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公开(公告)号：CN106468858A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610701845.2
申请日：2016-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/033 , G02B5/20 , G02F1/1335 , C09K11/02 , C09K11/70
CPC classification number: G03F7/033 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , G03F7/0007 , G03F7/0047 , G03F7/027
Abstract: 本发明涉及光敏组合物、其制备方法、量子点聚合物复合物、滤色器和显示器件。光敏组合物包括量子点分散体、具有碳-碳双键的能光聚合的单体、和光引发剂，其中所述量子点分散体包括包含酸基团的聚合物和分散在所述包含酸基团的聚合物中的多个量子点，和其中所述包含酸基团的聚合物包括包含如下的单体组合的共聚物：具有羧酸基团或膦酸基团和碳-碳双键的第一单体以及具有碳-碳双键和疏水性基团并且不具有羧酸基团和膦酸基团的第二单体。
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公开(公告)号：CN106468856A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610703071.7
申请日：2016-08-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/027 , G02F1/1335
CPC classification number: G03F7/0007 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C08F220/14 , C09D4/06 , C09K11/02 , C09K11/703 , G02B5/207 , G02B5/223 , G03F7/004 , G03F7/0042 , G03F7/0047 , G03F7/033 , C08F265/06 , C08F220/06
Abstract: 本发明涉及光敏组合物、其制备方法、量子点聚合物复合物、滤色器和显示器件。光敏组合物包括量子点分散体、具有至少两个硫醇基团的反应性化合物、具有碳-碳双键的能光聚合的单体、和光引发剂，其中所述量子点分散体包括包含羧酸基团的聚合物和分散在所述包含羧酸基团的聚合物中的量子点，和其中所述包含羧酸基团的聚合物包括包含如下的单体组合的共聚物：具有羧酸基团和碳-碳双键的第一单体以及具有碳-碳双键和疏水性部分并且不具有羧酸基团的第二单体。
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公开(公告)号：CN106200112A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510520939.5
申请日：2015-08-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/13357
CPC classification number: G02F1/133611 , G02B6/0088 , G02F1/133308 , G02F1/133605 , G02F1/133606 , G02F1/133608 , G02F1/133615 , G02F2001/133317 , G02F2001/133322 , G02F2001/133614
Abstract: 公开了模框、背光单元、液晶显示器和光转换片，所述模框包括限定光转换层和设置在所述光转换层上的光学片的至少一个的位置的第一导向件。第一导向件包括面对液晶面板的第一表面、与所述第一表面相反的第二表面、和从所述第一表面的边缘延伸至所述第二表面的边缘的第三表面，其中所述第二表面的至少一部分设置有条，和其中所述条沿着所述光学片或者所述光转换层的边缘延伸以和与所述光学片的顶部表面的边缘邻近或者与所述光转换层的顶部表面的边缘邻近的区域重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104513335A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410525122.2
申请日：2014-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08F126/06 , C08F220/18 , C08F222/14 , C08F222/20 , C08F2/44 , C08K5/17 , C08K5/50 , C08K5/5397 , C08J5/18 , H01L51/54
CPC classification number: G02F1/133615 , C09K11/00 , G02B6/005 , G02F2001/133614 , Y10S977/774
Abstract: 本发明提供半导体纳米晶体组合物、半导体纳米晶体-聚合物复合物及用于液晶显示器件的背光单元，特别是提供半导体纳米晶体组合物和由其制备的半导体纳米晶体-聚合物复合物，所述半导体纳米晶体组合物包括：半导体纳米晶体、有机添加剂、和能聚合物质，其中所述组合物在进行聚合之后具有大于或等于约40％的雾度。
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公开(公告)号：CN101974335B
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：CN201010269829.3
申请日：2004-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C01B19/007 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C01P2002/84 , C01P2004/04 , C01P2004/64 , C09C1/10 , C09C1/12 , C09C1/38 , C09K11/565 , C09K11/883 , C30B7/00 , C30B29/605 , C30B33/00 , H01L51/502 , H05B33/14 , Y10S438/962
Abstract: 一种改善半导体纳米晶体发光效率的方法，通过用还原剂表面处理改善发光效率和量子效率，不改变纳米晶体的发光特性例如发光波长和其分布。
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公开(公告)号：CN1655057B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200410102383.X
申请日：2004-10-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C08F2/28 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C30B29/60 , C30B33/00 , G03F7/0043 , G03F7/0047 , G03F7/027 , H01L51/426 , H01L51/502 , Y02E10/549 , Y10S428/917 , Y10S977/773 , Y10T428/24802 , Y10T428/265 , Y10T428/2991 , Y10T428/2998 , Y10T428/31504 , Y10T428/31663
Abstract: 提供了与包含光敏功能基团表面配位的半导体纳米晶、包括半导体纳米晶的光敏组合物、和一种通过使用光敏的半导体纳米晶或光敏组合物制造膜，曝光所述膜并显影所述曝光膜来形成半导体纳米晶图案的方法。半导体纳米晶图案与半导体纳米晶在图案形成之前相比，显示出发光特性并且可以很有用地应用于有机-无机混合电致发光装置中。
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公开(公告)号：CN1577906A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410062068.9
申请日：2004-06-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K11/565 , B82Y5/00 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , Y10S438/962
Abstract: 一种制备用于发光器件的量子点硅酸类薄膜的方法。量子点硅酸类薄膜的制备是通过将含有能与量子点相互作用的官能团和至少一种用于溶胶－凝胶操作的反应基团的化合物，引入到量子点或用于分散量子点的基质材料的表面而实现的，从而表现出优异的机械性能和热稳定性能。
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公开(公告)号：CN1412173A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02151459.3
申请日：2002-10-17
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C07C67/37 , C07C69/675
Abstract: 本申请公开了一种制备3－羟基酯的方法，包括：(a)通过使用由催化量的钴化合物和任选存在的有效量促进剂组成的催化剂体系，在50～3000psig的压力下，在30－150℃温度下，在溶剂中使环氧化物衍生物与一氧化碳和醇反应，产生3－羟基酯或其衍生物；(b)在－30－200℃的温度下，在稳定气体气氛中，在反萃取柱中从钴化合物和促进剂中分离所得产物和溶剂；以及(c)将部分或全部分离的钴化合物和促进剂再循环到步骤(a)以及重复步骤(a)到(c)。
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