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公开(公告)号：CN101286364A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200810036619.2
申请日：2008-04-25
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器1R1T结构和所使用的驱动电路的设计方法，其特征在于采用将一相变电阻GST与一NMOS选通管按一定方式相互连接的IRIT结构，并基于此提出了驱动电路的设计方法，其特征在于选通管的源端接驱动电路的一端，漏端接相变电阻，栅端接相变阵列的位线，相变电阻的另一端接电路的最高电平VDD。通过两级电流镜电路，其中第一级包括由三对PMOS管形成的三个电流镜，第二级包括由三对NMOS管形成的三个电流镜，并最终耦合至位线施加给相变存储单元，产生用于读、写、擦的驱动电流。从而在不增加电路设计的复杂性和规模前提下，获得了降低了工艺生产线要求和制造成本的效果。
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公开(公告)号：CN101281790A
公开(公告)日：2008-10-08
申请号：CN200810033415.3
申请日：2008-02-01
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器读、写操作可调脉宽控制电路的设计方法，属于微电子学领域。特征在于利用环形振荡器输出周期信号控制计数器，通过计数的方式获得脉冲宽度或调节脉冲宽度。本发明能够在不耗费芯片面积的前提下大幅度提升脉宽调节范围及精度，同时与相变内存读写驱动电路相集成，实现读、写、擦存储过程对电流脉冲不同脉高与脉宽的要求。在脉高与脉宽高精度的前提下，极大地提升存储操作的重复性，有效地提高存储寿命，同时有效避免纳米加工工艺波动出现误读的可能。所设计的电路结构简单，实现方便，不增加电路结构设计的复杂性。本发明是对传统脉冲控制电路耗费芯片面积大、输出脉宽不精确等方面进行改进。
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公开(公告)号：CN101241967A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：CN200810034355.7
申请日：2008-03-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 一种用于相变存储器的粘附层材料及制备方法，其特征在于所述的粘附层材料为至少含W元素的粘附层材料。具体地说为WxTi1－x或WxSi1－x，式中x为元素的原子百分比，满足0＜x＜1；所述的制备方法为采用双靶磁控共溅射法、蒸发法、激光辅助沉积法、原子层沉积法、原子气相沉积法、化学气相沉积和金属有机物热分解法中的任意一种。本发明特点是利用W基粘附层材料的与W电极和二极管多晶硅材料粘附性好、界面电阻低等优点，所述的至少含W元素的粘附层材料的作用可改善器件的欧姆接触、改善1D1R相变存储器单元的1D与1R之间的界面粘附性等性能，从而降低1D与1R之间的串联电阻，提高器件的操作性能。
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公开(公告)号：CN101226990A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810033519.4
申请日：2008-02-04
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种氧化物隔热层可被用于降低相变存储器功耗的材料上的发现与单元器件结构上的改进及其实现方法，属微电子领域。其特征在于：在底加热W电极与硫系化合物薄膜层之间加入一氧化物隔热层，隔热层厚度控制在10nm以下。可选择的氧化物隔热层用材料包括TiO2等。单元结构改进的实现是通过在衬底上沉积各种所需薄膜后，通过微纳加工技术得到微米量级的相变操作单元，并引出可供测试性能用上下电极。由于氧化物隔热层的良好热稳定性、远低于底加热W电极的热导率、与CMOS标准制造工艺相兼容和提高器件单元热效应的显著效应，达到了有效降低单元功耗的目的。
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公开(公告)号：CN101064360A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710036527.X
申请日：2007-01-17
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种基于硫系化合物相变材料的限流器及制作方法。本发明基于硫系化合物相变材料在脉冲电流或电压等的作用下能够发生结构变化，从而引起其电阻性能产生巨大的变化，多晶状态时处于低阻态，非晶状态时处于高阻态，两种状态下的电阻相差可达五个数量级以上，利用硫化相变材料的这种特性可以制备新型限流器，对电路能够其起到很好的保护作用，最大程度避免电路被超大电流或电压破坏。采用薄膜制备工艺和微纳加工技术制作出限流器，其结构包括横向结构和纵向结构两种。由于相变材料的高、低阻两种状态之间是可逆变化的，这种新型限流器可重复使用，在民用和军事领域等方面具有非常广泛的应用前景。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1300839C
公开(公告)日：2007-02-14
申请号：CN200410053565.2
申请日：2004-08-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种纳电子器件的制备方法。特征在于：首先在衬底材料上沉积一层下电极材料W，然后依次沉积一层Al和一层SiO2。通过曝光、刻蚀，在SiO2上刻蚀出孔，使下层Al暴露出来，然后通过阳极氧化法在暴露出的部分形成多孔氧化铝，同时对每个孔进行进一步的加工，可以形成唯一的一个纳米尺度的氧化铝小孔，或形成孔径一致，分布均匀纳米孔阵列，或形成孔径分散而分布均匀纳米孔阵列。再用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)沉积薄膜，实现纳米孔的W填充，通过纳米抛光技术实现纳米孔顶端的平坦化，然后沉积相变材料与电极材料，引线，封装，实现纳米存储单元。
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公开(公告)号：CN1877743A
公开(公告)日：2006-12-13
申请号：CN200610028740.1
申请日：2006-07-07
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及相变存储器器件单元阵列演示系统及可视化演示的方法，其特征在于所述的演示系统由控制计算机、脉冲信号发生器、控制电路板、相变存储器存储阵列芯片及转换连接部件构成，其中所述的电路板是由控制电路、选址电路、切换电路、读出电路、显示电路组成的；整个演示系统得核心为单片机，控制计算机通过自带的RS232接口实现与单片机的通信，接受指令和数据的传递；单片机通过可编程逻辑器件实现对周围各种模块，如发光二极管、液晶显示屏、读出电路、切换电路或选址电路的控制，所述的演示方法包括数据的存储、读出以及简单数据运算的演示，也即对器件单元阵列的数据读/写/擦过程进行可视化的演示。
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公开(公告)号：CN103427022B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310370885.X
申请日：2013-08-22
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供一种三明治型电极的相变存储结构及其制备方法，在设置有下电极的衬底上表面形成暴露出所述下电极上表面的第一绝缘材料层；接着制备与所述下电极接触的加热电极；继续沉积绝缘材料层；利用第一分隔槽分割相邻所述下电极，形成三明治型电极结构；在所述绝缘材料层上表面、第一分隔槽内壁上依次形成相变材料层、上电极；利用第二分隔槽分割相邻的三明治型电极结构；平坦化并暴露出第四绝缘层下方的上电极。本发明克服因加热电极被氧化导致电阻稳定性差，三明治型纳米电极包覆的氮化物有助于阻止电极被氧化，从而避免电极阻值的不稳定，克服了相变存储器器件的失效，提高器件的成品率。
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公开(公告)号：CN103158057B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201310072068.6
申请日：2013-03-06
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: B24B37/013
Abstract: 本发明提供一种确定相变材料的化学机械抛光停止点的方法及检测系统。根据本发明的方法，基于来自正在化学机械抛光的材料结构表面的反射光的强度来确定化学机械抛光停止点，如此可有效去除纳米孔或纳米沟槽外的相变材料，减少表层的损伤，提高器件的良率。
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