；可以实现对石墨烯进行大面积的硫掺杂；可直接对绝缘衬底或金属衬底上的石墨烯进行掺杂，便于制作硫掺杂石墨烯器件；制备过程中，可以通过调节硫源气体流量控制硫掺杂浓度，从而实现对石墨烯进行可控掺杂。
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