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公开(公告)号：CN117518354A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311480597.X
申请日：2023-11-08
Applicant: 中国电子科技集团公司第三十四研究所 , 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及铌酸锂光子芯片技术领域，具体涉及一种三叉戟结构薄膜铌酸锂模斑转换器，包括衬底、氧化物层、氮氧化硅波导和铌酸锂波导，铌酸锂波导在氮氧化硅波导内为三叉戟结构，传输部分为锥形结构。通过铌酸锂波导宽度的逐渐增大，波导对于光的限制作用增强，当波导宽度增大到一定程度时，光被限制在波导中，光斑尺寸随之减小，实现光纤与波导之间两种模斑的高效耦合，经过优化设计模斑转换器传输过程的透过率为0.99，三叉戟结构的铌酸锂波导和引用氮氧化硅波导更方便的与光纤连接，提高了耦合效率。
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公开(公告)号：CN117006900A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310824429.1
申请日：2023-07-06
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种电子雷管用可编程高精度抗冲击的桥丝自适应延时电路主要包括可编程高精度抗冲击延时器和桥丝自适应检测延时补偿模块两部分，在可编程高精度抗冲击延时器中采用了新颖的自适应精度控制电路，自动根据预设的时钟信号对电路的精度进行调整，随后根据精度对延时数据及补偿延时数据进行校正，大大提高了延时设置和时延补偿的便利性与灵活性。桥丝自适应检测延时补偿模块采用了新颖的基于桥丝无损检测的电路来对桥丝式点火药头发火时间的不一致进行补偿，仿真结果表明，该电路能够有效地对发火时间不一致的桥丝式点火药头延时时间进行补偿延时，从而实现了高精度延时及延时补偿，增强了微差爆破的效果。
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公开(公告)号：CN107992159B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201810054560.3
申请日：2018-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开一种三输出低温漂低功耗基准电压源，由并联于电源VDD与地GND之间的启动电路、电流产生电路和三输出基准电压产生电路组成。启动电路，用于在电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点。电流产生电路，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，产生提供三输出基准电压产生电路的输入电流，为基准电压产生电路提供电流。三输出基准电压产生电路，用于产生低温漂的三个基准电压。本发明能够解决传统基准电压源电路的输出电压值单一，温漂系数较差，以及功耗较大的问题。
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公开(公告)号：CN107967022B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN201810054578.3
申请日：2018-01-19
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: G05F3/26
Abstract: 本发明公开一种双输出低温漂基准电压源，由并联于电源VDD与地GND之间的启动电路、电流产生电路和双输出基准电压产生电路组成。启动电路，用于在电源上电时提供启动电流，使基准电压源摆脱简并偏置点。电流产生电路，利用共源共栅电流镜提高电源电压抑制比和电压调整率，产生提供双输出基准电压产生电路的输入电流，为基准电压产生电路提供电流。双输出基准电压产生电路，产生低温漂的两个基准电压。本发明能解决传统基准电压源电路的输出电压值单一，温漂系数和电源电压抑制比较差的问题。
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公开(公告)号：CN116940190A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310980247.3
申请日：2023-08-04
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种高质量钙钛矿厚膜及其制备方法和用途，包括将95‑105℃的过饱和浓度的钙钛矿前驱体溶液滴加到基底上，用不同狭缝高度的刮刀、以不同速度进行多次刮涂的步骤，通过特定的工艺，解决了现有技术中难以控制钙钛矿膜厚度以及钙钛矿厚膜缺陷密度高导致辐射探测器具有较高暗电流密度的技术问题，能够灵活、方便的进行钙钛矿厚膜的制备，获得了具有低缺陷密度、高致密度、高均匀性的钙钛矿厚膜，本发明具有低成本、制备方便、可大面积生产等优势，所需温度在200℃以下，尤其是刮涂和退火过程均在大气环境下即可完成，有利于工业化生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109473785B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN201811568530.0
