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公开(公告)号：CN100492695C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200610027008.2
申请日：2006-05-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种用低温键合和硅湿法刻蚀工艺制作相变随机存储器，其工艺步骤为：(1)清洗氧化硅片，依次沉积30nm Ti或TiN，100nm的Pt或Au。(2)将(100)硅片清洗干净，然后再与步骤(1)中的Pt或Au键合，再将键合之后的(100)硅片进行减薄和抛光。(3)在硅片上热氧化出SiO2，在SiO2上光刻成图形然后刻蚀掉图形下SiO2。(4)用刻蚀液对(100)硅片刻蚀，形成V型结构。(5)对形成的V型干氧氧化。(6)沉积相变材料，用化学机械抛光去除V型结构以外的相变材料。(7)再次光刻，沉积顶电极。在微米级的加工工艺条件下，实现了纳米相变存储器的单元器件。测试结果表明，单元器件的阈值电压电流都达到了实现可逆相变的目的。
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公开(公告)号：CN100491973C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200610117006.2
申请日：2006-10-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种单片双芯或多芯半导体激光气体传感器，其特征在于它由封装于同一管壳热沉上的制作于同一单片衬底上的激光器芯组成的单片双芯或多芯激光器、用于热沉温度控制的热电控温电路、时分驱动电路、用于吸收和参比光信号探测的光电探测器、放大及时分解调电路、以及比较电路和显示输出电路组成。本发明利用目标气体对吸收激光器产生的特定波长激光的吸收特性进行气体浓度测量，也利用目标气体对参比激光器产生的相近特定波长激光的透过特性作为参比信号以抵消其他损耗和波动的影响。此传感器的核心是单片双芯或多芯半导体激光器和一只光电探测器，易于一体化、小型化和集成化；是一种普适的采用半导体激光的气体传感器，通用性强。
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公开(公告)号：CN101436607A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810207813.2
申请日：2008-12-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L27/24 , H01L21/822 , G11C16/02 , G11C11/56
Abstract: 本发明揭示一种电阻转换存储器及其制造方法，该电阻转换存储器包括选通单元及数据存储单元；选通单元采用肖特基二极管；所述肖特基二极管包括至少一层含锑材料层、至少一层半导体层；数据存储单元包括至少一层含锑材料层。本发明存储器中含锑金属不仅作为电阻转换的存储介质，而且作为肖特基二极管中的金属层，甚至可以作为存储器芯片中的导电位线。本发明还提出了多种制造基于含锑金属(或合金)的电阻转换存储器的方法，有望在获得高密度、低成本的固态存储器的竞争中获得较大优势。
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公开(公告)号：CN101436570A
公开(公告)日：2009-05-20
申请号：CN200810204446.0
申请日：2008-12-11
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明揭示一种相变存储器的制备方法，包括如下步骤：提供一硅片，在该硅片表面沉积一介质层；在介质层上沉积底层电极层；在底层电极层上制备设定厚度的SixO作为中间绝缘层；在绝缘层上制备通孔，而后填充钨用以连通底层电极，形成钨塞；在绝缘层上沉积一层设定厚度的TiN电极层；在TiN电极层上制备设定线宽的横向电极对，同时与形成的钨塞相连；形成横向电极对后，沉积设定厚度的相变材料，利用电子束曝光及反应离子刻蚀形成相变材料纳米线与前述形成的电极对相连构成基本的存储单元；制备顶层电极。本发明专利结合了纵向结构单元的高密度以及横向结构单元的低功耗，有利于提高相变存储器的整体性能。
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公开(公告)号：CN101430930A
公开(公告)日：2009-05-13
申请号：CN200810200269.9
申请日：2008-09-23
