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公开(公告)号：CN113471295A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110587221.3
申请日：2021-05-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/423 , H01L21/34 , B82Y10/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明涉及一种氧化物半导体器件，其包括绝缘衬底；绝缘衬底上相对设置由一源极及一漏极；纳米片堆栈部，其设置在所述衬底上，形成多个导电沟道；所述纳米片堆栈部包括：多个金属氧化物半导体纳米片竖直堆叠形成纳米堆栈部，所述金属氧化物半导体纳米片两端分别嵌入所述源极、漏极；环绕式栅极，其环绕于纳米堆栈部中多个金属氧化物半导体纳米片的周围。新型结构环栅型OS‑TFT(GAA OS‑TFT)设计可以显著提升器件的亚阈值特性、电流开关比与短沟道效应；利用多层纳米片和支撑结构相结合的设计可以显著提升器件的工作电流；器件的制备工艺与主流CMOS工艺兼容且工序简单；环栅器件结构设计，可以显著提升沟道载流子迁移率，提高器件电学性能，还能提高器件的可靠性与稳定性。
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公开(公告)号：CN113206091A
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN202110351170.4
申请日：2021-03-31
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明涉及一种二维半导体场效应管及其制备工艺、一种半导体器件，二维半导体场效应管从下至上依次包括：绝缘衬底区、导电沟道区、栅极区；其中，导电沟道区包括源、漏极、第一绝缘介质层、二维半导体层，第一绝缘介质层位于源、漏极之间，二维半导体层两端与源、漏极电连接形成源、漏端；栅极区包括高K介电层、金属栅和第二绝缘介质层，金属栅和第二绝缘介质层位于高K介电层上，第二绝缘介质层中包括多个通孔，通孔中的电极引线电连接二维半导体层的源、漏端、金属栅，本发明还相应公开了二维半导体场效应管的制备工艺。本发明适用于碳纳米管以及新型二维材料等没办法通过自对准形成源漏接触的工艺；制备工艺流程简单，在沉积二维半导体层前，形成源漏互连层图形，减少了二维材料沉积后形成源漏接触时的损伤，有利于提高器件的性能和良率。
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公开(公告)号：CN110137275B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910457839.0
申请日：2019-05-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明提出了一种红外吸收薄膜结构及制作方法及其电子设备，包括：红外吸收敏感材料；钝化和红外吸收层，形成在红外吸收敏感材料上方；金属层，形成在钝化层和红外吸收层上方，其中，金属层表面为纳米针状结构。本发明在基于现有的微电子制造技术，基于特殊的薄膜生长及刻蚀方法最终在常用的红外吸收敏感材料表面形成纳米结构提高红外吸收率。
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公开(公告)号：CN112563403A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011262979.1
申请日：2020-11-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种低噪声热电堆器件的制作方法。一种低噪声热电堆器件的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有正面和背面；在所述半导体衬底的正面形成隔离层；在所述隔离层沉积多晶硅层，并进行掺杂，然后分两次进行退火处理；其中，第一次退火采用快速热退火方式，退火温度为950℃～1150℃，退火时间为10～60秒；第二次退火采用激光退火方式，退火能量为1A～15A；然后对所述多晶硅层光刻图形化，得到多个多晶硅热电偶；经过后续工艺制得低噪声热电堆器件。本发明能大幅度降低多晶硅电阻，制作出低噪声的热电堆器件。
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公开(公告)号：CN110137308B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910431112.5
申请日：2019-05-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/0236