申请日：2018-12-21
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01Q15/24
Abstract: 本发明中的偶极子共振超表面窄带极化转换器能产生线宽较窄且峰值较高的透射峰，单层三孔缝超表面包括三个偶极子共振器，由巴比涅效应，在前向传播时，入射于下层超表面的第二矩形孔缝的电磁波为x线极化波，才会激发基于明暗两种模式干涉的法诺共振，法诺共振具体上由偶极子的同相振荡与失相振荡的干涉引起，偶极子的振荡经中层超表面的旋转孔缝的旋转作用后，与上层超表面的第一矩形孔缝进行互作用，从而产生沿y方向极化的线极化波，由此产生了非对称传输现象，这类非对称传输现象可以用于滤波器、极化开关、波分复用器中。
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公开(公告)号：CN116661024A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310620408.8
申请日：2023-05-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 几何相位型超表面受光束偏振态的影响,单元结构仅在特定偏振方向发生变化且产生对应的相位延迟,而偏振片的加入会导致入射光能量大大减小,使光学器件的能量利用率偏低。本设计提出一个双层级联结构，在衬底下方排列周期性的金椭圆柱阵列，使之进入的线偏振光转换为圆偏振光，作用相当于四分之一波片；在衬底上方利用几何相位原理排列不同方向角的TiO2矩形块，使转化后的圆偏振光在通过后会聚一点，达到聚焦效果。将该设计和数值孔径相同，但无偏振转换的圆偏振入射的超透镜做对比，有效验证了该集成超表面的偏振转换与聚焦功能。这样的设计思路不仅可以应用于超透镜聚焦，还可以应用在消色差超透镜上。
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公开(公告)号：CN116430502A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310260461.1
申请日：2023-03-17
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种金柱结构宽带太赫兹偏振转换器，包括二氧化硅介质与上金柱复合为一体形成超表面结构。本发明的有益效果是：通过调谐参数可实现2.42～4.83THz范围的半波片以及2.35～4.51THz范围的四分之一波片，并且都具有比较理想的带宽和较为优异的偏振转换率(PCR)，这为高性能宽带偏振转换器的设计提供了一定的理论和数据支撑。该发明结构设计新颖，性能优越，可望在未来高性能偏振器件设计方面得到广泛运用。
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公开(公告)号：CN113913184B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202110338689.9
申请日：2021-03-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种稀土共掺杂的氧化镓荧光材料及其制备方法和应用，属于无机荧光材料技术领域，该荧光材料采用稀土Eu和Ce共掺杂氧化镓，利用水热法制得具有发光性能且发光性能良好的荧光材料。该方法制备工艺简单，成本低廉，对设备要求不高，反应条件温和、绿色环保，使用表面活性剂可避免纳米粒子团聚，制得的产物具有粒度分布均匀，分散性良好，形貌易于控制等优点。其中稀土作用分别是，铕作为发光中心，是激活剂，铈的作用是增强发光，是助激活剂。本发明制备的荧光材料具有发光特点，有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN115895649A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211727159.4
申请日：2022-12-30
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种稀土铽和稀土钆共掺氧化镓荧光材料及其制备方法和应用，该荧光材料的化学组成通式为(TbXGdYGa1‑X‑Y)2O3，其中，X的取值范围为0.01≤X≤0.05，Y的取值范围为0.01≤Y≤0.10。其制备方法为先分别配置一定浓度的硝酸铽、硝酸钆和硝酸镓水溶液，再按化学组成通式所对应的化学计量比分别量取相应溶液并混合均匀，并滴加氨水调节溶液pH值，然后将混合溶液转移至聚四氟乙烯内衬的高压釜中进行水热反应，反应结束后对产物进行离心、洗涤、干燥及退火，即可得到稀土铽和稀土钆共掺氧化镓荧光材料。本申请的制备方法较为简单，所制备的荧光材料可在365nm紫外光激发下发射543nm的绿光，发光强度远远高于稀土铽掺杂氧化镓荧光材料，可广泛应用于发光领域。
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