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种电阻转换存储单元及其方法，其结构包括：阈值电压可调的场效应晶体管及其阈值电压调节电路；以及至少一个与上述每个场效应晶体管对应连接的电阻转换存储单元。在存储器写、擦编程需要大电流时，通过晶体管体端电压的调整将晶体管的阈值电压调低，从而获得较大的输出电流；而在读操作或者存储器待机时，则不调整阈值电压或将晶体管的阈值电压调高，此外待机时还可获得较低的漏电流，提升存储器在待机时的稳定性，避免串扰。通过阈值电压的降低，在RESET和SET编程时调低阈值电压；采用该发明选通相变存储器，可以减小场效应晶体管的长度，即提升了场效应晶体管选通相变存储器芯片的密度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100478412C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200710037163.7
申请日：2007-02-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于蓝宝石衬底的化学机械抛光浆液，此浆液包含pH调节剂、表面活性剂、水性介质及一种复合研磨颗粒。该复合研磨粒子是由基材颗粒碳化硼表面包覆一层粒子所构成。通过本发明提供的化学机械抛光浆液，蓝宝石衬底的抛光速率达到了180nm/min，表面粗糙度降低到了7.5以下，蓝宝石的表面质量和加工效率得到了有效的提高。
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公开(公告)号：CN101364564A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200710044608.4
申请日：2007-08-06
Applicant: 上海市纳米科技与产业发展促进中心 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/71
Abstract: 本发明涉及一种大面积高密度相变材料阵列的制备方法，属于微电子领域。其特征在于首先将所需的大面积高密度阵列结构定义在一块透明的固态面板上，然后在基底表面依次溅射绝缘材料、金属材料、过渡材料和相变材料，在相变材料表面覆盖图形转移介质，通过印刻将固态面板上的阵列结构定义在相变材料层表面的图形转移介质层上，最后通过刻蚀在基底上得到所需的大面积高密度相变材料阵列。只要定义一块阵列结构均匀、一致性好、边缘平整光滑的固态面板，就可重复使用，获得大面积、结构均匀一致、边缘平滑、质量优越的阵列结构。工艺简便、成本低，适合于对单元结构的一致性和边缘质量要求高的相变存储器件的产业化批量生产。
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公开(公告)号：CN101335258A
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200810041395.4
申请日：2008-08-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/525 , H01L21/768
Abstract: 一种用于集成电路器件的可再编程激光熔丝器件和连续调整熔丝电阻的方法，其特征在于通过非破坏性改变熔丝的电阻实现对集成电路的调节：采用相变材料替代传统金属线作为熔丝，利用激光实现对相变材料的可逆相变操作，实现被编程熔丝的电阻在高阻和低阻之间的可逆变化。其优点在于：熔丝的电阻连续可调，进而可以通过连续调整熔丝电阻实现对集成电路的精确或者多状态控制和调节。本发明还涉及一种相变材料熔丝的电阻的连续可调方法。
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公开(公告)号：CN101315970A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810040850.9
申请日：2008-07-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种存储介质材料，所述存储介质材料包括单质锑及锑材料经适当掺杂后得到的组份，掺杂的杂质含量原子比少于百分之二十。该存储介质材料的特点在于基于该材料的存储器能够在电信号的编程下实现高电阻和低电阻之间的高速的可逆转换，从而实现数据的存储。
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公开(公告)号：CN101314714A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810039966.0
申请日：2008-07-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种对毒品分子有传感功能的荧光共轭聚合物材料，其结构通式如附图所示，其中，碳－9位置的末端为胺基、酰胺或胺基盐酸盐的碳链取代的芴单元，即R1或R2为：CnH2nNH2、CnH2nNHBoc或CnH2nNH3Cl；为离子型或非离子型长链取代基；Ar为芳基，包括杂环、苯环或稠环取代基；k为聚合物的重复单元数，为1至200的正整数；表示碳原子或烷氧链重复单元数目的n为0～20的正整数。本发明还提供了检测方法。提供的荧光共轭聚合物材料用于毒品的磷酸盐、醋酸盐、碳酸盐、硫酸盐或硝酸盐的检测。具有方便、快速、灵敏等特点。
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