Abstract: 本申请公开了一种红外吸收薄膜及其制备方法，属于微电子制造技术领域，解决了现有技术中的红外吸收薄膜仅在很窄的短波范围内具有较高吸收能力、制备设备昂贵以及微加工工艺兼容性差的问题。本申请的制备方法包括如下步骤：形成敏感层；在敏感层上依次形成吸收钝化层和图形转移层；利用第一次等离子刻蚀在图形转移层远离吸收钝化层一侧形成纳米结构；利用第二次等离子刻蚀将图形转移层的纳米结构转移至吸收钝化层。本申请的红外吸收薄膜包括层叠布置的敏感层和吸收钝化层，所述吸收钝化层远离敏感层的一侧形成有纳米结构。本申请的红外吸收薄膜及其制备方法可用于红外器件。
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公开(公告)号：CN112017947A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010691373.3
申请日：2020-07-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 本申请涉及半导体结构的制造方法，具体是，提供半导体衬底，半导体衬底上有第一硬掩模层；形成芯轴图案以及上方的第二硬掩模层；形成芯轴两侧的侧墙；将所述第二硬掩模层去除。其中，所述第一硬掩模层与所述第二硬掩模层选用相互不同的材料，从而避免后续对第二硬掩模层进行刻蚀去除的工序对第一掩模层产生不期望的损失而导致的尺寸偏移现象。
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公开(公告)号：CN111969098A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010874367.1
申请日：2020-08-26
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种高吸收热电堆及其制作方法，所述热电堆包括红外吸收层；其中，所述红外吸收层包括旋涂碳材质。本发明首次将旋涂碳材质应用到热电堆作为红外吸收层材料，利用该旋涂碳材质增强红外吸收层的吸光效果，提高热电堆的红外吸收性能。
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公开(公告)号：CN110164851B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910380546.7
申请日：2019-05-08
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明提供了一种三维固态电容器的制造方法、三维固态电容器及电子设备，包括：在硅衬底上形成一个支撑体，支撑体包括由两种半导体材料形成的叠层结构；通过各向异性刻蚀工艺在支撑体上竖向刻蚀出多个深槽，直至露出硅衬底；在多个深槽中，通过各向同性刻蚀工艺，选择性横向刻蚀支撑体中的一种半导体材料层，以形成立体侧壁及表面都是深槽的结构，两种半导体材料的刻蚀速率不同；在支撑体的外表面先沉积一隔离层，再沉积复合膜，复合膜包括下层金属、高介电常数材料、上层金属。相比现有技术，本发明电容器的支撑体所包含的半导体材料层数更多，每层的厚度更薄，且支撑体被横向选择性刻蚀的深度更大，因此，本发明提出的电容器的比表面积更大。
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公开(公告)号：CN111799196A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010693065.4
申请日：2020-07-17
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体清洗设备及半导体清洗设备的紧急排水方法，属于半导体清洗技术领域，解决了现有半导体清洗设备价格高昂，安装周期长，安全性差的问题。半导体清洗设备包括紧急排水装置，紧急排水装置包括废水排水主管道，废水排水主管道外设有液体传感器，废水排水主管道内设有排水自动阀门。半导体清洗设备的紧急排水方法是在半导体清洗设备的废水排水主管道外设置液体传感器，在半导体清洗设备的废水排水主管道内设置排水自动阀门，通过液体传感器检测废水排水主管道内的漏液，液体传感器检测到漏液后，排水自动阀门自动开启，进行废水排水主管道及与其连通的废水排水支管道的排水。本发明的半导体清洗设备成本低，使用安全性高。
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公开(公告)号：CN111540824A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010389904.3
申请日：2020-05-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 一种热电堆及其制作方法，所述制作方法包括如下步骤：在衬底正面形成热电堆结构；在衬底背面形成掩膜层；采用干法刻蚀，在掩膜层上形成定位刻蚀窗口；采用博世刻蚀，对定位刻蚀窗口区域的衬底进行第一步刻蚀释放；采用反应离子刻蚀，进行衬底的第二步刻蚀释放，得到完全释放的背腔和保持完整的热电堆结构，完成热电堆的制备。本发明采用常规衬底，通过干法刻蚀释放工艺，分步对衬底进行刻蚀释放，在保持热电堆结构完整性的同时，制作出热电堆器件。
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